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801.
通过对I型全息凹面光栅制作参量误差对光谱像的影响进行数值计算发现|1)两记录臂长的相对误差而不是绝对误差决定光谱像的展宽程度,即使绝对误差较大,只要两记录臂长的误差值相同,像宽也没有明显改变|2)由于I型光栅的记录臂一般较长,记录角度误差对像宽的影响不大,但会影响光栅的刻线密度,导致光谱成像位置的偏移|3)曲率半径误差对像宽的影响较大.通过数值模拟明确了I型全息凹面光栅制作的误差容许范围,找到了对光谱像宽度影响较大的误差来源,从而为此类光栅的制作提供理论指导,有助于制作出高质量光栅,降低罗兰圆光谱仪的调节难度. 相似文献
802.
液体阴极辉光放电原子发射光谱法分析硅酸钇镥中痕量杂质元素 总被引:1,自引:0,他引:1
采用液体阴极辉光放电原子发射光谱( Solution-cathode glow discharge-atomic emission spectrometry, SCGD-AES)法测定了硅酸钇镥(Lutetium-Yttrium Orthosilicate, LYSO)闪烁晶体材料中痕量元素 Ca,Fe, K, Li, Mg和Na。最佳实验条件是溶液pH为1的HNO3,直流电压为1080 V,溶液流速为2.0 mL/min。本方法对LYSO基体的耐盐量为10 g/L。硅酸钇镥晶体使用HNO3, HF, HClO4溶解后经SCGD-AES分析测定,结果同电感耦合等离子体发射光谱( Inductively coupled plasma-atomic emission spectroscopy, ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱( Inductively coupled plasma-mass spectroscopy, ICP-MS)分析结果比对,具有较好的一致性。在运用SCGD-AES对LYSO的测定中,未观察到Lu、Y元素的激发谱线,因此测定LYSO中痕量元素时测定的光谱干扰少,Ca, Fe, K, Li, Mg和Na的检出限分别为:1.0,3.0,0.02,0.01,0.02和1.0 mg/kg。 相似文献
803.
首先结合电缆敷设相关标准建立了基于多种条件限制的电缆敷设优化的多目标规划模型,将分层序列法的思想运用于模型的求解中.将总敷设路线最短作为第一目标,转弯数最少作为第二目标,错层数最少作为第三目标.求解时首先将遗传算法和改进的Dijkstra算法相结合,共同进行第一目标和第二目标的求解;对于第三目标错层数最少,在运用改进的Dijkstra算法得出待敷设路线后,设计了基于贪心准则的贪婪敷设算法来满足错层数最少的要求.最终通过MATLAB编程实现以上思想并分别对30条和100条电缆的敷设进行实例验证. 相似文献
804.
研究了带参数的Hardy-Hilbert型不等式,利用加强的H(o)lder's不等式对Hardy-Hilbert不等式作了改进,建立了一些新的不等式. 相似文献
805.
以国家材料科学数据共享网为依托,我们建立了一个大型的高分子材料数据库并已向公众开放访问。数据库主要面向科研工作人员和工业企业等,提供基于高分子材料工业产品信息的数据共享服务。该数据库涵盖塑料、橡胶、纤维、涂料、胶粘剂、加工助剂等高分子领域主要的材料类型,目前已纳入7 000余个牌号的50 000多条数据。针对高分子材料类型的复杂性,该数据库采取了网状带冗余的分类方式以使一些组成复杂的材料可通过多种分类路径查询到。数据入库前,通过在数据生产、搜集、整合等多个过程中的评估以确保数据质量和可靠性。入库的数据也从数据来源、评估结果、修改记录等多个方面进行标记,以便后期进一步进行核对与评估。 相似文献
806.
807.
利用喷雾干燥法合成了富锂三元正极材料Li1.2Mn0.4+xNixCr0.4-2xO2(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,以下简称为SD1~SD5),并利用XRD,XPS,ICP,TEM,SEM等手段对材料进行结构,元素价态,形貌及电化学性能等方面的表征。SD1~SD5系列样品都具有层状结构,其所含的Cr元素为Cr6+和Cr3+共存,而Ni元素价态为+2.5价,Mn元素为+4价。SD1~SD4样品中由于存在非晶态的Li2CrO4,导致样品表现出强烈的吸湿性。这个问题可通过水洗处理来解决,且水洗处理对于改善该系列材料的电化学性能有明显的效果。SD1~SD5系列样品中,SD1与SD4样品电化学性能较好,以20 mA.g-1的放电电流密度,在4.8~2.0 V电压区间内,首次放电比容量分别为247和220 mA.h.g-1,经过20次充放电循环后,容量保持率分别为73%和78%。高温条件下SD1和SD4样品的首次放电比容量分别增大为256和237 mA.h.g-1,经过20次充放电循环后容量保持率分别为83%和99%。将充放电电压扩展为5.0~2.0 V时,SD4样品首次放电比容量可以达到307 mA.h.g-1。 相似文献
808.
809.
使用偶联剂γ-巯丙基三甲氧基硅烷(MPMS,KH-590),对微米级硅胶微粒进行了表面化学改性,制得了表面带有巯基的改性微粒MPMS-SiO2.使改性微粒MPMS-SiO2表面的巯基与溶液中的BPO构成氧化-还原引发体系,实现了油溶性单体甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)在硅胶微粒表面的引发接枝聚合,制得了接枝度为26g/100g的接枝微粒PGMA/SiO2.采用红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)及热重分析(TGA)等方法对接枝微粒PGMA/SiO2进行了表征。在此基础上,重点研究了主要因素对巯基-BPO体系引发GMA接枝聚合的影响.研究结果表明,巯基-BPO体系引发的接枝聚合,由于活性位点位于固体表面,因此也是一种表面引发接枝法。与在固体微粒表面引入可聚合双键的"穿过接枝"("grafting through")法相比,巯基-BPO引发体系可更有效地实现油溶性单体的接枝聚合.为制得高接枝度的接枝微粒PGMA/SiO2,适宜的温度为55℃,适宜的BPO用量为单体的1wt%左右,适宜的单体浓度为10 wt%。 相似文献
810.