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131.
以宁波轨道交通1号线沿线软黏土为研究对象, 开展了不同动应力幅值下的循环动三轴试验, 研究了不排水和部分排水对饱和软黏土累积塑性应变、动孔压、动弹性模量及动阻尼比的影响. 结果表明: 在排水条件下对饱和软黏土的动力特性影响较大, 尤其是动孔压; 随着振动次数的增加, 部分排水条件下的动孔压存在一个峰值, 动孔压先增大后减小; 当动应力幅值较大时, 部分排水条件下累积塑性应变和动阻尼比小于不排水条件下的结果, 动弹性模量则大于不排水条件下的值; 对试验结果进行归一化处理后, 获得了动弹性模量、动阻尼比以及累积塑性应变的内在关系. 相似文献
132.
用户撤销是属性基加密中的一个主要环节,但现有的用户撤销方案都采用重新加密和更新密钥来实施用户撤销,导致方案安全性差或计算量大.因此,本文提出一种基于时间限制的用户撤销密文策略属性基加密方案.方案中对每个用户指定一个访问数据的有效期,一旦有效期到期,用户就无法访问数据,从而实现用户的定时撤销.为了防止有效期的篡改或伪造,使用了短签名方法,从而提高了数据的安全性,并且有效地降低整个算法的计算量. 相似文献
133.
螺旋槽端面微间隙高速气流润滑密封特性 总被引:5,自引:5,他引:0
考虑入口气流压力损失和出口阻塞效应,建立了微间隙端面高速气体润滑密封分析数学模型,对螺旋槽端面微间隙高速气流润滑密封特性进行研究.重点分析了不同密封间隙、密封压力和转速等工况条件下,入口压力损失和出口阻塞效应对开启力、泄漏率及气膜刚度等密封特性参数的影响规律.结果表明:高速气体阻塞效应使出口压力高于环境压力,压力损失使入口气膜压力下降,导致泄漏率和气膜刚度明显下降,并使开启力增加.随着密封压力和密封间隙的增加,阻塞效应增强,导致泄漏率和气膜刚度显著降低.密封压力10 MPa时,泄漏率降低可达20%,气膜刚度的下降可达30%以上. 相似文献
134.
135.
136.
空间两直线的位置关系可分为两大类:异面、共面;在同一平面内又分为:平行、相交和重合;直线与平面相对位置可分为:平面与直线平行、直线与平面相交、直线在平面上。这里介绍用矩阵的秩来判断两空间直线及直线与平面的位置关系。引理1非齐次线性方程组a11x1+a12x2+…+a1nxn=b1,a21x1+a22x2+…+a2nxn=b2,………………am1x1+am2x2+…+amnxn=bm,有解的充要条件是:系数矩阵A与增广矩阵B的秩RA=RB;且RA=RB=n时有唯一解。引理2设向量βi=(Ai,Bi,Ci)(i=1,2,3),则(β1×β2)·β3=A1B1C1A2B2C2A3B3C3=0三向量共面。定理1设两空间直线L1∶A1… 相似文献
137.
Ni、Co/AAO纳米有序阵列复合结构光吸收特性的比较研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中分别沉积金属镍(Ni)、钴(Co),制备了Ni/AAO和Co/AAO纳米有序阵列复合结构,对其光吸收特性进行了比较研究。实验结果表明.相同结构参量的模板中,Ni、Co纳米粒子的表观形状随沉积时间的变化规律基本一致.但Co/AAO及Ni/AAO复合结构的光吸收特性却有较大差异。Ni/AAO复合结构表现出间接带隙半导体的光学特征.而Co/AAO复合结构具有直接带隙半导体的光学特征。同时,随金属沉积量的增加,Ni/AAO吸收边的红移量仅约为13nm.而Co/AAO复合结构的吸收边红移量却超过了80nm。用Maxwell-Garnett(M-G)理论分析了导致二者光吸收特性存在较大差异的主要原因。 相似文献
138.
139.
根据多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜的实验透射谱(200—2500nm),采用极值包络线算法确定其光学常数,并由此较精确地计算出AAO薄膜样品在该波段的光学常数.结果表明,多孔氧化铝薄膜表现出直接带隙(能隙约4.5eV)半导体的光学特性,且其光学常数与制样中的重要工艺参数阳极氧化电压有显著的相关性,即随阳极氧化电压的增加,AAO薄膜的厚度、折射率和光学能隙变大,消光系数减小.同时,计算得到的薄膜厚度与实测值相吻合,则说明计算结果和实验值是自洽的.
关键词:
薄膜光学
光学常数
多孔阳极氧化铝
阳极氧化电压 相似文献
140.
以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85;以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降. 相似文献