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A Wafer-Level Sn-Rich Au-Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors 下载免费PDF全文
Sn-rich Au Sn solder bonding is systematically investigated. High shear strength (64 MPa) and good hermeticity (a leak rate lower than 1 × 10-7 torr.1/s) are obtained for Au-Sn solder with 54wt% Sn bonded at 310℃. The AuSn2 phase with the highest Vickers-hardness among the four stable intermetMlic compounds of the Au Sn system makes a major contribution to the high bonding strength. This bonding technique has been successfully used to package the Surface Plasmon Resonance (SPR) sensors. The Sn-rieh Au-Sn solder bonding provides a reliable, low-cost, low-temperature and wafer-level hermetic packaging solution for the micro-electromechanical system devices and has potential applications in high-end biomedical sensors. 相似文献
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采用基于密度泛函理论中第一性原理方法分别对石墨炔负载过渡金属原子(M-gra)体系的稳定构型以及对多种气体小分子的灵敏度和选择性进行理论研究.计算结果表明金属原子吸附在孔洞结构的H2位具有高稳定性,不同种类的金属原子能够有效调控石墨炔体系的电子特性和具有不同的磁矩.比较气体分子的吸附能大小,M-gra衬底对O和OH表现出高的灵敏度,单个NO、NO2和O2的稳定性高于CO分子.此外,小分子吸附的M-gra体系具有金属、半金属和半导体特性,在电子和气敏器件领域具有潜在应用. 相似文献
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采用密度泛函理论方法研究了不同种类和数量的气体小分子在类石墨烯材料(graphenylene)衬底支撑的金属原子(M=Co, Mo和Pd, gra-M)表面的吸附特性,系统地分析了吸附不同数量的NO和CO分子的稳定构型,吸附能,电荷转移量以及引起的体系电子结构和磁性变化.研究结果表明:1) NO、CO气体小分子的稳定吸附位在金属原子顶位,吸附物与衬底间的电荷转移量表明负载不同的金属原子能够有效地调制类石墨烯材料的气敏特性;2)单个和两个气体分子吸附能够引起gra-M体系的自旋电荷密度分布发生变化,进而使得气体吸附体系表现出不同磁矩大小. 相似文献
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Improvement of fabrication and characterization methods for micromechanical disk resonators 下载免费PDF全文
In this paper we present a novel method to fabricate reliable micro-electro-mechanical system(MEMS) disk resonators with high yield and good performance.The key breakthrough in the fabrication process is a novel approach to effectively restraining electro-chemical corrosion of polycrystalline silicon(polysilicon) electrically coupled with noble metals of MEMS devices by hydrofluoric acid(HF)-based solutions.In addition,a measurement architecture based on a differential readout topology is demonstrated.The differential circuit proposed here can effectively suppress noise and feed-through current by common-mode rejection of the differential amplifier.This differential amplifier circuit configuration is also used to build up a notch filter.The preliminary result about the temperature dependence of the resonance frequency is discussed,and the device failure is analysed. 相似文献
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