PC/YAG：Ce荧光树脂的制备及光谱分析

采用熔融共混法和高温压模法制备出PC/YAG:Ce荧光树脂片,样品经减薄和抛光处理后,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)、透射光谱等测试手段进行分析。厚度为0.87 mm的样品在500~800 nm范围内的透过率约为65%。样品主相为Y₃Al₅O₁₂,在342 nm和448 nm有两个激发峰。样品的发射光谱在532 nm有一宽峰,属于Ce³⁺的5d→4f特征跃迁发射。荧光树脂片中荧光粉含量越高,样品发射强度越大,是一种适合用于白光LED封装的新型荧光材料。     

室内可见光通信高精度定位系统设计

基于接收信号强度算法的可见光室内定位系统具有结构简单的特点,但是由于漫反射信道、系统噪声等因素,其定位精度受到很大限制,为此提出使用人工神经网络对室内可见光信道参数进行学习,拟合室内信道参数的真实值,实现高精度定位。首先,使用CDMA调制技术消除室内可见多参考点光通信带来的码间干扰问题,CDMA解扩信号经过归一化操作后输入人工神经网络对坐标函数进行训练,使之拟合室内可见光通信信道参数,估计出接收机到各个LED参考点之间的空间距离。其次,由于神经网络训练数据噪声及接收机信号噪声会影响定位精度,我们提出使用Newton-Raphson迭代法,进一步逼近测试点的真实坐标。实验结果表明,在1 m×1 m×1. 2 m的室内可见光通信定位系统模型中,本系统在二维定位应用时平均定位误差为0. 87 cm;在三维定位应用时平均定位误差为1. 47 cm。本文提出的基于接收信号强度的可见光室内定位系统,使用CDMA调制技术,接收信号经过解扩后输入人工神经网络对信道参数进行距离估计,为了进一步地减小噪声等随机过程带来的定位误差,提出一种定位专用的定位坐标解迭代逼近算法,结果表明本系统在二维定位及三维定位均可实现很高的定位精度。     

光散射PC荧光树脂的制备及光学性能

以聚碳酸酯(PC)粉体、有机硅光扩散剂和YAG∶Ce荧光粉为原料,通过熔融共混法和高温压模法及减薄抛光工艺制备出不同有机硅光扩散剂质量分数的PC/YAG∶Ce光散射荧光树脂样品,通过SEM、XRD、透射光谱和PL的性能分析,表明：荧光树脂样品在500～800 nm光谱范围有较高的透光率,样品的主相都为Y₃Al₅O₁₂,在342和448 nm有两个激发波峰,发射光谱在532 nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射,对应的荧光寿命在61.5 ns左右。把荧光树脂样品应用到白光LED器件的封装获得的光效为81.12 lm/W@100 mA, 说明PC/YAG∶Ce荧光树脂片适用于作白光LED封装的新型荧光材料。     

Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a p-AlGaN/GaN superlattice last quantum barrier

In this study,the efficiency droop of an InGaN light-emitting diode(LED)is reduced significantly by using a pAlGaN/GaN superlattice last quantum barrier.The reduction in efficiency droop is mainly caused by the decrease of electron current leakage and the increase of hole injection efficiency,which is revealed by investigating the light currents,internal quantum efficiencies,energy band diagrams,carrier concentrations,carrier current densities,and radiative recombination efficiencies of three LED structures with the advanced physical model of semiconductor device(APSYS).     

基于LD激发荧光粉白光光源的窄光束照明光学系统设计

蓝光半导体激光器激发荧光粉产生白光光源技术发展迅速,但由于大功率蓝光半导体激光器在快轴、慢轴方向的光场分布差别较大,使得日前激光照明整体光学性能仍旧较差,难以实现大规模推广应用。针对该问题,设计了一款高质量激光照明光学系统,基于蒙特卡洛光线追踪理论,对激光光束进行准直调控、均匀光斑整形以及对荧光片进行设计,使得整体光源模块各元件得到最佳整合,最终实现了窄光束激光照明。仿真结果表明:激光光源的光收集率达98.3%,激光光斑的不均匀度为1.7%,白光均匀度为98%,光斑是出射准直角为1.6°的方形窄光束白光光斑。     

Performance improvement of blue InGaN light-emitting diodes with a specially designed n-AIGaN hole blocking layer

Blue InGaN light-emitting diodes （LEDs） with a conventional electron blocking layer （EBL）, a common n-A1GaN hole blocking layer （HBL）, and an n-A1GaN HBL with gradual A1 composition are investigated numerically, which involves analyses of the carrier concentration in the active region, energy band diagram, electrostatic field, and internal quantum efficiency （IQE）. The results indicate that LEDs with an n-AIGaN HBL with gradual AI composition exhibit better hole injection efficiency, lower electron leakage, and a smaller electrostatic field in the active region than LEDs with a conven tional p-A1GaN EBL or a common n-A1GaN HBL. Meanwhile, the efficiency droop is alleviated when an n-A1GaN HBL with gradual A1 composition is used.