激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜

利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响.     

可用于激光核聚变的闪烁中子探测器

在当前激光核聚变实验中,中子集中在短时间内出现、且产额低。为适应这种特点,要求探测器的效率高,分辨时间短。利用闪烁中子探测器探测激光核聚变所产生的中子,能测定中子产额,记录中子能量,而且探测效率高,分辨时间短。缺点是易受γ射线、X射线的干扰。     

刺五加味中黄酮类化合物的分析

利用电喷雾多级串联质谱（ESI－MS^n)技术，分析了刺五加叶中黄酮类化合物，并根据黄酮类化合物的特征显色反应，采用紫外－可见分光光度法，对刺五加叶中总黄酮的含量进行了测定。分析结果表明：刺五加叶含有槲皮素及其相关的黄酮甙类化合物，其含量达37．25％。     

一种适用于无程序升温的气液色谱仪的综合填充柱

目前,我国有一半以上的气液色谱仪没有程序升温装置,要在恒温下对不同沸点和不同极性的混合物高效分离,选择理想的柱子就成为一个关键问题,特别是在裂解色谱法中,高聚物裂解出的产物品种多,分子量范围宽,极性大小不一的情况下选择高效分离柱就更为重要。为了克服色谱仪无程序升温装置的缺陷,我们选用了三段串联填充柱,在恒温下能使复杂的裂解产物得到分离,并已成功地用于多种高聚物裂解产物的分离。     

Dispersion state and catalytic properties of vanadia species on the surface of V_2O_5/TiO_2 catalysts

The dispersion state and catalytic properties of anatase-supported vanadia species are studied by means of X-ray diffraction (XRD), laser Raman spectroscopy (LRS), H2 temperature-programmed reduction (TPR) and the selective oxidation of o-xylene to phthalic anhydride. The almost identical values of the experimental dispersion capacity of V2O5 on anatase and the surface vacant sites available on the preferentially exposed (001) plane of anatase suggest that the highly dispersed vanadium cations are bonded to the vacant sites on the surface of anatase as derived by the incorporation model. When the loading amount of V2O5 is far below its dispersion capacity, the dispersed vanadia species might mainly consist of isolated VOx species bridging to the surface through V-O-Ti bonds. With the increase of V2O5 loading the isolated vanadia species interact with their nearest neighbors (either isolated or polymerized vanadia) through bridging V-O-V at the expenses of V-O-Ti bonds, resulting in the increase of the ra     

Synthesis and Luminescence Property of 4,4＇-Bis（2,2-di（4-fluorophenyl）vinyl）biphenyl for Organic Blue-Light-Emitting Diodes

The novel fluorinated distyrylarylene, 4,4＇-bis（2,2-di（4-fluorophenyl）vinyl）biphenyl （DFPVBi）, was synthesized and fully characterized. The structure was confirmed with IR, 1↑H NMR, 13↑C NMR, 19↑F NMR and MS analyses. Its electronic and photoluminescence properties were investigated by UV-Vis absorption, cyclic voltammetry and fluorescence spectroscopy. The energy levels of the highest occupied molecular orbital （HOMO） and the lowest unoccupied molecular orbital （LUMO） are --5.77 and --2.75 eV, respectively. The electroluminescence proper- ties of the organic light-emitting diode fabricated by DFPVBi were also studied. The device exhibits a pure blue emission peaked at 454 nm, which indicates a maximum luminance of 5872 cd/m ^2 at 14.2 V and a maximum current efficiency of 2.82 cd/A at 10V, respectively.     

接触法制硫酸的模型

当研究制取硫酸的问题时,教师不得不基本上只利用图表,在最好的情况下,也不过是演示一下SO_2氧化为SO_3,因此,教师往往难于把硫酸的生产过程给予学生,我们所拟制的接触法制硫酸的活动模型,能够表明接触装置的和吸收系统的工作(图1)。     

植物形成愈伤组织的激素调节与核酸及氨基酸代谢的关系

本文将绿豆子叶切段培养在Miller培养基上附加或不附加生长素和激动素,研究了受伤和激素诱导形成愈伤组织的作用.实验证明绿豆子叶切段必须有生长素和激动素才能形成愈伤组织.25S和18S的RNA明显增加。对照子叶切段比形成愈伤组织的切段中自由氨基酸的含量多,而结合氨基酸的情况相反.脯氨酸和羟脯氨酸的含量在两种组织中都是随着培养时间的延长而增加,但是形成愈伤组织的切段中羟脯氨酸和脯氨酸含量的比例却大大超过对照。     

V2O5/TiO2催化剂表面钒氧物种的分散状态和催化性能

用X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、程序升温还原(TPR)和微反评价等手段研究了V₂O₅在TiO₂(锐钛)表面的分散状态和负载型V₂O₅/ TiO₂(锐钛)催化剂的邻二甲苯选择氧化催化性能. 结果表明在TiO₂(锐钛)表面V₂O₅分散容量的实测值(1.14 mmol V/100 m² TiO₂)与TiO₂(锐钛) 优先暴露晶面(001)上的空位密度(1.16 mmol/100 m² TiO₂)接近, 这表明分散的钒离子可能键合在TiO₂(锐钛)表面的空位上, 与嵌入模型估算结果相符. 当V₂O₅的负载量远低于其分散容量时, 表面上的钒氧物种主要为孤立的VOx通过V-O-Ti键与载体结合. 随V₂O₅负载量的增加, 孤立的VOx与其最近邻的钒氧物种(可为孤立或聚合)通过V-O-V键结合, 导致V-O-Ti键的比例降低和聚合钒氧物种的比例增多、表面氧物种的反应活性降低. 虽然V₂O₅/TiO₂催化剂的邻二甲苯选择氧化的活性随负载量增加而增加, 到钒氧物种成单层时达极大, 但按每个钒离子估算的TON(转化数)却随负载量的增加而线性下降. 当V₂O₅的负载量高于其分散容量时, 增加的V₂O₅以晶相形式存在, 此时除钒离子的利用率降低外, 还由于晶相V₂O₅中只有V-O-V存在, 与之相结合的氧离子的活性较与V-O-Ti键合的弱, 邻二甲苯选择氧化的活性随负载量的增加有所下降, 而其TON则更为迅速地线性降低.     

单晶金刚石p型和n型掺杂的研究

超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。