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81.
83.
一对阻转异构体NMR谱的解析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道一个孕甾生物碱-富贵草碱A的阻转异构现象,并报道利用无畸变极化转移增强(DEPT)技术、异核化学位移相关谱(HETCOR)、质子NOE谱(NOESY)这些核磁共振技术,对表富贵草碱A的一对阻转异构体的13C NMR化学位移数据,作了完整指定,表富贵草碱A为一对阻旋异构体的混合物,这是孕甾生物碱中的一个阻旋异构现象。 相似文献
84.
85.
Pr部分替代Ca可以在Bi-2223的超导层中引起局域缺陷(简称Pr离子缺陷),本文分析了不同含Pr量的Bi-2223/Ag带材在垂直于带面的外场下电阻转变特性,研究了其磁通钉扎势垒的变化规律.结果表明:Pr离子缺陷显著提高了Bi-2223带材的磁通钉扎势垒(U).不同含Pr量样品的磁通钉扎势垒(U)均满足U/(1-T irr/Tc0)(1/Hα的规律,其不同α值反映了样品中不同的磁通蠕动方式.在不含Pr离子缺陷的样品中,磁通主要以双弯结的方式进行蠕动, 含Pr离子缺陷的样品中磁通蠕动主要以直接剪切的方式进行. 相似文献
86.
Compact Arrayed-Waveguide Grating on Silicon-on-Insulator with Integrated Waveguide Turning Mirrors
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A compact arrayed-waveguide grating (AWG) on the silicon-on-insulator material is designed and fabricated with employment of waveguide-integrated turning mirrors (WITMs). By properly setting the incident angle with the value of 45°, the effective area of the WITM AWG is only 1.15 cm×1.15 cm with the arrayed waveguide area of 0.6cm×0.6cm. The crosstalk of the fabricated 1×6 AWG is better than -19 dB. The on-chip insertion loss is about -8.8 dB and the output nonuniformity is less than 0.6 dB. The polarization-dependent central wavelength shift is about 0.048nm and the polarization dependent loss is neglectable. 相似文献
87.
A novel lateral double-gate tunnelling field effect transistor (DG-TFET) is studied and its performance is presented by a two-dimensional device simulation with code ISE. The result demonstrates that this new tunnelling transistor allows for the steeper sub-threshold swing below 60mV/dec, the super low supply voltage (operable at VDD 〈 0.3 V) and the rail-to-rail logic (significant on-state current at the drain-source voltage VDS = 50mV) for the aggressive technology assumptions of the availability of high-k/metal stack with equivalent gate oxide thickness EOT =0.24 nm and the work function difference 4.5 eV of materials. 相似文献
88.
89.
ONGENERALIZEDLIENARDEQUATIONANDTHEUNIQUENESSOFLIMITCYCLESINGAUSS-TYPE PREDATOR-PREY SYSTEMShaoMinghua(邵明华)(HangzhouTeachers'C... 相似文献
90.