化学还原法制备纳米级Ag粉高分子保护机理研究

本文研究了化学还原法制备纳米级Ag粉的高分子保护机理, 实验结果显示聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)能有效地阻止颗粒团聚并降低Ag晶粒尺寸, 得到近单分散200nm以下的Ag粉。PVP的保护机制为: 第一步, PVP与Ag^+形成配位键。第二步,配位键促进Ag颗粒成核。第三步, 形成大量小晶核使Ag颗粒平均尺寸减小, 而PVP吸附在Ag颗粒表面形成位阻效应阻止了颗粒团聚。     

近失速状态下压气机静子通道内的三维流动

本文综合运用体式激光粒子图像测速技术和油流显示技术研究了近失速状态下压气机静子通道内部的复杂三维流动,建立了静叶通道内部三维流动结构模型,并分析了典型流动结构的产生、发展和演化机制.实验结果表明,在近失速状态,近叶通道出现了两个截然不同的分离区-吸力面近机匣角区分离(7%～50%弦长,闭式分离)和吸力面近轮毂角区分离(50%弦长以后,开式分离),以及一些复杂的流向旋涡流动结构.     

波动方程解的Poisson公式的降维问题

利用微元法从三维和二维波动方程的Cauchy问题的Poisson公式解得到一维波动方程的Cauchy问题的D’Alembert公式解.     

焙烧处理下二氧化钛/钛酸盐纳米材料晶型和形貌的变化规律研究

通过调控酸碱浓度, 在水热条件下得到了金红石、锐钛矿、板钛矿、钛酸钠等一系列TiO₂/钛酸盐产物. 对上述TiO₂、酸洗处理后的钛酸盐等一系列不同晶型、不同形貌的样品进行焙烧处理, 系统性地研究焙烧温度的逐渐升高对产物晶型转变和形貌演化的规律性影响. 给出了水热酸碱浓度以及焙烧温度两个因素与TiO₂/钛酸盐纳米材料晶型和形貌变化行为关系的二维示意图. 依据奥斯特瓦尔德阶梯规则、经典热力学理论以及定向附着生长机理, 对TiO₂/钛酸产物的晶型晶体生长、晶型转变和形貌演化机理进行了探讨.     

2-[(4-氯苯基亚氨基)甲基]-8-羟基喹啉质子转移的理论研究

研究了2-[(4-氯苯基亚氨基)甲基]-8-羟基喹啉的三种质子转移途径: 分子内质子转移、水分子辅助质子转移和甲醇分子辅助质子转移. 以该席夫碱化合物的晶体结构作为模型, 在B3LYP/6-31＋G(d)水平上, 优化得到稳定态和过渡态的几何构型. 对三类质子转移前后的结构、能量、红外光谱、化学位移进行研究, 结果表明水分子辅助质子转移和甲醇分子辅助质子转移中, 水和甲醇分子利用氢键作用参与质子转移过程, 形成七元环状过渡态, 大大降低了反应的能垒, 有利于质子的转移, 氢键在降低活化能方面起着重要作用.     

参数可控长距无衍射光束的生成方法研究

为了消除光学器件几何参数对无衍射光束传播特性调整的限制,实现长距空间中无衍射光束传播时特性参数的可控性,首先,通过研究axicon折射阴影区的电场分布特征,发现axicon无衍射区外过临界面后的近轴区域虽处于几何折射阴影近轴区域内,但仍存在光强服从第一类零阶贝赛尔函数分布的球面波;以此为基础,提出了一种不受传播空间距离限制的无衍射光束的生成方式;最后,在近12 m的尺度范围内进行无衍射光传播特性参数测试,发现其实验参数与理论计算值的差值不超过0.1μm。该无衍射光通过对第一类零阶贝塞尔函数分布的球面衍射光斑准直生成,本质上区别于传统的干涉无衍射光束生成方式,易于生成大尺度空间无衍射光束。该无衍射光生成方式适合用于非能量使用情况下大尺度空间的直线基准、光束空间通讯等领域,具有较大的价值与意义。     

Characteristic improvements of thin film AlGaInP red light emitting diodes on a metallic substrate

We report a type of thin film Al Ga In P red light emitting diode(RLED) on a metallic substrate by electroplating copper(Cu) to eliminate the absorption of Ga As grown substrate.The fabrication of the thin film RLED is presented in detail.Almost no degradations of epilayers properties are observed after this substrate transferred process.Photoluminescence and electroluminescence are measured to investigate the luminous characteristics.The thin film RLED shows a significant enhancement of light output power(LOP) by improving the injection efficiency and light extraction efficiency compared with the reference RLED on the Ga As parent substrate.The LOPs are specifically enhanced by 73.5% and 142% at typical injections of 2 A/cm~2 and 35 A/cm~2 respectively from electroluminescence.Moreover,reduced forward voltages,stable peak wavelengths and full widths at half maximum are obtained with the injected current increasing.These characteristic improvements are due to the Cu substrate with great current spreading and the back reflection by bottom electrodes.The substrate transferred technology based on electroplating provides an optional way to prepare high-performance optoelectronic devices,especially for thin film types.     

新型P－N－Si无卤阻燃剂的合成及其在棉纤维中的应用

以二氯磷酸苯酯(1)和γ-氨丙基三乙氧基硅烷(2)为原料,合成了一种新型的P－N－Si三元无卤阻燃剂--苯氧基-双-(三乙氧基硅丙基)磷酰胺(3),其结构经¹H NMR, ³¹P NMR和FT-IR表征。研究了溶剂,反应温度,反应时间,投料比r［n(2) : n(1)］和缚酸剂对3产率的影响。结果表明:在最佳合成条件［THF为溶剂,三乙胺为缚酸剂,1 8 mmol, r=2.4,于40 ℃反应6 h］下, 3的产率为88.2%。利用TGA测试了3的阻燃性能。结果表明：3的初始分解温度为150 ℃, 600 ℃残炭为14.6%。3在棉纤维(c)中的添加量为15%(质量百分数,即c-3¹⁵)时,600 ℃残炭为33.4%,高于c(7.6%)。     

利用脱硫石膏制备高品质二水石膏

利用脱硫石膏在酸性溶液中重结晶的特点,采用重结晶技术对脱硫石膏进行脱色提纯,通过对溶解、结晶过程的控制制备出高纯度、高白度的二水石膏.研究了硫酸浓度、晶种量、料浆浓度、稳定剂、温度、反应时间、陈化时间对二水石膏结晶的影响,并进行了母液循环实验.研究结果表明:常压下,H2SO4用量10.0;,Ca(OH)2用量0.5;,料浆浓度7.4;,聚乙二醇用量0.5;,反应温度120℃,反应时间2.5h,陈化24h后生成的二水硫酸钙结晶形貌良好,白度为94.01;,纯度达99.24;;母液循环3次后生成的二水石膏纯度大于98;.     

Carrier transport in III–V quantum-dot structures for solar cells or photodetectors

According to the well-established light-to-electricity conversion theory,resonant excited carriers in the quantum dots will relax to the ground states and cannot escape from the quantum dots to form photocurrent,which have been observed in quantum dots without a p–n junction at an external bias.Here,we experimentally observed more than 88% of the resonantly excited photo carriers escaping from In As quantum dots embedded in a short-circuited p–n junction to form photocurrent.The phenomenon cannot be explained by thermionic emission,tunneling process,and intermediate-band theories.A new mechanism is suggested that the photo carriers escape directly from the quantum dots to form photocurrent rather than relax to the ground state of quantum dots induced by a p–n junction.The finding is important for understanding the low-dimensional semiconductor physics and applications in solar cells and photodiode detectors.