大型InSbFPA摄像机

大型ＩｎＳｂＦＰＡ摄像机５５２１Ｃ型中红外摄像机采用大型５１２×５１２ｈｓｂ焦平面（ＦＰＡ）列阵结构，获得高于硅化铂１０倍以上的高量子效率。三代ＦＰＡ可提供有关区域（ＲＯＩ）的处理技术、实现数据域内一个成多个区域的直接存取编程，而不涉及ＲＯＩ以外的像...     

金刚石表面杂质的深度分布

 利用二次离子质谱法（SIMS）测量和分析了金刚石的表面杂质。为获得表面杂质的深度分布，采用了离子剥蚀法，用15 keV的Ar⁺总共剥蚀了6 400 s，以N、Na、Mg和Si四种杂质作为研究对象。结果表明，各种杂质的浓度最大值均位于最外表面的一薄层内，它相当于剥蚀时间不足6.5 min。对于某一给定的杂质，在不同样品的最外表面上的浓度可以相差很悬殊。但当Ar⁺剥蚀30 min以后，不同样品中的浓度相差不大，且同一样品中，各种杂质的浓度随剥蚀时间的增大（即随深度的增加）变化不大。     

5.5到21.7MeV/A28Si+197Au系统的裂变测量(Ⅰ)线动量转移和偏离反应平面分布

用5.5到21.7MeV/A²⁸Si+¹⁹⁷Au,测量关联裂片的速度及角分布.实验表明:入射能超过10MeV/A时,出现非完全熔合裂变(ICF);E_cm>200MeV时,伴随ICF又出现跟随裂变(SF).从线性动量转移(LMT)分布中,提取了SF产额对总裂变产额的比值.从关联裂片偏离反应平面的分布中,给出了分布宽度与单核子激发能的线性关系式.     

介质阻挡放电等离子体辅助氨制氢研究

在介质阻挡非平衡等离子体放电过程中,通过在电极两端施加电压,流经放电区域的气体被击穿,产生高能电子和激发态组分。这些活性粒子与气体分子发生非弹性碰撞引起分子的电离或离解,促进燃料的转化。本文主要从稀释气体、脉冲电压和燃料浓度三个方面进行研究,探讨不同稀释气体对放电过程中电流和反应区温度的影响、脉冲电压和燃料浓度变化时氨气的转化率及氢气生成的变化规律。     

受撞击粘弹性基支弹性直梁的动力响应

本研究了半无限线性粘弹性Ｗｉｎｋｌｅｒ地基上的弹性直梁受低速运动物体撞击的动力响应分析问题，在不计撞击中应力波传播的条件下推导出了关于撞击力Ｆ（ｔ）的非线性Ｖｏｌｔｅｒｒａ分方程，得出了梁的横向位移Ｗ（ｘ，ｔ）的一般表达式，作为实例，本对两端简支弹性直梁受圆球对心横向撞击的问题进行了分析计算。     

恒应变率下航空有机玻璃耗能模量温度谱的实验研究

通过动态实验和准静态实验测得了恒应变率下3~#航空有机玻璃(PMMA)在一定温度范围内的割线模量与温度的关系。通过付氏变换,转换成耗能模量与温度的关系,再与内耗变频温度谱进行了直接的比较,得到了两种实验条件下的实际对应关系,为非线性粘弹性高聚物的力学松弛谱中应变率敏感峰和耗能模量峰之间的关联提供了实验论证。文章还提出了温度负敏感性现象。     

一种高效的光伏监控方案及发电量预测

针对市场上光伏监控系统运行效率不高、发电量预测忽略太阳辐照度以及缺少嵌入预测功能等问题,提出一种以串口服务器为数据采集网关,以面向对象的方法描述设备、以多线程的方式处理数据、以模块化的思想布局,采用自定义数据队列、以嵌入的RBF神经网络模型预测发电量的高效光伏监控方案;以在广西大学内搭建的一个小型的光伏发电站为实验对象,在该方案的基础上实现多总线的光伏远程监控系统,并在该系统中嵌入发电量预测功能;经过长时间地运行系统并预测发电量,结果表明该系统具有运行效率高、可扩展性强、发电量预测精度高等优点。     

沥青基球状活性炭担载TiO2制备光催化剂及其降解甲基橙的研究

以微孔型沥青基球形活性炭(PSAC)为载体,钛酸四正丁酯为钛源,采用溶胶-凝胶法和浸渍-烧结法分别制备了TiO2/PSAC复合材料.通过XRD、SEM、EDS、TGA等分析技术对PSAC及TiO2/PSAC复合材料的结构进行了表征;以水溶性有机物甲基橙(MO)为探针,考察了两种方法制备的复合材料对于目标降解物的光催化降...     

缓变下垫面对浅水方程的动力学订正

讨论了当下垫面随时间缓慢变化时浅水方程的形式. 从控制大气运动的连续性方程和动量方程出发, 将下垫面的缓慢变化作为一个小量叠加到固有下垫面函数上, 利用大气的上下边界条件, 得到改进的浅水方程. 在改进的浅水方程中, 由缓变局部水平体积散度, 订正了局部水平体积散度和流体局部厚度变化之间的平衡, 在此基础上得到包含下垫面缓变的涡度方程.     

反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe