基于神经网络的大规模联立线性方程的实时解

本文研究了大规模线性方程问题的扰动Hopfield神经网络, 并给出了网络收敛的判别准则. 在一定条件下, 网络的稳态误差一致有界或者收敛于0, 网络具有较好的鲁棒性. 最后数值仿真验证了方法的有效性.     

ZnO薄膜的激光辐照效应研究

研究了KrF准分子激光辐照对ZnO薄膜的本征缺陷.紫外（UV）发光以及表面形貌的影响,并对室温下ZnO的UV发射机理进行了详细探讨.结果表明激光辐照打断了薄膜内Zn—O键,氧空位（锌填隙）增多,导致表面电阻率下降,载流子浓度升高,调节激光辐照能量密度,可在较大范围内调控ZnO薄膜中的施主缺陷浓度;同时在激光热效应作用下,薄膜晶粒熔融长大,表面粗糙度大大降低;室温下ZnO薄膜的UV发光包括自由激子复合发光（FX）及其声子伴线（FX-LO）,缺陷浓度决定了FX与FX-LO的相对强度比,进而影响UV发射峰的强度以及位置.因此,激光辐照可以快速、有效地对ZnO薄膜内的缺陷浓度进行调控,从而控制其室温下的UV发射强度,这对于提高ZnO基光电器件的性能具有重要意义. 关键词： ZnO薄膜 激光辐照 紫外发光 缺陷浓度     

广义Fibonacci-Lucas数中的素数问题

证明了下标为素数p的广义Fibonacci-Lucas数在什么条件下具有形如2p+1或2p-1的素因子.对于广义Fibonacci-Lucas数对应的特征方程X2-PX+Q=0及其判别式D=P2-4Q,只需计算(D/(2p+1))和(Q/(2p+1))的值即可判断相应的广义Fibonacci-Lucas数是否能被2p±1整除.利用这一结果,重新证明了Drobot用初等的方法只对Fibonacci数得到的结论,同时对于Lucas数、Pell数、梅森数等数列亦得出并证明了相似的结论.     

CdTe/CdS量子点荧光探针测定痕量锑

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了CdTe/CdS量子点(QDs),并基于QDs与锑混合后发生荧光猝灭作用,建立了以CdTe/CdS QDs作为荧光探针检测微量锑的新方法。研究表明,在pH值为4.80的柠檬酸-柠檬酸钠中,反应时间为10min时,锑浓度在0.03~2.50μg/mL范围与CdTe/CdS QDs的荧光猝灭程度呈良好的线性关系,相关系数为0.9969,检出限为2.60×10-3μg/mL。     

