孔缝对金属腔体强电磁脉冲耦合特性影响研究

核电磁脉冲和高功率微波等强电磁脉冲易造成电子设备功能失效甚至损毁,在实际工程实施中用金属腔体对电子设备进行屏蔽是常用的强电磁脉冲抑制手段。基于电磁仿真计算,对含矩形孔缝金属腔体的强电磁脉冲耦合特性进行了系统研究,阐述了孔缝宽长比、腔体尺寸等因素对多种不同类型强电磁脉冲（核电磁脉冲、宽带高功率微波、窄带高功率微波）作用下腔体内耦合场的影响;并以此为基础,重点分析了强电磁脉冲与含孔缝金属腔体之间的作用机制。研究结果表明:不同类型强电磁脉冲耦合信号差异明显,金属腔体对强电磁脉冲的响应是腔体谐振模式、孔缝谐振频率与强电磁脉冲共同作用的结果;当腔体谐振模式、孔缝谐振频率在强电磁脉冲的带内时,腔体内部的耦合场会出现增强效应;特别地,腔体与孔缝间的相互作用还可造成腔体与缝隙的谐振频率发生偏移。因此,在为电子设备设计金属屏蔽外壳时,应基于不同强电磁脉冲的频带范围,对腔体与孔缝的尺寸进行综合设计,抑制腔体、孔缝谐振及谐振频率偏移,提升其强电磁脉冲防护性能。     

方形载流线圈的空间磁场计算

利用教材中一个常见例题的结论，将方形载流线圈视为四段载流导线，采取分段计算然后叠加的方法，导出了方形载流线圈空间磁场分布的普遍表达式，并讨论了线圈平面上的磁场分布情况．     

各向异性电介质中均匀带电矩形线框的空间电势和电场强度

从各向异性电介质中点电荷的电势表达式出发,采取分段计算叠加的方法,首先计算了各向异性电介质中均匀带电矩形线框的空间电势.然后,利用电场强度与电势梯度的关系,导出了各向异性电介质中均匀带电矩形线框电场强度的空间分布表达式.最后,对方形均匀带电线框和中心轴线上的特殊情形进行了简单说明.     

含不稳定源轴对称非静态场的计算

利用麦克斯韦方程组和场的轴对称性,分别对含不稳定电荷源和不稳定电流源的轴对称非静态空间电磁场进行了研究.首先,导出了3个基本表达式,然后,以对称轴的已知不稳定场量作为初始值,通过不断迭代并总结其规律,给出由对称轴上的已知不稳定场量来表示轴外任意一点电磁场的无穷级数表达式,最后,对结果进行了验证,对其敛散性进行了分析.     

共轴均匀带电圆环间相互作用力的迭代计算

利用带电圆环电场的轴对称性,联合运用静电场的高斯定理和安培环路定理,以轴线上的场强值为初值,巧妙地导出了均匀带电圆环空间电场的无穷级数表达式,进而计算出了共轴均匀带电圆环之间的相互作用力.     

变速旋转带电圆柱体的空间电磁场计算

本文利用变速旋转带电圆柱体电磁场的轴对称性,巧妙联合运用麦克斯韦方程组,以轴线上的磁场为初值,通过反复迭代的方法,获得了变速旋转带电圆柱体空间电磁场的无穷级数表达式.     

关于并联谐振电路的讨论

本文对并联谐振电路的谐振态特性和选择特性进行了一般性的讨论。     

薄膜电致发光器件SiO2加速层的电子输运性质

考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响，通过ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟电子在薄膜电致发光器件（ＴＦＥＬ）的ＳｉＯ２加速层的散射过程，从理论上描述了ＳｉＯ２层的加速作用与电流倍增效应，获得了电子平均能量与场强的关系曲线、电离率、电流倍增因子，与实验结果符合较好     

六羰基钨分子振动模式的群论方法研究

利用六羰基钨(W(CO)_6)分子的高对称性并结合群论方法,对六羰基钨分子的振动模式和光谱活性进行了分析.然后,利用基于密度泛函理论的Demol程序包对六羰基钨分子进行了计算,获得了分子13个不同的振动频率以及分子键长、电子云分布等信息.