铟硼磷酸盐结构中的交叠生长规律研究(英)

Ｓｅｖｅｒａｌ ｉｎｄｉｕｍ ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｒｅｐｏｒｔｅｄ ｒｅｃｅｎｔｌｙ, ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ＫＩｎ[ＢＰ_２Ｏ_８(ＯＨ)](Ⅰ) ａｎｄ ＮａＩｎ[ＢＰ_２Ｏ_８(ＯＨ)](Ⅱ)． Ｔｈｅ ｌａｔｔｅｒ ｔｗｏ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ｗｅｒｅ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｕｎｄｅｒ ｍｉｌｄ ｈｙｄｒｏｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ, ａｎｄ ｈａｖｅ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｍｏｌａｒ ｒａｔｉｏ (Ｍ^Ⅰ∶Ｉｎ∶Ｂ∶Ｐ∶Ｏ∶Ｈ) ｉｎ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｆｏｒｍｕｌａ ｂｕｔ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｔｙｐｅｓ． Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ⅰ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｔｒｉｃｌｉｎｉｃ ｓｙｓｔｅｍ ｗｉｔｈ ｓｐａｃｅ ｇｒｏｕｐ P1 (Ｎｏ．２), ａ＝０．５２６３８(４) ｎｍ, ｂ＝０．８４７９１(５) ｎｍ, ｃ＝０．８１４６９(９) ｎｍ, α＝９１．１７４１(７) °, β＝９３．０６１(７) °, γ＝７９．８２３(５) °, Ｖ＝０．３５７３ ｎｍ^３, Ｚ＝２; ｗｈｉｌｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ⅱ ｐｏｓｓｅｓｓｅｓ ａ ｍｏｎｏｃｌｉｎｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗｉｔｈ ｓｐａｃｅ ｇｒｏｕｐ Ｐ２_１／ｎ (Ｎｏ．１４) ｗｉｔｈ ａ＝０．５１７７(１) ｎｍ, ｂ＝１．６８１５(３) ｎｍ, ｃ＝０．７６８４(２) ｎｍ, β＝９４．１０(３) °, Ｖ＝０．６６７２(２) ｎｍ^３, Ｚ＝４． Ｅｉｇｈｔ-ｍｅｍｂｅｒｅｄ-ｒｉｎｇ ａｎｄ ｓｉｘ-ｍｅｍｂｅｒｅｄ-ｒｉｎｇ ａｒｅ ｆｏｒｍｅｄ ｂｙ ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｂｏｒａｔｅ, ｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｔｅｔｒａｈｅｄｒａ ａｎｄ Ｉｎ-ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ ｏｃｔａｈｅｄｒｏｎ ｓｈａｒｉｎｇ ｃｏｒｎｅｒｓ ｖｉａ ｃｏｍｍｏｎ ｏｘｙｇｅｎ ａｔｏｍｓ ｉｎ ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ⅰ ａｎｄ Ⅱ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ． Ｔｈｅ ｐｏｌｙｈｅｄｒａ ｉｎ ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｒｅ ｏｒｉｅｎｔｅｄ ａｌｏｎｇ ｃｅｒｔａｉｎ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｔｏ ｆｏｒｍ ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒｅｄ ｆｒａｇｍｅｎｔｓ． Ｔｈｅｓｅ ｔｗｏ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｔｙｐｅｓ ｃａｎ ｂｅ ｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄ ａｓ ｉｎｔｅｒｇｒｏｗｔｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ, ｗｈｉｃｈ ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｌａｙｅｒｅｄ ｆｒａｇｍｅｎｔｓ ｇｒｏｗｉｎｇ ｉｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｓ． Ｏｔｈｅｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｎｔｅｒｇｒｏｗｔｈ ｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｉｅｓ ａｒｅ ａｌｓｏ ｅｘｐｅｃｔｅｄ ｉｎ ｓｉｍｉｌａｒ ｓｙｓｔｅｍｓ． ＣＳＤ: Ⅰ, ４０９５８３; Ⅱ, ４１３３４３．     

