LD泵浦Nd:YAG/LBO蓝光激光器的低噪声运转

观察了LD泵浦Nd:YAG晶体,I类临界相位匹配LBO晶体腔内倍频的473nm蓝光激光器的噪声特性,指出蓝光噪声主要来自于不同纵模的相互耦合,并用双折射滤光片技术实现了全固态蓝光激光器的低噪声稳定运转在1.3W的泵浦功率下,获得了58mW的蓝光低噪声稳定输出.     

诡辩一则--对数值是存在还是不存在

题目　已知实数 a、b满足 a + b =- 1 0 0 ,ab=1 ,问 lga2b+ lgb2a与 lg( 1a+ 1b)的值存在吗 ?若存在求出值来 ,若不存在请说明理由 .解　 lga2b+ lgb2a与 lg( 1a+ 1b)的值均存在 .lga2b+ lgb2a =lg( a2b .b2a) =lg( ab)=| lg1 | =0 ,或　 lga2b+ lgb2a =lga2 - lgb + lgb2 - lga=2 lga - lgb + 2 lgb - lga =lga + lgb =lg( ab) =0 .lg( 1a + 1b) =12 lg( 1a + 1b) 2 =12 lg( a + bab ) 2 =12 lg1 0 0 2 =12 × 4 =2 .诡辩揭密由已知条件 a+ b=- 1 0 0 <0 ,ab=1 >0可知 :实数 a、b均为负数 .从而　 a2b<0 ,b2a <0 ,1a + 1b <0 ,所以 lga2b+…     

一般中子输运方程的随机模拟方法

中子输运方程的随机摸拟方法在许多著作中部有研究,但它们所考虑的中子输运方程都与时间t无关,在所述的随机模拟法中都未给出具体的使用方案。本文将考虑更一般的中子输运方程     

Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图的研究

本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li₃VO₄,Li₄SiO₄的相变过程,Li₃VO₄-Li₄SiO₄,Li₃O₄-Li-4GeO₄赝二元系相图以及Li₃VO₄-Li₄SiO₄-Li₄GeO₄赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li₃VO₄-Li₄SiO₄,Li₃VO₄-Li₄GeO₄赝二元系中,由于Li₄SiO₄或Li₄GeO₄的加入而使Li₃VO₄的高温γ_II相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。 关键词：     

GaAs,GaP中的深杂质能级

1、前言 对于半导体中深杂质能级的研究,近年来又重新活跃起来了。尤其是GaAs、GaP等发光材料中的深杂质能级,它决定发光效率的老化特性,对器件应用也很重要。同时由于深杂质能级同晶体缺陷(主要是点缺陷)之间有关系,也是表征晶体质量的参数之一。相对过去只用浅杂质浓度和迁移率来评价晶体的电学特性来说,深杂质能级的测定将会成为今后估价晶体的有力手段,因此,有必要建立可靠而简单的测量方法。 有关深杂质能级的理论研究固体物理领域中很早就进行过,但也有很多不清楚的地方。特别是有关半导体中陷阱中心的量子力学性质还很不清楚。目前还没有关于某些中心是发光还是非发光的理论论述。有关陷阱的中心理论是五十年代碱卤化物中的色心特性,特别是关于     

用代数扩张概念来看根式化簡問题

在《数学通报》1964年第1期上,作者撰写了“关于二次最简根式的问題”一文,并且指出了二次最简根式,…,的有理系数多项式f进一步简化的可能性。但此处所谓简化,是指简化成几个二次最简根式的另一有理系数多项式g,而g比f含有较少的项。超过这个范围,即非所论及。我们自然可以提出一个更一般的问題:设f是最简根式,…,的有理系数多项式,问是否存在最简根式,…,的有理系数多项式g,g等于f但比f含有更少的项?本文只讨论属于这个问题的一个方面,就正于读者。在以下,所谓线性相关、线性无关、线性组合等等,如无特别声明,乃指以有理数为系数;并且以R代表有理数体。为以后讨论之用,先将高等代数中一个关于代数扩张的重要定理叙述如下(証明从略):     

用光束偏折法测光纤预制棒的折射率分布

<正> 折射率的分布是光纤的重要测量参数之一,其测量的方法甚多。近年来,对于光纤的折射率分布的非破坏性测量已进行了不少工作。本文采用“光束偏折法”进行非破坏性测量,共分二部分。第一部分是测定预制棒包皮的折射率值,第二部分是对没有包皮的预制棒     

碘酸盐的晶体结构与热力学性质——(Ⅰ)碘酸盐的晶体结构特点

本文根据作者等人的实验结果并结合文献报导的数据,综述了碘酸盐及其复盐的晶体结构特点和分类。对α-LiIO_3,Li_2H(IO_3)3,Mg(IO_3)_2,Mg(IO_3)_2-LiIO_3固溶体,Zn(IO_3)_2等晶体结构变迁的情况进行了分析。阐述了由于空位数量和分布的不同,以及阳离子性质(电价、离子极化能力和离子半径等)的不同,晶格场发生变化,引起了IO_3~-在不同方向和不同程度的移动或转动,因而有可能在不同方向上形成不同程度的各种畸变型结构和超结构。     

采用交流电阻法测量超导转变温度T_c——连续超导体出现多相转变台阶

本文介绍了一种高灵敏度的交流电阻法测量超导体转变温度T_c的实验装置,该装置使用交流调制讯号和锁相放大器.实验结果表明:使用该方法不仅能测量原来直流电阻法难以测量的截面较大的包铜钱材样品,而且能测出连续多相超导样品中的各相T_c.如原位法Nb_3Sn的T_c有三个转变台阶,青铜法稳定化Nb_3Sn有二个转变台阶,铅-铌并联模拟多相超导样品也有二个转变台阶。其转变曲线中各相转变台阶的幅值与各相的相对含量成一定的比例关系,曲线不是单调函数,在T_c前的曲线呈明显的负阻.用该方法测得的T_c值与直流电阻法和电感法所测得的T_c值完全一致.     

LiIO3-Zn(IO3)2 赝二元系的研究

用固态粉末烧结法配制样品,用X射线衍射及差热分析等方法研究并测定了LiIO₃-Zn(IO₃)₂赝二元系的相图。该二元系内存在一新相LiZn(IO₃)₃。它有较大的倍频效应,具有离子导电性。用自编的由粉末衍射数据求单斜晶系的点阵参数的计算机程序成功地求出了该化合物的点阵常数。经过进一步修正,确定它属于正交晶系,α=8.08l?,b=8.729?,c=11.595?,z=4。并确定了化合物存在的成分范围和条件。 关键词：