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数学解题应重视隐含条件的挖掘江苏省东台市中学邹锦程所谓隐含条件,是指在数学问题中,除了直接给出的已知条件外,还没直接给出,需要人们去发掘的条件。这种条件一般隐含在定义、定理、公式、法则、图形之中,含而不露,容易被忽视,因而造成解题错误。下面就几个方面... 相似文献
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实验室中水声材料声学参数的测量主要在水声声管中进行。管内平面波声速是正确测量这些参数的基础。该文提出一种基于四水听器结合不同边界的测量充水弹性管中声速的新方法。该方法利用4个固定位置处的水听器,采用最小二乘的方法,使得两组水听器分别得到的声管末端入射波声压差值的平方最小的声速即为管内平面波声速。该方法利用单频信号,在每一频率点均可测得声速,可以在任一种声管末端边界下进行测量,同时无需知道各水听器到边界的精确距离,在文中的3种边界下声速测量结果具有很好的一致性,实验操作简单、误差很小。该方法的仿真结果与管内声速的理论值吻合得很好,同时实验测量结果与仿真值之间的误差很小,证明了方法的准确性以及鲁棒性,为声管声速测量提供一个很好的思路。 相似文献
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为探究CT联合高分辨率盆腔MRI扫描对结直肠癌的诊断价值,选取疑似结直肠癌患者179例纳入本研究,均行CT和盆腔MRI检测,对比观察患者T分期、阴性预测值、阳性预测值及诊断效能.结果 发现,CT检测T分期准确率为92.11%,CT+高分辨率盆腔MRI扫描检测T分期准确率为98.68%;与CT检测相比,CT+高分辨率盆腔... 相似文献
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Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions. 相似文献