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81.
利用abinitio计算方法研究了AsF6-阴离子和M AsF6-(M =Li ,Na ,K ,Rb 和Cs )直接接触离子对的结构和光谱行为。结果表明,具有C3V结构三齿相互作用的M AsF6-最稳定,二齿配位的结构只有在特定条件下才可能稳定存在。当形成离子对后,阳离子与AsF6-的相互作用将改变AsF6-的结构,这其中Li 的影响最大。另外,AsF6-光谱的变化可用来指认溶液中离子的缔合和离子对的种类。 相似文献
82.
针对在普通实验室和医院实现40—100keVX射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光栅衍射效率,设计出硅基相位光栅结构参数.利用我们已发展的光助电化学刻蚀技术研制出直径为5英寸的相位光栅,其空间周期为5.6μm,线宽为2.8μm,深度为40—70μm.在理论分析的基础上,通过提高硅片两端有效工作电压和修正Lehmann电流密度公式,解决了实际刻蚀过程中出现的钻蚀问题.由实验结果可知,本方案对制作大面积高精度相位光栅十分有效。 相似文献
83.
变光外差为电外差的双频激光探测 总被引:1,自引:0,他引:1
演示一种双频激光位移探测系统,阐述光载波激光雷达的概念。由单块非平面环形腔固体激光器和声光调制器产生100MHz载波频率的双频激光束,作为探测光束,经过光路收发系统,探测位于电动导轨上目标的位移变化,信号处理部分采用高速光电探测器响应后信号的电子外差解调方式,位移量的获得通过高频锁相放大器解算参考光束与信号光束的相位差并计算获得。通过双频激光把光学外差探测变为了电子外差探测,系统重复误差小于3%。系统在利用无线电雷达信号处理方式的同时,保留了激光探测的优点,位移测量系统具有良好的重复性。 相似文献
84.
85.
实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。 相似文献
86.
为提升量子点图像分割精度,降低特征识别误差,提出一种基于改进U-Net的量子点图像分割方法.首先,在预处理阶段,设计了以色彩通道为权值的灰度化算法,以提升后续分割效果.其次,在STM图像分割部分,在原始U-Net结构上引入中间过渡层以均衡网络各层特征.而后,建立数据集,并通过实验对比不同分割算法的精确度、召回率、F-measure.最后,将分割算法应用于量子点的特征识别,并测试了不同分割方式对应用的影响.实验结果显示,改进灰度化方法保留细节信息丰富,明显提升了量子点分割精度;改进U-Net的平均精确率、召回率、F-measure相较原始网络分别提升了13.83%、2.16%、8.13%.同时,实验数据表明由于分割精度的提升,量子点数量、纵横比等特征参数的识别更加精确. 相似文献
87.
大学物理是理工类学生的必修课,往往因为学习或教学过程忽略与中学物理结合等问题,成为大部分学生的难点课程.因此,文章对中学物理到大学物理的过渡教学进行研究,主要为学生对大学物理的学习提供帮助,为教师教学提供参考. 相似文献
88.
本研究探究了功能磁共振成像技术评估药物难治性颞叶癫痫患者的记忆、语言及认知功能的应用价值.选取148例药物难治性颞叶癫痫患者作为实验组,另选取148例健康者作为对照组参与测试,两组患者均行功能磁共振成像技术检查记忆、语言及认知功能,分析功能磁共振成像技术的评估效果.结果 表明,动词生成语言任务模式下,功能磁共振成像结果... 相似文献
90.
Copper phthalocyanine film, a p-type organic semiconductor, is synthesized by vacuum sublimation and its surface morphology is characterized by SEM. A silicon-based copper phthalocyanine film gas sensor for NO2 detection is fabricated by MEMS technology. The results show that the resistance and sensitivity of copper phthalocyanine film decrease obviously as the NO2 concentration increases from Oppm to lOOppm. However, the sensitivity nearly keeps a constant of O. 158 between 30 ppm and 70 ppm. The best working temperature of the gas sensor is 90℃ for NO2 gas concentrations of lOppm, 20ppm and 30ppm, which is much lower than that of general metal oxide gas sensor. 相似文献