Υ(1S)的强衰变及粲重子结构的研究

在微拢QCD框架内,利用重子结构的夸克模型,计算了Υ→pp,ΛcΛc,∑c∑-c,ΞcΞc,Ξ ccΞ-cc,ΩcccΩccc衰变的分支比,讨论了在Υ衰变中寻找Ωccc粲重子的可能性.     

气体介质对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响

采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上分别在高纯Ar、高纯H2和C2H2的气氛下沉积类金刚石膜,利用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对沉积膜的结构进行了分析.结果表明与在高纯H2和C2H2气氛下相比,在高纯Ar中沉积类金刚石膜Raman谱的ID/IG值最小,膜中sp3C含量最高为35.55;.纳米压痕仪测量结果表明不同气氛下沉积膜的硬度和弹性模量分别在16.7～34.8GPa和143.2～236.9GPa之间变化.在高纯Ar气氛下沉积膜的硬度和弹性模量最大分别为34.8GPa和236.9GPa.     

叶绿素衍生物的合成及其对紫细菌原初光化学特性 的影响研究

对10个叶绿素衍生物的合成方法进行了研究,在一定的温度(43.5℃)和丙酮的协同作用下,植物脱镁叶绿素a可转换紫细菌RS601光合反应中心的细菌脱镁叶绿素,光化学活性为对照的71.4%,光化学活性的下降与替代色素的变化无对应关系,替代后降低了Bphe^-/Bphe和QA^-/QA电对之间的电子传递速率。     

理论研究二米基硼B(Mes)2位置异构对Ir(III)配合物Ir(ppy)2(acac)的光物理性质的影响

采用DFT/TDDFT方法研究了二米基硼B（Mes）₂基团修饰的一类Ir（ppy）₂（acac）配合物1～3的光物理性质. 计算了电子结构,吸收和发射光谱以及自旋轨道耦合矩阵< T₁^α|H_SOC|S_n >和辐射跃迁速率（k_r）,探讨了取代基位置不同对磷光辐射和非辐射跃迁性质的影响. 研究结果表明：向ppy配体的吡啶环引入B（Mes）₂基团,能够加强金属铱（Ir）与配体乙酰丙酮（acac）的相互作用,减小单-三重态能级差ΔE（S₁-T₁）,提高系间窜跃速率和磷光辐射跃迁速率. 向ppy配体的苯环引入B（Mes）₂基团则增大了S₀与T₁的结构变形和自旋轨道耦合矩阵< S₀|H_SOC|T₁ >,使非辐射跃迁速率增加. B（Mes）₂基团位置异构,导致金属d轨道分裂方式不同,其在三个方向的自旋轨道耦合作用不同,辐射跃迁和非辐射跃迁都随之改变. 从理论上解释了通过对ppy配体的吡啶环修饰可获得高磷光量子产率的原因.     

基于TPRA—tree面向预言查询的时空索引

基于TPR-tree典型的移动对象索引方法,提出了TPRA—tree．TPRA—tree从频繁更新的移动对象运动方向的角度进行构造,减少了结点面积,减小了结点间重叠．实验结果表明：TPRA-tree的更新和与查询性能优于TPR-tree．     

三维钻石型等级晶格上量子Heisenberg系统的临界性质

利用重整化群方法,研究了三维钻石型等级晶格上的各向异性量子Heisenberg模型,获得了系统的相图和临界性质. 结果表明:对于铁磁系统,在各向同性Heisenberg极限下,系统存在有限温度的相变,并计算了系统的序参量和临界指数; 对于反铁磁系统,在各向同性Heisenberg极限下,临界温度不等于零,在临界线上不存在重入行为.     

Oscillatory correlations between external force and damping

In this paper we shall examine the correlations among the external froce, variable damping and variable restoring force. Some new results are obtained.     

p-n结在复合光阴极中的应用

作为光电化学系统的重要组成部分之一,光电极应该具有较好的光电流响应,以及在水溶液中稳定的特性。分别以醋酸镍、钛酸四丁酯作为NiO、TiO2溶胶的前驱体,利用溶胶-凝胶法制备了单质p型NiO及p-n结型复合光阴极NiO-TiO2。复合光阴极的SEM截面形貌显示NiO层和TiO2层的厚度分别为200,130nm。光电化学表征结果表明,NiO-TiO2复合光阴极的阴极光电流优于单质NiO电极的阴极光电流,并且其平带电势与单质NiO电极相比发生正向移动,这些现象都是由p-n结的内建电场引起的。     

4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4HSiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16nm,形状为微柱体.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强,电导率增加. 关键词： 4H-SiC PECVD 纳米结构 多型薄膜 纳米电子学