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561.
562.
低“化学势”物质CO2的资源化转化   总被引:1,自引:0,他引:1  
CO2是有机物氧化的最终产物,是一种低“化学势”物质,如何有效地将其转化为有用的化工资源,十分重要。本文结合自己的工作,介绍了利用催化剂对CO2进行活化及资源化转化的方法。  相似文献   
563.
一、纤维素非水溶剂研究的历史 自从1857年Schweizer发现铜氨溶液可以溶解纤维素以来,至今已有一个多世纪,其后,仍不断研究。到本世纪50年代,以联邦德国Jayme为代表,以乙二胺溶剂为基础,加上镉、镍、钴、锌等金属氧化物,构成了镉、镍、钴、锌的乙二胺溶剂体系,均可溶解纤维  相似文献   
564.
采用射流冷却和高温瞬时热解技术研究了过氧化二叔丁基(DTBP)热解产物的质量分布和飞行时间谱。DTBP解离率与热解温度的关系表明,1300K时DTBP全部解离。以Ar为载气时,DTBP热解产物CH3COCH3的飞行时间谱上出现双峰,而以He或N2为载气时只出现单峰,表明在射流冷却下可能有部分CH3COCH3分子与Ar生成了范德华分子CH3COCH3·Arn·此外,还讨论了射流冷却下DTBP瞬时热解的机理。  相似文献   
565.
节点梯度光滑有限元配点法   总被引:2,自引:2,他引:0  
配点法构造简单、计算高效,但需要用到数值离散形函数的高阶梯度,而传统有限元形函数的梯度在单元边界处通常仅具有C0连续性,因此无法直接用于配点法分析.本文通过引入有限元形函数的光滑梯度,提出了节点梯度光滑有限元配点法.首先基于广义梯度光滑方法,定义了有限元形函数在节点处的一阶光滑梯度值,然后以有限元形函数为核函数构造了有...  相似文献   
566.
本文以混沌的观点研究流体湍流.在Reynold数为63—179的范围内,在低湍流度水洞中,在圆柱体尾流中测量速度脉动,获得关联维数、相空间轨迹、谱分布等有用数据,并做了流场显示.实验结果表明,该种开放型流动的早期转捩过程中,存在混沌现象.这有助于进一步认识开放型流动中湍流发生的机制.  相似文献   
567.
利用多组分反应合成结构复杂多样的杂环化合物,在有机合成领域具有广阔的应用前景和研究价值.本文综述了近年来多组分反应在五元杂环、六元杂环、多元杂环合成中的研究进展,同时对杂环化合物的绿色合成方法做出展望.  相似文献   
568.
本文以硝酸银和磷钨酸为原料制备了系列银改性磷钨酸催化剂AgxH3-xPW12O40x=1、2、3,x表示AgNO3与磷钨酸的物质的量之比),并利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、热重量分析-导数热重量分析(TGA-DTG)和固体核磁共振结合探针分子(31P-TMPO MAS-NMR)技术对它们的结构、稳定性及酸性进行了表征;同时考察了甲醇/大豆油的物质的量之比、催化剂用量、反应温度和反应时间等因素对磷钨酸银催化酯交换反应的影响.研究结果表明,Ag2HPW12O40催化剂具有最好的催化酯交换反应活性和重复使用性能,其结构中的Brønsted酸中心与Lewis酸中心之间的协同效应是使其具有高催化性能的原因.以Ag2HPW12O40为催化剂,在甲醇/大豆油的物质的量之比为32/1、催化剂用量为6 wt.%、反应温度为150℃、反应时间为20 h条件下,生物柴油产率可达96.4%.  相似文献   
569.
阳鹏宇  张鑫  赖庆仁  车兵辉  陈磊 《力学学报》2021,53(12):3321-3330
等离子体流动控制技术是一种以等离子体气动激励为控制手段的主动流动控制技术. 为了进一步提高等离子体激励器可控机翼尺度, 以超临界机翼SC(2)-0714大迎角分离流为研究对象, 以对称布局介质阻挡放电等离子体为控制方式, 以测力、粒子图像测速仪为研究手段, 从等离子体激励器特性研究出发, 深入开展了机翼尺度效应对等离子体控制的影响研究, 提出了适用于分离流控制的能效比系数, 探索了分离流等离子体控制机理, 掌握了机翼尺度对分离流控制的影响规律. 结果表明: (1)随着机翼尺度的增大, 布置到机翼上的激励器电极长度会相应增加; 在本文的参数研究范围内, 激励器的平均消耗功率不会随电极长度的增加而线性增大; 当电极长度达到一定阈值时, 激励器的平均消耗功率趋于定值; (2)在固定雷诺数的情况下, 随着机翼尺度的增大, 等离子体的控制效果并未降低, 激励器能效比系数提高; (3)等离子体在主流区诱导的大尺度展向涡与在壁面附近产生的一系列拟序结构成为分离流控制的关键. 研究结果为实现真实飞机的等离子体分离流控制, 推动等离子体流动控制技术工程化应用提供了技术支撑.   相似文献   
570.
旋转对流下铜在微沟道中的电沉积   总被引:2,自引:0,他引:2  
将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2~3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.  相似文献   
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