高空核爆炸能量在大气层中的沉积规律

建立了高空核爆炸X射线辐射能和碎片动能在大气层中沉积的计算模型,利用该模型模拟了美国和苏联的4次大威力高空核爆炸试验(Checkmate, Starfish, K3, K4)的能量沉积情况,分析了碎片动能在海拔100—200 km的沉积规律.计算结果表明,与X射线沉积区相比,碎片动能沉积区范围较小,能量密度较大;碎片动能沉积在较短时间内(约0.5 s)完成,在爆心附近和海拔115 km附近存在两个吸收峰;动能沉积区在水平截面大体上为椭圆形,爆炸纬度越高,椭圆偏心率越小,水平截面积随海拔高度的增加而增大,随爆高的增大而减小;距爆点较远、远离磁泡时,动能沉积峰值点在穿过爆心的地磁场磁力线附近;距爆点较近、磁泡内部的动能沉积峰值点在爆心投影点附近.     

Ⅱ一Ⅵ型量子点制备及其在生物检测中应用研究进展

Ⅱ-Ⅵ型量子点特殊而优良的可见光区荧光性质使得它们在生物识别及检测中具有潜在的应用前景，因而引起人们的广泛关注。本文概述了Ⅱ-Ⅵ型量子点的制备及其在生物检测中应用的研究进展。     

半导体荧光量子点标记技术

生命体系中化学、生物信息的活体、原位、实时、动态和高灵敏获取,是当前生命科学研究中迫切需要解决的关键问题之一,发展相关的新技术与新方法至关重要。半导体荧光量子点因其优异的荧光特性可望在解决此类难题中发挥重要作用而日益受到关注。本文将根据我们课题组多年来的研究工作经验,就半导体荧光量子点标记技术的相关基础问题、在生物医学领域中的应用以及发展前景等做简要评述。     

纳米颗粒在动脉粥样硬化治疗中的应用

动脉粥样硬化是心血管疾病发生的主要成因,严重威胁着人类健康.随着纳米技术在生物医疗领域的广泛应用,以纳米颗粒为基础的解决方案为动脉粥样硬化的治疗提供了新思路.我们阐述了动脉粥样硬化的病理生理学特点,系统归纳了 目前纳米颗粒在动脉粥样硬化中的设计策略,并详细介绍了基于这些策略所制备的传统纳米颗粒、仿生纳米颗粒在动脉粥样硬...     

不同频率高功率微波辐照下PCB电路的混合模拟

采用一个混合模拟方法研究计算了不同频率高功率微波(HPM)辐照下含有PIN限幅器的PCB电路上的耦合信号。该混合模拟方法基于瞬态电磁拓扑和器件/电路混合模拟技术,实现了场、路、器件的混合模拟,能够模拟计算出HPM辐照下屏蔽腔内PCB电路上的耦合信号。用该方法研究计算了频率分别为1,1.25和2.5 GHz的HPM在PCB电路上的耦合信号。计算结果表明:当PCB电路无屏蔽腔时,1 GHz HPM的耦合信号最大,而PCB电路有屏蔽腔时,2.5 GHz HPM的耦合信号最大;PIN限幅器在耦合信号较大时具有较好的抑制作用。     

基于纳米颗粒的化学发光技术在炎症及肿瘤诊疗中的应用

光学技术在生物医药领域具有至关重要的作用,它不仅使生物活体的检测变得可视化,还可以提高疾病治疗的特异性和灵敏性。但是普通的光学技术具有组织穿透深度低、信噪比低和组织自发光等问题。针对这些问题,研究者开始关注并研究自发光技术,包括化学发光、生物发光、切伦科夫发光。其中,化学发光(Chemiluminescence,CL)是化学物质在进行化学反应过程中产生的一种光辐射现象,具有灵敏度高、无需外部光源激发、打破组织穿透深度限制、提高信噪比的优势,为光学成像与治疗技术的进一步发展提供了新思路。但是由于化学发光物质的疏水性等问题限制了其在生物医药领域的应用。针对这些问题,研究者开始将纳米技术与化学发光技术进行结合,不仅拓展了化学发光的应用范围,还进一步促进了疾病的诊断与治疗。在此基础上,该文首先分析了化学发光的分子机理,其次总结归纳了化学发光在炎症及肿瘤诊疗中的应用,并探讨了在实际应用中遇到的问题以及未来的发展方向。     

电磁脉冲作用下PIN二极管的响应

采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。     

计算电磁学研究中的V&V方法概述

随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(VV)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的VV研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的VV工作,讨论了VV研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。     

单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜（SEM）及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。     

计算电磁学研究中的V&V方法概述

随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(VV)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的VV研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的VV工作,讨论了VV研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。