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82.
Cl HN_3产生NCl(a~1Δ)和NCl(b~1Σ)的实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对利用微波放电直接解离 Cl2 生成 Cl,Cl与 HN3 反应生成 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)的过程进行了实验研究。得到了较强的 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)自发辐射光谱 ,考察了 Cl2 流量和 He/ Cl2 配比对NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响。发现对于一定的 He流量 ,Cl2 流量对 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响存在一最佳范围 ,而最佳 He/ Cl2 配比不是一定值 ,而是随 He流量升高而变大 ,在实验所考察的 He流量范围 (5~ 4 0 L/ min)内 ,最佳 He/ Cl2 配比在 3 0∶ 1~ 1 0 0∶ 1之间 相似文献
83.
对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl,Cl与HN3反应生成NCl(a1△)和NCl(b1∑)的过程进行了实验研究.得到了较强的NCl(a1△)和NCl(b1∑)自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a1△)和NCl(b1∑)生成的影响.发现对于一定的He流量,Cl 2流量对NCl(a1△)和NCl(b1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl 2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围(5~40 L/mm)内,最佳He/Cl 2配比在30:1~100:1之间. 相似文献
84.
In this paper, we report a high peak power passively Q-switched laser-diode-end-pumped Nd:YVO4/Cr4+:YAG laser polarized along the C axis, generating 4.23-W average power and 18-kW peak power (144-μJ pulse power) with 8.0-ns time duration (29.4-kHz repetition rate) at 1064 nm while the pump power is 21.2 W. 相似文献
85.
在分子束—气装置上用原子吸收方法测量Sn(5p~2~3P_(0,1,2))分子束强度随背景气体的压力变化,得到锡原子三个电子态Sn(5p~2~3P(0,1,2))与N_2O、Ar、He、N_2和O_2等五种粒子的总碰撞截面,并估算出Sn原子与O_2和N_2O的反应碰撞截面。为了探讨SnO分子的化学激光体系,近年来报导了有关Sn原子与N_2O在气相状态下的反应。但是Sn+N_2O反应生成电子激发态SnO的机理尚不清楚。本文将要报导Sn的三个电子态5p~2~3P_0、5P~2~3P_1、5p~2~3P_2(以下简写成为~3P_(0,1,2))与N_2O等五种粒子碰撞截面的研究.这对于探讨反应机理和Sn原子与其它粒子的相互作用提供了实验的依据。由于Sn金属很难汽化,并且低压下发光很弱。以前研究Sn与N_2O、O_2或其它分子的反应都是在较高压力的实验条件下进行的。由于在较高压力下各种碰撞过程都可能同时产生,对研究反应机理是不利的。而本实验则是在低压条件下,并使用原子吸收方法来监测Sn原子浓度随碰撞气体浓度的变化,从而得出各种碰撞截面。这一新的方法对于研究金属原子与其它分子碰撞的过程,即使是不发光的反应碰撞也是适用的。这一方法的另一特点是可以分辩出原子的不同态,便于研究态—态反应动态学。 相似文献
86.
与传统的端发射半导体激光器相比,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可单模输出,光束对称性好,可被高度聚焦,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优 点.为了得到高功率的激光输出,除了要增大VCSEL的发射面积之外,关键的是要选择适 当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等.本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数,有源区直径,材料的热导和电阻,电极间距等对VCSEL 器件性能的影响.通过优化参数,进行最佳设计,研制出了980 nm In0.2Ga0.8As/Ga
关键词:
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
量子阱
高功率 相似文献
87.
88.
一、引言法布里-珀罗干涉仪在光学和激光领域有着广范的用途。它可以用于高分辨率光谱学,测量波长和谱线的线型;用于压窄激光线宽,分析激光的模式;在啦曼散射、布里渊散射、以及瑞利散射等方面也经常用它测量线移和线型;此外,在天文学中亦有重要的应用。 相似文献
89.
A new fabrication technology for three-dimensionally buried silica on silicon optical waveguide based on deep etching and thermal oxidation is presented. Using this method, a silicon layer is left at the side of waveguide. The stress distribution and effective refractive index are calculated by using finite element method and finite different beam propagation method, respectively. The results indicate that the stress of silica on silicon optical waveguide fabricated by this method can be matched in parallel and vertical directions and stress birefringence can be effectively reduced due to the side-silicon layer. 相似文献
90.