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121.
122.
采用重掺杂的p型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌 (ZnO:B) 和窗口层p型非晶硅碳 (p-a-SiC) 之间的非欧姆接触特性. 通过优化插入层p型微晶硅的沉积参数 (氢稀释比H2/SiH4、硼掺杂比B2H6/SiH4) 获得了较薄厚度下 (20 nm) 暗电导率高达4.2 S/cm的p型微晶硅材料. 在本征层厚度约为150 nm, 仅采用Al背反射电极的情况下,获得了效率6.37%的非晶硅顶电池(Voc=911 mV, FF=71.7%, Jsc=9.73 mA/cm2), 开路电压Voc和填充因子FF均较无插入层的电池有大幅提升.
关键词:
氧化锌
p型微晶硅
非晶硅顶电池
非欧姆接触 相似文献
123.
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-x Gex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子.通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的.在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-x Gex:H薄膜的质量得到提高. 相似文献
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本文研究制备一种由低折射率的SiOx层与高折射率的a-Si层周期性交叠构成的新型一维光子晶体(1D PC)背反射器.研究结果表明,随着SiOx/a-Si交叠周期数的增加,一维光子晶体的反射率逐步提高.当周期数大于3时,在空气中500—750 nm波长范围的平均反射率达到96%.将该一维光子晶体作为背反射器应用于NIP型非晶硅电池(电池结构为玻璃/1D PC/AZO/NIP a-Si:H/ITO),当光子晶体周期为4时,效率达到7.9%,略优于传统的AZO/Ag背反射电极结构电池(7.7%),明显高于不锈钢衬底电池(6.9%),相对效率提升14.5%. 相似文献
125.
126.
上转换发光材料由于低的发光效率,限制了其在太阳电池中的实际应用。为解决此问题,采用溶剂热法制备了LiYF4:Er3+/Yb3+上转换发光颗粒,在LiYF4基质中引入Na+来打破Er3+周围晶体场的对称性,增强其发光性能。研究了Na+掺杂对LiYF4:Er3+/Yb3+的结构、形貌及其发光的影响。结果表明:掺杂的Na+可以裁剪Er3+周围的晶体场,当Na+摩尔分数为15%时,得到了较大的发光增强,绿光和红光发射分别获得4.2倍和2.9倍的增强。Er3+周围晶体场对称性的降低和材料中OH基团的减少是其发光增强的主要原因。 相似文献
127.
如果有人问我:迄今为止,你经历的对你最重要的事情是什么重要和喜欢的事情非常之多:考入名牌大学,加入专业对口的单位,和志趣相投的人结婚,养育聪明可爱的女儿……我可能一时回答不完。但我心里始终知道,有一件事它比什么都重要,因为如果没有 相似文献
128.
Effects of annealing rate and morphology of sol–gel derived ZnO on the performance of inverted polymer solar cells 下载免费PDF全文
The effects of annealing rate and morphology of sol–gel derived zinc oxide(ZnO)thin films on the performance of inverted polymer solar cells(IPSCs)are investigated.ZnO films with different morphologies are prepared at different annealing rates and used as the electron transport layers in IPSCs.The undulating morphologies of ZnO films fabricated at annealing rates of 10 C/min and 3 C/min each possess a rougher surface than that of the ZnO film fabricated at a fast annealing rate of 50 C/min.The ZnO films are characterized by atomic force microscopy(AFM),optical transmittance measurements,and simulation.The results indicate that the ZnO film formed at 3 C/min possesses a good-quality contact area with the active layer.Combined with a moderate light-scattering,the resulting device shows a 16%improvement in power conversion efficiency compared with that of the rapidly annealed ZnO film device. 相似文献
129.
130.
采用热注入的方法在空气氛围中合成PbX(X=S,Se)量子点,液体石蜡和磷酸三丁酯(TBP)作为不同的溶剂优化PbSe量子点的合成;使用六甲基二硅硫烷(TMS)作为硫源合成了第一激子吸收峰在900 ~ 1500 nm分布的PbS量子点.通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和吸收光谱等测试手段对合成的物质进行成分与光学性能分析表征,对比研究了Ⅳ-Ⅵ族化合物量子点在成核过程中的差异.结果表明在相同的实验条件下PbS量子点的反应条件相对温和,量子限域效应明显;而PbSe量子点的合成对环境的要求更加严苛,反应温度更高,量子点的尺寸分布更宽. 相似文献