外加纵向磁场对电子束丝化不稳定性的影响

本文用统计方法讨论了丝化不稳定性扰动电磁场模式的能量。考虑了横向扰动速度与电磁场扰动的耦合。发现在有外加强纵向磁场时,在回旋频率附近长波模扰动磁能与京电子横向热能之比随纵向磁场压强的三次幂减少。     

等离子体中调制不稳定性和波包的坍缩过程

本文给出了等离子体中由动力学理论所得到的形成强湍流的高频和低频非线性电流的表达式。根据文献[2]给出的包含有质动力、自生磁场和它们的阻尼效应的方程组,我们推广了Kono等人关于调制不稳定性的分析,得到了在各种情况下由Langmuir波或横波pump波激发的纵波和横波的增长率与参量的关系式。最后,讨论了波包的坍缩动力学问题,把非线性Schrodinger方程的坍缩讨论推广到密度和场耦合的方程组的情况。 关键词：     

二维周期结构基本方程及其数值算例

在矢量衍射理论基础上导出了任意倾斜入射下二维周期结构的衍射方程和求解(m,n)级衍射波方向即衍射角和衍射方位角的公式,理论分析了这些表达式中包含的二维周期结构衍射级次(m,n)的限制条件,并给出了相应的数值算例结果表明,矢量衍射理论在光栅基本表达式的推导方面有独特优势.     

稀土-甲基百里酚蓝-溴化十六烷基吡啶三元络合物显色反应的研究

本文研究了稀土-甲基百里酚蓝(MTB)-溴化十六烷基吡啶(CPB)三元络合物的显色反应。测定了15个稀土元素的三元络合物的吸收光谱及摩尔吸光系数。选择了适宜的显色条件。并加入掩蔽剂Zn-EDTA,提出了既可测定稀土总量又可测定铈组分量的分析方法。合成试样测定结果的变动系数小于5％。实验方法:吸取10~(-4)M稀土标准溶液2.00毫升于25毫升容量瓶中,加10~(-3)M的MTB溶液2.5毫升,2×10~(-3)M的CPB溶液2.5毫升(测铈组分量加0.002MZn-EDTA2毫升),用1:10氨水调至呈绿色,再用1:50的盐酸溶液调至恰变黄色。加pH     

一种新型制备LLDPE的双功能聚合催化体系Ti(OBu-n)4/AlEt3-［Me2SiNtBuInd］ZrCl2/MAO

Kissin和Beach［1,2］首先提出采用双功能催化剂体系制备线性低密度聚乙烯（LLDPE）,即在聚合反应体系中同时存在齐聚和共聚催化剂,在齐聚催化剂的作用下乙烯首先生成齐聚物（α-烯烃）,该齐聚物在共聚催化剂的作用下,于同一反应器中与乙烯共聚生成LLDPE,但由于以往的共聚催化剂性能不佳,共单体插入率不高,聚合物密度控制范围窄等原因,这一很有理论意义和实用价值的研究领域未得到广泛深入研究.     

高效液相色谱-核磁共振仪联用技术在耐哌地尔杂质检测中的应用

用高效液相色谱-核磁共振（HPLC-CNM）联用技术中的连续流动和停止流动两种模式对萘哌地尔中杂质进行检测,根据^1HNMR,^1H-^1HCOSY谱完成了主要杂质1-萘环-丙三醇结构鉴定。HPLC-NMR是解决合成药物中杂质结构确证的简便、快速方法。     

Statistical Property of Threshold-Crossing for Zero-Mean-Valued, Narrow-Banded Gaussian Processes

Ｔｈｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄ＿ｃｒｏｓｓｉｎｇｏｆｓｔｏｃｈａｓｔｉｃｐｒｏｃｅｓｓｅｓｉｓａｐｒｏｂｌｅｍｏｆｔｅｎｅｎｃｏｕｎｔｅｒｅｄｉｎｔｈｅｓｔｕｄｙｏｆｖａｒｉｏｕｓｐｈｙｓｉｃａｌｐｈｅｎｏｍｅｎａ .Ｔｈｅｔｅｒｍ ,ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ＿ｃｒｏｓｓｉｎｇ ,ｉｓｕｓｅｄｔｏｉｎｄｉｃａｔｅａｃｅｒｔａｉｎｆｉｘｅｄｖａｌｕｅｂｅｉｎｇｃｒｏｓｓｅｄｂｙｔｈｅｏｓｃｉｌｌａｔｉｎｇｒｅａｌｉｚａｔｉｏｎζ(1) (ｔ)ｏｆａｓｔｏｃｈａｓｔｉｃｐｒｏｃｅｓｓζ(ｔ) ,ａｓｓｈｏｗｎｂｙｔｈｅｔｙｐｉ…     

低频大功率稀土磁致伸缩弯张换能器的有限元设计理论及实验研究: Ⅱ.实验部分

对研制出的换能器弯张亮体及换能器的振动模态进行了测试,与理论计算相符;对换能器的声学性能作了测试：水中诸报频率为１．１６ｋＨｚ,带宽为６８０Ｈｚ,机械品质因数Ｑｍ为１．７１,单位电流发射响应在谐振频率处达到１８６．１ｄＢ,电声效率为１３．１％．     

Experimental study on radiation effects in floating gate read-only-memories and static random access memories

Radiation effects of the floating gate read-only-memory (FG ROM) and the static random access memory (SRAM) have been evaluated using the 14~MeV neutron and 31.9MeV proton beams and Co-60 $\gamma $-rays. The neutron fluence, when the first error occurs in the FG ROMs, is at least 5 orders of magnitude higher than that in the SRAMs, and the proton fluence, 4 orders of magnitude higher. The total dose threshold for Co-60 $\gamma $-ray irradiation is about 10$^{4}$~rad (Si) for both memories. The difference and similarity are attributed to the structure of the memory cells and the mechanism of radiation effects. It is concluded that the FG ROMs are more reliable as semiconductor memories for storing data than the SRAMs, when they are used in the satellites or space crafts exposed to high energy particle radiation.