Mechanical Properties and Anisotropy in PbWO4 Single Crystal

The mechanical properties of PbWO4 （PWO） crystals grown by the vertical Bridgman method are systematically investigated using the microindentation technique. In the present work, the Vickers microhardness Hν, fracture toughness Kc, yield strength σy and friability index Bi of PbWO4 crystals are measured. The Vickers microhardness Hν on the （100） wafer is about 140 MPa, which means that PWO is a little soft＇＇ scintillator. The anisotropy of mechanical properties is also investigated under a steady load of 0.5 kg. The （100） wafer of the crystal exhibits combined mechanical properties more excellent than those of （111） and （001） wafers, and the values of Kc, σy, and Bi are 0.538 MPa＆#12539;m1/2, 51.11 kg/mm2 and 284.96 νm-1/2, respectively.     

稀土正硼酸盐的晶体结构与温(压)致相变研究

稀土正硼酸盐(REBO3)晶体是一类潜在的紫外发光和非线性光学应用方面的材料,其中方解石结构的LuBO3:Ce3+晶体的光输出可达到26000 Ph·Mev-1,几乎是BGO(Bi4Ge3O12)的3倍,是PbWO4的135倍,并且该晶体表现出显著的闪烁特性和物力稳定性,例如快的衰减时间(~33 ns)及不易潮解等;但是由于方解石结构相、球霰石结构相以及高温球霰石结构相间存在相变反应,使得大尺寸的纯LuBO3单晶难于生长。因此,在晶体的生长过程中迫切需要明确各结构间的相互关系,并且为了进一步优化和拓展其应用空间,还需要深入了解其组成-结构-性能的相互关系。主要对各种稀土正硼酸盐的晶体结构和结构间的转变进行了总结与分析。     

ELECTRONIC STRUCTURES AND GEOMETRY OF THE Al12Si CLUSTER SOLID

The electronic structures and geometry of a solid assembled out of cubic close packing of Al₁₂Si clusters have been studied with an ab initio pseudopotential method and within the local density functional theory. Both the lattice constant of the solid formed and the atomic geometry of the clusters in it have been optimized through the ab initio method without adjustable variables. Our results show that the crystal composed of Al₁₂Si clusters is a metal rather than a semiconductor. Interactions between Al₁₂Si clusters in the solid are strong and the clusters are no longer inert under crystal field.     

稀土化合物RE(HCO2)3(HNO2)的合成与表征

合成了系列新化合物ＲＥ（ＨＣＯ２）３（ＨＮＯ２）（Ｈ２ＣＯ２）（ＲＥ＝Ｙ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｙｂ,Ｔｍ）,用Ｘ射线方法表征了其结构。单晶结构分析表明此新类型的结构为正交晶系且具有非中心对称空间群（２０）Ｃ２２２１,晶体结构为三维网络结构,结构的...     

基于ZnO:In纳米棒阵列的X射线闪烁转换屏制备与性能研究

为了满足高能物理和核物理领域在探究一些超快物理事件时,对兼顾高时间和高空间分辨的X射线闪烁转换屏的迫切需求,本文利用磁控溅射和水热反应法制备了ZnO:In纳米棒阵列X射线闪烁转换屏,并对其进行氢气氛下的等离子处理优化其闪烁发光性能.X射线激发发射谱显示ZnO:In纳米棒阵列具有395 nm的紫外发光和450—750 nm的可见发光两个发光峰,同时表明氢气氛等离子体处理可显著增强ZnO:In纳米棒阵列的紫外发光,抑制其可见发光.发光衰减时间测量表明,ZnO:In纳米棒阵列紫外发光衰减时间在亚纳秒级,其可见发光衰减时间在纳秒级,两者均可满足高时间分辨的X射线探测需求.在上海同步辐射光源的X射线空间分辨率测试表明,在能量为20 keV的X射线光束辐照下,厚度为12μm的ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏可达到1.5μm的系统空间分辨率.本研究表明利用ZnO:In纳米棒阵列作为X射线闪烁转换屏是实现兼顾高时间和高空间分辨的X射线探测与成像的一种可行方案.     

