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对MgO(110)单晶进行中子辐照,辐照剂量从1.0 × 1016到1.0 × 1020 cm-2。基于黄昆漫散射理论,我们计算了MgO晶体中的立方缺陷和偶极力缺陷引起的X射线漫散射强度分布图。通过X射线漫散射及紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱实验表征了晶体的点缺陷组态,并利用超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品的磁性。ω–2θ和摇摆曲线说明MgO单晶经中子辐照后产生了晶格畸变,晶体中存在一定浓度的点缺陷。倒易空间图(RSM)显示中子辐照的MgO单晶存在漫散射现象。与计算得到的漫散射分布图对比分析可知,中子辐照的MgO(110)单晶中产生了弗仑克尔缺陷。UV-Vis吸收光谱表明所有辐照晶体中存在阴离子单空位缺陷。辐照剂量较高(1.0 × 1019和1.0 × 1020 cm-2)的样品中存在O空位的聚集。磁性测量显示中子辐照后的MgO(110)单晶在室温下依然是抗磁性,但在低温下具有铁磁性,最大饱和磁化强度达到0.058 emu·g-1。通过中子辐照的方法,可以使MgO(110)单晶产生点缺陷引起的低温铁磁性。利用F色心交换机制可以解释中子辐照MgO晶体中的O空位缺陷与铁磁性之间的关系。 相似文献
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利用湿化学反应法制备了CaCuxMn3-xMn4O12(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4)系列材料的前驱体,然后加入10wt%的KCL后,在850℃的纯氧中烧结制成样品。X射线衍射表明,CaCuxMn3-xMn4O12样品呈单相立方结构,空间群Im 3-。研究表明:随掺杂浓度x的增加,晶格常数减小,晶体结构发生畸变,从而直接影响材料的电输运性质。实验表明,样品在5T的外磁场下,随x的增大,样品的磁电阻MR呈现先增大后减小的趋势,在x=1.0时磁电阻达到最大,这可能是晶粒边界处粒子的自旋极化散射和双交换作用共同作用的结果。 相似文献
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Using density-functional calculations within the generalized gradient approximation (GGA)+U framework,we investigate the structural,electronic,and magnetic properties of the ground states of SrFeOn (n = 2 and 2.5).The magnetism calculations show that the ground states of both SrFeO2 and SrFeO2.5 have G type antiferromagnetic ordering,with indirect band gaps of 0.89 and 0.79 eV,respectively.The electronic structure calculations demonstrate that Fe cations are in the high-spin state of (dz2 )2(dxz,dyz)2(dxy)1(dx2 y2 )1(S = 2),unlike the previous prediction of (dxz,dyz)3(dxy)1(dz2 )1(dx2 y2 )1(S = 2) for SrFeO2,and in the high-spin state of (dxy,dxz,dyz,dx2 y2 ,dz2 )5(S = 5/2) for SrFeO2.5. 相似文献
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通过对面心立方晶体(111)面间距的计算,对几何晶体学中几个基本概念进行了全面的辨析;在此基础上,给出了晶面指数和密勒指数之间的转换矩阵. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的广义梯度近似,对C60富勒烯-巴比妥酸及其二聚体的几何结构和电子结构进行了计算研究.发现:C60富勒烯-巴比妥酸只有一种稳定结构,且掺杂巴比妥酸基团对C60分子构型的影响是局域的.C60富勒烯-巴比妥酸的二聚体有三种同素异构体,分别以[6,5]—[6,5],[6,6]—[6,5]和[6,6]—[6,6]三种方式键合,从能隙大小顺序和总能相对大小来看,[6,6]—[6,6]结构最为稳定.电子结构方面,在C60富勒烯-巴比妥酸单体中,Donor-Acceptor电荷转移体系为C60富勒烯-巴比妥酸,即电荷是从C60向巴比妥酸转移.由前线轨道和自旋布居数得知,C60富勒烯-巴比妥酸单体很好地保留了C60的电磁性质,但稳定性下降,易发生二次加成反应形成二聚体.对于C60富勒烯-巴比妥酸二聚体,Mulliken电荷分析显示,在加成四元环处的碳原子分别得到0104e和0106e电荷,而与它们邻近的碳原子则失去电子,带有正电荷,且距加成位置越近的碳原子失去的电荷越多.在远离加成位置处,碳原子的净电荷变化相对较小.与单体152eV能隙相比,二聚体中的能隙为1.45eV.其前线轨道分布与单体相比,最高占据轨道几乎未变,但最低未占据轨道发生了很大变化.
关键词:
几何结构
电子结构
密度泛函 相似文献
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采用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,对M13(M =Fe,Ti)以及M13内掺Au20团簇的几何结构和磁性进行了计算研究.结果表明:M13和M13内掺Au20团簇的几何结构在0.006-0.05nm误差范围内保持着Ih对称性.Fe13团簇最低能态的总磁矩为44μB,内掺到Au20笼中后形成的Fe13内掺Au20团簇的最低能态总磁矩为38μB,且Au原子与内掺Fe13团簇之间存在着弱铁磁相互作用.Ti13团簇在总磁矩为6μB时能量最低,掺入Au20笼后形成的Ti13内掺Au20团簇最低能态总磁矩是4μB,内表面12个Ti原子与表面Au壳之间是弱铁磁相互作用,而与中心Ti原子之间是弱反铁磁相互作用.由于Au20笼状外壳的影响,Fe13内掺Au20和Ti13内掺Au20团簇中Fe13和Ti13的磁矩比无金壳的Fe13和Ti13团簇的磁矩分别减少了6.81μB和2.88μB. 相似文献
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利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度. 相似文献
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采用密度泛函理论(density functional theory, DFT)中的广义梯度近似(generalized gradient approximation, GGA) 对Ni2Sn17,Mn2Sn17,[Ni2Sn17]4-和[Mn2Sn17]2-三种同分异构体的几何结构、电子
关键词:
2Sn17')" href="#">Ni2Sn17
2Sn17')" href="#">Mn2Sn17
几何结构
电子结构和磁性
密度泛函理论 相似文献