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11.
谢柏松  贺凯芬 《中国物理》2001,10(3):214-217
The nonlinear effect of ponderomotive force of high-frequency ion motion on the low-frequency motion of ions coupling with the dust density fluctuation is investigated. The nonlinear localized structure described by Zakharov equations and nonlinear Schr?dinger equation in dusty plasma are obtained. Envelope solitons for high-frequency ion motion and the dust density cavitons are also obtained and discussed.  相似文献   
12.
 分析了高能电子、质子对4H-SiC的损伤机理,建立了4H-SiC NMOS器件物理模型。电子、质子辐照效应模型。应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×1013 cm-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×1014 cm-2的质子辐照下,4H-SiC NMOS转移特性曲线和亚阈值漏电流曲线变化的初步规律。数值模拟结果与相同条件下Si NMOS实验结果吻合较好。  相似文献   
13.
根据P53-MDM2复合物晶体结构,设计合成了非肽类小分子作为MDM2的阻断剂.利用超导核磁共振波谱仪,测定了化合物的1H谱、13C谱、1H-1H COSY谱、HMQC和HMBC谱,确定了化合物的结构,归属了化合物的1H、13C化学位移,为筛选抗癌活性化合物提供了理论依据.  相似文献   
14.
本文用击波装配程序求解球对称流体力学偏微分方程组,完成了实际空气中点爆炸产生的爆炸波问题的计算。报告中描述了计算方法和实际空气的状态方程,并提供了解的部分结果,给出了阵面上的超压、粒子速度、动压和到达时间等以及正相和负相作用时间。  相似文献   
15.
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高, SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块. SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明, SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因. TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集. ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持.  相似文献   
16.
汽车、自行车车轮所受静摩擦力方向往往被初学者弄错,教者又不易说明。我们用如下方法进行实验演示,效果明显。用直径为0.2mm左右的细钢丝做轮幅,做四个直径为25mm的车轮,安装在木制车斗上。前轮是从动轮,后轮是主动轮(轴上装上手摇曲柄)如图所示。为了增大前  相似文献   
17.
本文描述了一种应用于自由电子激光结合高里德堡态氢原子飞行时间谱装置中的分光方法,以及该方法应用于小分子(如2S)光解动力学研究中的必要性. 拉曼-α辐射(121.6 nm),用作H原子产物探测的激光,是在Kr/Ar气介质中利用四波混频产生的. 利用透镜对不同波长的光有不同的折射率,四波混频后的混合光在经过一片离轴的氟化锂透镜后,121.6 nm的激光将会与212.6和845 nm在空间上分开. 在激光到达反应中心前利用挡板挡住212.6和845 nm的激光,只让121.6 nm的光经过反应中心,从而消除212.6 nm激光产生的背景信号对实验的干扰. 结合自由电子激光,成功地研究了H2S在122.95 nm波长下的光解动力学,采集到了产物时间飞行谱. 本文展示了转换得到的产物总平动能谱,解离机理与121.6 nm波长下的结果相似. 实验结果显示,该方法成功地解决了分子在VUV波段进行光解动力学研究的难题,消除了这些分子在紫外光波段因为强烈吸收而产生的背景信号.  相似文献   
18.
通过融合蒸发反应144Nd(19F,5n)布居了双奇核158Tm的高自旋态. 扩展了原来已知的带结构, 并建立了一条新转动带. 通过与相邻核的比较, 讨论158Tm核中两条四准粒子带的内禀组态, 并分别指定为πh11/2\otimes νh9/2(α=+1/2)\otimes (νi13/2)2和πh11/2\otimes νh9/2(α=-1/2)\otimes (νi13/2)2 组态. 建立在πh11/2\otimes νi13/2组态上的转动带被观测到呈现持续旋称反转现象, 而前述的两条高自旋区的 四准粒子转动带也呈旋称反转. 对这两种类型的旋称反转现象的可能机制进行了简单而定性的讨论.  相似文献   
19.
浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词: EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射  相似文献   
20.
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