一种快速调节分光计的方法

在分析分光计结构、合理假设基础上,提出了一种快速调节分光计的方法,该方法不但缩短了学生在课堂上调节分光计的时间,而且使学生加深了对分光计结构的理解。     

基于多形貌银纳米颗粒的多波长相干随机激光研究

采用溶剂热法分别制备了球形银纳米颗粒和多形貌银纳米颗粒,其中球形银纳米颗粒具有400 nm的窄带等离激元共振峰,而多形貌银纳米颗粒的共振区间在400～700 nm之间,将它们分别掺入R6G与PVP的混合溶液中,利用旋涂法在玻璃基板上制备银纳米颗粒嵌入染料掺杂聚合物薄膜随机激光器。采用纳秒脉冲激光进行随机激光泵浦实验,实验结果表明球形银纳米颗粒染料掺杂聚合物薄膜只有自发辐射峰,而多形貌银纳米颗粒染料掺杂聚合物薄膜具有线宽<0.8 nm的相干随机激光发射光谱,其阈值为1.9 mJ·cm-2, 这可能是由于银纳米颗粒的等离激元共振区间与R6G的发射光谱重叠,支持局域等离激元效应的形成,明显的局域场增强有效地改善了与附近分子的相互作用,从而激发了更多的辐射光子,促进了高增益的形成。进一步,利用多形貌银纳米颗粒在银纳米颗粒染料掺杂聚合物薄膜中随机分布的特性,通过改变泵浦位置,实现了20 nm范围内的随机激光输出波长的调控,具体输出范围为590.1～610.4 nm。认为这是由于多形貌银纳米颗粒在不同位置的组成和分布不同,改变了表面等离激元的相互作用和光子的散射能力,从而形成不同的增益效应和不同的封闭光振荡路径。此外,考虑到多形貌银纳米颗粒的共振波长较宽,探究了其用于输出其他颜色光的可能性。以与上述银纳米颗粒R6G染料掺杂聚合物薄膜相似的制备方法,制备了多形貌银纳米颗粒掺杂DCJTB染料聚合物薄膜,并且进行随机激光泵浦实验。结果表明,可以有效的产生波长为675 nm,半高宽<0.8 nm的相干红光随机激光,并且阈值仅为0.98 mJ·cm-2。研究结果在宽带可调谐随机激光器研究以及多色随机激光器研究领域具有重要的参考价值。     

基于Matlab示波器原理的演示

利用Matlab简洁的语句表达方式和强大的绘图能力,实现示波器扫描方式、同步问题和李萨如图形的演示.该研究不但可以帮助学生加深对示波器工作原理理解,同时也可以提高示波器实验教学效果.     

Thick c-BN films deposited by radio frequency magnetron sputtering in argon/nitrogen gas mixture with additional hydrogen gas

The excellent physical and chemical properties of cubic boron nitride(c-BN) film make it a promising candidate for various industry applications. However, the c-BN film thickness restricts its practical applications in many cases. Thus, it is indispensable to develop an economic, simple and environment-friend way to synthesize high-quality thick, stable c-BN films. High-cubic-content BN films are prepared on silicon(100) substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering from an h-BN target at low substrate temperature. Adhesions of the c-BN films are greatly improved by adding hydrogen to the argon/nitrogen gas mixture, allowing the deposition of a film up to 5-μm thick. The compositions and the microstructure morphologies of the c-BN films grown at different substrate temperatures are systematically investigated with respect to the ratio of H_2 gas content to total working gas. In addition, a primary mechanism for the deposition of thick c-BN film is proposed.     

薄板挠曲型光纤Bragg光栅土压力传感器设计与分析

根据土压力传感器与土介质的匹配原则,设计了一种圆平膜片薄板挠曲型FBG土压力传感器。通过在圆膜片上设计一组对称的光栅固定柱,有效避免了传感器在使用过程中产生谱峰分裂。同时,利用光栅固定柱张角引起的应变效应,大幅度地提高了传感器的压力灵敏度。理论分析了该结构的增敏机理并给出传感器灵敏度公式,计算结果表明,传感器的压力灵敏度可达1 374.3 pm/MPa。使用ANSYS建立薄板挠曲的有限元模型,通过提取固定柱中心点处在光纤方向上的位移,获得了有限元模型的压力灵敏度为1 360.8 pm/MPa。有限元分析和理论设计结果的相对误差为0.98%,具有很高的一致度,验证了理论设计和分析的正确性。     

Influences of KrF laser irradiation on the structure and luminescence of ZnO single crystal

<正>In this paper,we investigate the laser irradiation of ZnO single crystals and its influence on photoluminescence.Our study shows that the photoluminescence of ZnO single crystals strongly depends on surface morphologies.The ultraviolet emissions of laser treated-ZnO under 200 mJ/cm~2 become stronger,whereas for those deteriorated by irradiation above 200 mJ/cm~2,the green emissions centred at 2.53 eV are significantly enhanced with a red-shift to 2.19 eV,probably due to the changes in the charge states of the defects.Enhanced yellow-green emissions are well resolved into four peaks at around 1.98,2.19,2.36,and 2.53 eV due to a shallow irradiation depth.Possible origins are proposed and discussed.