WEAK QUANTUM FLUX CREEP AND STRONG PINNING IN THE NEW SUPERCONDUCTOR MgB2

The newly discovered superconductor MgB₂ has a transition temperature T_c of about 40 K, which is touching the upper line of that predicted by the phonon-mediated Bardeen--Cooper--Schrieffer (BCS) theory. It is interesting to investigate the flux creep in MgB₂ and compare it with other superconductors. We have measured the magnetization relaxation of MgB₂ sintered at high temperature and high pressure. It is found that the quantum tunnelling and the thermally activated flux creep are very weak, implying a strong pinning in this material.     

巨磁阻Mn氧化物中小极化子的直接观察

巨磁阻系列材料Ｌａ（Ｃａ）ＭｎＯ３和Ｐｒ（Ｃａ）ＭｎＯ３在低温下进入电荷有序态。利用低温电子显微镜观察,对定域化载流子（空穴）引起的结构转变进行了特征化,发现了一系列复杂的微结构现象。特别重要的是,在低温下出现的一个调制结构,它表现出一些奇特的温度变化性质。进一步分析表明,这个调制结构和小极化子有序化状态相结应。     

Y1—xPrxBa2Cu3O7系统的低温电子比热的研究

我们对Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７（Ｘ＝０．２，０．４５，０．６）样品的比热进行研究，发现在这个系统中比热线性项系数非常，呈现出重费米子的特下，并且不同温区其数值亦不同，比热的结果表明Ｐｒ离子在这个系统中基本上处于＋３价，对实验数据进行了仔细分析，我们认为比热线性项增大是源于Ｐｒ离子掺入后这个系统中出现了Ｋｏｎｄｏ效应以及由此而产生的空穴局态，也正是局域态的出现，导致了金属绝缘体转变，同时导致了     

Y1-xPrxBa2Cu3O7+δ的红外反射谱

测量了温度范围为4.2—300K的Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa₂Cu₃O_7+δ中已被判定为Y模的位于194cm^-1的反射峰的位置与Pr的含量无关,即用Pr部份或全部替代Y时此峰不发生频移。建议Pr在Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ,中是正4价,Pr的替代使原来可移动的空穴被定域在Pr的周围,使超导电性受到压制。 关键词：     

准静水冷压处理后的Bi0.8Pb0.2SrCaCu2Ox超导材料

着重讨论了准静水冷压对Bi系高温超导材料超导电性的影响,并分析了经冷压-退火处理后超导电性的改善情况。准静水冷压处理后,Bi系超导材料晶粒间界连接发生显著退化,晶粒内部产生大量缺陷,由此导致了宏观超导电性的退化。冷压造成了体密度的极大提高和一定的晶粒择优取向。这些现象主要是由于准静水压下剪切应力的作用。退火后,晶界连接得到很大加强,部分缺陷消失或形成堆错使材料各项性能均获改善。J_c(77K,零场)较初始样品有大幅度提高,达约1600A/cm²。此外还考察了静水压 关键词：     

YBaCuO超导体中211相的控制及其行为研究

本研究了区域熔炼温度、化学配比对ＹＢａＣｕＯ超导体中２１１相含量的影响，用磁滞回线测量法估算了样品的临界电流密度与样品中２１１相含量的关系，总结出ＹＢａＣｕＯ超导体中起钉孔中心作用的２１１相含量的最佳值。     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

一种新的非晶态超导合金Ti_80Pd_20

用悬浮熔炼液相高速淬火方法制备出了一种新的非晶态超导合金Ti_(80)Pd_20.热分析确定其晶化温度T_cr为976℃.玻璃转变温度T_g为550℃,低温测试表明其非晶相的超导转变温度T_c为2.1K。     

复合颗粒超导体的壳层模型

本文提出了描述复合颗粒超导体的壳层模型.此模型把复合颗粒分为壳层和内核两部分来处理。根据解非均匀体系Eliashberg方程的结论,对两部分谱函数进行权重相加,用对弱强耦合超导体都适用的Louie和Cohen临界温度T_c的公式,计算了Pb,Sn,In等不同尺寸复合颗粒的T_c。计算结果与实验基本符合。与已有的理论计算不同,我们的计算给出了Pb的T_c随尺寸减小而下降的结果。 关键词：     

不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究

本工作研究了仅改变基片温度而其它条件不变的溅射Nb_3Ge膜的性能.通过对样品的Tc、H_(c2)(T)、R(T)的测量,给出在一定条件下基片温度与溅射Nb_3Ge膜的Tc及H_(C2)(0)的关系.发现:存在一生成高Tc、高H_(c2)(0) Nb_3Ge薄膜的最佳温区(800—810℃);△Tc随磁场增加而展宽;溅射Nb_3Ge膜的电阻率ρ(T)在Tc(?)T<65K温区中服从:ρ(T)=α bT~2规律,且与基片温度无关.