Si对LaNi5相关系与贮H2性能的影响

本文用X射线多晶衍射方法和差热分析方法研究了LaNi_5-xSi_x(x≤1.25)的相关系,用排水取气法测量了样品的吸H₂性能,LaNi₅,的固溶体和新的三元化合物LaNi₄Si形成共晶体系,共晶温度1170℃,共晶点x=0.96,在单相区中LaNi₅,相点阵常数随Si替代量增加,a减小,c增大,三元化合物LaNi₄Si属正交晶系,点阵常数a=8.382?,b=5.210?,c=3.989?。测量密度D₀=7.59g/cm³,每单胞含两个化合式单位,可能的空间群为D_2h⁵,C_2v²和C_2v⁴,它具有可逆的吸放H₂性能,吸H₂后形成氢化物LaNi₄SiH_3.6。La_1-ySi_yNi,系列样品吸H₂量随Si含量增加而很快下降,LaNi_5-xSi_x系列样品吸H₂量随Si含量的增加稍略下降,平台压力也下降,LaNi_4.8Si_0.2的生成自由能为476cal/molH₂,固溶体氢化物的稳定性比LaNi₁高。 关键词：     

MBiO2Cl(M=Ca，Sr，Ba)材料的合成、能带计算及发光性能研究

采用固相合成方法制备出CaBiO₂Cl,SrBiO₂Cl和BaBiO₂Cl粉体,研究了该Sillen系列铋基氧卤化合物的光学带隙、电子结构及发光性能.基于密度泛函理论计算表明,SrBiO₂Cl和BaBiO₂Cl均为直接带隙半导体材料,与吸收光谱实验结果相符合.在X射线和紫外光激发下三者均具有宽的可见光发射带(400—550nm),尤其是BaBiO₂Cl粉体的光输出强度约为Bi 关键词： 光致发光 电子结构 Sillen化合物     

MBiO2Cl(M=Ca,Sr,Ba)材料的合成、能带计算及发光性能研究

采用固相合成方法制备出CaBiO2Cl,SrBiO2Cl和BaBiO2Cl粉体,研究了该Sillen系列铋基氧卤化合物的光学带隙、电子结构及发光性能.基于密度泛函理论计算表明,SrBiO2Cl和BaBiO2Cl均为直接带隙半导体材料,与吸收光谱实验结果相符合.在X射线和紫外光激发下三者均具有宽的可见光发射带(400-550 nm),尤其是BaBiO2Cl粉体的光输出强度约为Bi4Ge3O12(BGO)粉体光输出强度的1.4倍,并且具有更短的衰减时间,发光衰减时间的主要部分为100 ns(22%)和300 ns(41%),而BGO粉体的主要衰减时间为300 ns(75%).实验分析表明,该化合物发光性能与晶体结构中Bi-O(Cl)键长及碱土金属离子的半径相关.同时BaBiO2Cl具有较大的密度(6.98 g/cm3,因此它是一种具有潜在应用价值的闪烁材料.     

REGaSi的合成、结构及Ga-Si成键网络

用电弧熔炼法合成了系列化合物ＲＥＧａＳｉ,采用粉末Ｘ射线衍射方法测定了化合物ＳｍＧａＳｉ的晶体结构,获得其晶体学及结构修正参数为;四方晶系,ＬａＰｔＳｉ类型,（１０９）Ｉ４１ｍｄ,Ｍｒ＝２５０．０,ａ＝０．４１３４（３）ｎｍ,ｃ＝１．４２２（２）ｎｍ,Ｖ＝０．２４３０（５）ｎｍ＾３,Ｚ＝４,Ｄｘ＝６．４６４ｇ．ｃｍ＾－３,Ｆ（０００）＝４２８,Ｔ＝２９６Ｋ。