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151.
Three novel vanadium selenites with the formulae [(VO2)(1,10-phenanthtoline)(SeO3H)]2 1, [(VO2)(2,2′-bipyridine)]2(SeO3) 2 and [(VO)(H2O)(SeO3)2]2(HaEDD) 3 (EDD = N1,N1′-(ethane-1,2-diyl)diethane-1,2-diamine) were hydrothermally synthesized, and characterized with elemental analysis, FT-IR spectrum, Raman spectrum, TG-DTA analysis, EPR spectra, and single-crystal X-ray diffraction analysis. Compound I belongs to the triclinic system, space group P1^- with a = 7.7527(5), b = 9.5345(10), c = 9.8192(8) A^°, α = 92.712(3), β = 105.540(3), γ = 108.154(4)°, V = 657.66(1) A^°^3, Mr = 782.22, Z = 1, F(000) = 384,μ(MoKa) = 3.544 mm^-1, R = 0.0432 and wR = 0.1142; Compound 2 is of orthorhombic system, space group F212121 with a = 7.6574(15), b = 14.916(3), c = 19.085(4) A, V = 2179.8(8) Aa, Mr = 605.21, Z = 4, F(000) = 1200, μ(MoKa) = 2.579 mm^-1, R = 0.0338 and wR = 0.0658; Compound 3 belongs to the triclinic system, space group P1^- with a = 9.247(2), b = 9.659(2), c = 7.2651(19) A^°, α = 98.171(7), β = 103.709(5), γ = 114.712(13)°, V = 550.9(2) A^°^3, Mr = 828.03, Z = 1, F(000) = 400, μ(MoKa) = 7.537 mm^-1, R = 0.0641 and wR = 0.2118. Compound 1 is constructed from alternating corner-shared [VO4N2] octahedra and SeO3H units, forming a dimeric vanadium unit. These assemblies are further linked into an infinite chain via hydrogen bonds along the a axis. In the structure of 2, two distinct V centers form centrosymmetric [V2O6N4] clusters through edge-sharing, and the SeO3 unit serves as a capping unit to fix the oxovanadate cluster. In the structure of 3, each [VO6] octahedron shares four oxygen atoms with adjacent Se atoms, while every SeO3 unit shares two oxygen atoms with neighboring V atoms. This connectivity of alternating VO6 and SeO3 units results in a joint-like chain. Based on the TGA analysis, these three compounds are thermally stable under 200℃ . 相似文献
152.
本文研究了150 ℃, 1.0× 104 A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响. 回流后在solder/Ni和solder/Ni-P的界面上均形成(Cu,Ni)6Sn5类型金属间化合物. 时效过程中两端界面化合物都随时间延长而增厚, 且化合物类型都由(Cu,Ni)6Sn5转变为(Ni,Cu)3Sn4. 电迁移过程中电子的流动方向对Ni-P层的消耗起着决定性作用. 当电子从基板端流向芯片端时, 电迁移促进了Ni-P层的消耗, 600 h后阴极端Ni-P层全部转变为Ni2SnP层. 阴极界面处由于Ni2SnP层的存在, 使界面Cu-Sn-Ni三元金属间化合物发生电迁移脱落溶解, 而且由于Ni2SnP层与Cu焊盘的结合力较差, 在Ni2SnP/Cu界面处会形成裂纹. 当电子从芯片端流向基板端时, 阳极端Ni-P层并没有发生明显的消耗. 电流拥挤效应导致了阴极芯片端Ni层和Cu焊盘均发生了局部快速溶解, 溶解到钎料中的Cu和Ni原子沿电子运动的方向往阳极运动并在钎料中形成了大量的化合物颗粒. 电迁移过程中(Au,Pd,Ni)Sn4的聚集具有方向性, 即(Au,Pd,Ni)Sn4因电流作用而在阳极界面处聚集. 相似文献
153.
将丙氨酸水杨醛Schiff碱铬(III)配合物嫁接到了介孔分子筛MCM-41上,并利用FTIR、UV-Vis、XRD、N2吸附和元素分析对所制备的非均相配合物结构进行了表征.以30%的H2O2为氧化剂,考察其对苯乙烯环氧化反应的催化性能.结果表明,均相配合物非均相化后,其催化活性明显提高.在较优的反应条件下,苯乙烯转化率可达75.5%,此时苯基环氧乙烷的选择性为68.5%,且该非均相催化剂重复使用四次后仍保持较高的催化活性. 相似文献
154.
155.
一类基于ENO插值的守恒重映算法 总被引:5,自引:3,他引:2
在大变形流体力学问题的数值模拟中,常常会涉及到计算网格的重分.基于不同网格的物理量传递便是所谓的重映技术.基于ENO插值的思想,发展了一类适用于任意网格的ENO守恒重映算法,并给出了数值结果. 相似文献
156.
157.
城市建筑风格作为表述城市风貌的主因子,其论定存在模糊性和主观性.本文在建立多因子加权数学模型的基础上,通过建筑风格的影响因子择取、因子权重赋值、加权综合叠加等步骤确定城市建筑风格.以台州玉环城市建筑风格研究进行实例佐证,表明该方法能够适应城市设计与建设的需求,并具有较强的可操作性. 相似文献
158.
159.
应用矩阵的初等变换得到了完全五部图的 Seidel 多项式,并给出了完全五部图是S-整图的一个充分必要条件。进一步刻画了完全正则五部图和两类特殊完全五部图的Seidel谱。 相似文献
160.
针对基金的投资组合问题,提出了两阶段分析法:将原始成分股的波动分析与基金组合的分析分离,并以此提出了最大联合熵优化模型.通过Copula熵与联合熵之间的联系,建立了两者之间的转化关系,提出了基于Copula熵的研究方法.由于基金类的金融产品在我国属于新兴金融产品,且缺少其本身的历史数据作为投资参考,方法可以帮助投资者通过成分股信息分析基金组合,并构建适当的投资策略. 相似文献