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GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究 总被引:6,自引:3,他引:3
由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的692nm红色发光.并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理;利用作者提出的吸收归一化光致发光激发光谱,直接测量出了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的初始态能级,确定蓝色发光为施主-价带跃迁复合,而红色发光为施主-受主跃迁复合;给出了黄、蓝、红光的发射模型。所取得的结果对于确定未知杂质和缺陷的种类具有重要的参考价值。 相似文献
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采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学,观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动,因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性,发现g因子随电子的温度和能量增加而增加,但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合,我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.
关键词:
椭圆偏振光抽运-探测光谱
自旋量子拍
g因子
GaAs 相似文献
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EFFECTS OF BANDGAP SHRINKAGE IN FEMTOSECOND ABSORPTION SATURATION MEASUREMENTS OF GaAs FILM 下载免费PDF全文
Using CPM dye laser and self-mode-locked Ti sapphire laser as pump-probe optical sources, the effects of bandfilling and bandgap shrinkage on the femtosecond absorption saturation spectra of GaAs film have been studied, For exciting photon energy of 1.97eV and carrier density of 1×1018cm-3, an optical-induced absorption increase is observed and is attributed to bandgap shrinkage, The dependence of the absorption coefficient change on the carrier temperature and the carrier densities is discussed. 相似文献
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使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光克尔光谱技术,研究了激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时稀土-过渡金属(RE-TM)反铁磁交换耦合行为和超快磁化翻转动力学. 实验观察到由于跨越铁磁补偿温度、净磁矩携带者交换而引起的磁化翻转反常克尔磁滞回线以及在同向外磁场下,反常回线上大于和小于矫顽力部分的饱和磁化强度不同,显示出GdFeCo中RE与TM之间的非完全刚性反铁磁耦合. 在含有Al导热底层的GdFeCo薄膜上观测到饱和磁场下激光感应磁化态翻转及再恢复的完整超快动力学过程. 与剩磁态的激光感应超快退磁化过
关键词:
补偿温度
磁化翻转
反铁磁耦合
GdFeCo 相似文献
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提出一种新的诊断飞秒脉冲振幅与位相的高精度测量方法.该方法发展了传统的SPIDER方法,保留了原方法对脉冲信息可以实时、有效和全面地测取的优点,并能克服其不能测量脉宽较大或位相信息复杂的脉冲的缺点.在新方法中和频后的脉冲对没有相对延时,形成无干涉条纹的剪切干涉图.在调节一个小量延时于某些特定值,可去掉剪切干涉图的歧义性.给出数值模拟结果,证明此方法无需经过傅里叶变换滤波,可直接由干涉图唯一地提取出脉冲的振幅与位相信息.
关键词:
光谱位相相干直接电场重构法
飞秒脉冲测量
超快信息光学 相似文献
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本文提出一种新的自动判焦与自动阈值选择方法,并在由IBM/PC-XT计算和PCVISION plus图象板组成的系统上实现。通过对实际粒子场全息图的分析,表明该方法效果良好,是一种更一般的、适应性更广的方法。 相似文献
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动态微粒场诊断用全息光路的设计与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了动态微粒场测试的特点,设计了一种适合于动态微粒场用脉冲激光全息诊断的全息光路,并从理论上进行了分析。使用这种全息光路记录的微粒场全息图,当用记录参考光,而不是它的共轭光照明再现时,就能获得微粒的实象,因而,使得参考光类型的选择更加灵活。同时,由于光路设计上还考虑了参物光之间的空间相干性的匹配,故降低了对激光器横模的要求。 相似文献
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采用时间分辨抽运-探测透射光谱,研究了不同波长和不同激发流密度下半金属Sb薄膜的超快电子动力学过程.透射变化率的时间延迟扫描曲线显示在延迟零点附近出现强的振荡,正的吸收饱和峰在亚皮秒时间内衰减为负的吸收增强峰.之后,负的吸收增强峰在数皮秒时间内甚至再次演变为吸收饱和.正饱和峰和负吸收峰幅度正比于激发流密度和光波长.对这些现象进行了分析,引入“缺陷”态模型及考虑“缺陷”态对光激发电子的快速俘获和逐渐释放,能够合理、半定量地解释实验观察到的所有现象.
关键词:
半金属
杂质或缺陷态
电子动力学
抽运-探测光谱 相似文献