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11.
采用两种合成路线来合成O,O-二乙基-a-(2-氯-4-三氟甲基苯氧基苯甲酰氧基)丙基膦酸酯,并对其结果进行了比较分析,以此来探讨a-(取代苯氧基苯甲酰氧基)烃基膦酸酯的合成方法。 相似文献
12.
13.
14.
15.
采用水热法合成了一种新的三维配位聚合物[Zn6(bta)4(2,2′-bipy)3](H3bta=1,3,5-苯三乙酸;2,2′-bipy=2,2′-二联吡啶),并通过X射线单晶结构分析、红外光谱、元素分析和热重分析对该配合物进行了表征.结构分析数据表明,该配合物属单斜晶系,Cc空间群,晶胞参数a=1·7714(4)nm,b=2·4391(5)nm,c=1·7120(3)nm,β=104·39(3)°,Z=4,V=7·165(2)nm3,Dc=1·722g/cm3,μ=2·065mm-1,F(000)=3768,R1=0·0645,wR2=0·1424.荧光光谱结果表明,配合物具有良好的荧光性质. 相似文献
16.
研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40
关键词:
3C60')" href="#">K3C60
取向相变机理 相似文献
17.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
关键词:
磁控溅射
二硫化铁
X射线吸收近边结构
电子结构 相似文献
18.
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制, 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
关键词:
THz辐射
反应离子刻蚀
ZnTe 相似文献
19.