任意k紧优、奇异k紧优双环网无限族的构造

双环网 (double loopnetwork)是具有n个结点和出度为2的有向循环图,它是计算机互连网络的一类重要的拓扑结构,已应用于局域网和分布系统的设计中.给定结点数n,如何构造n个结点的具有最小直径的双环网? 这个问题受到广泛的关注. 与此有关的一个久而未决的主要问题是:任意给定k≥0, 是否有所谓k紧优双环网的无限族? 本文证明了: (1) 对于任意给定的k≥0, 可构造其中一个步长为1的k紧优双环网的无限族, 其结点数n(k,e,c)(其中e充分大)是e的2次整系数多项式且系数含有参数c; (2) 对于任意给定的k≥0, 可构造一个奇异k紧优双环网的无限族.     

利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029 cm-1,与文献实验结果480.0 cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态.     

Ultrasonic Vibration Suspends Large Pendant Drops

A stationary substrate can suspend only small pendant drops even with excellent wetting ability because of gravity. We report the suspension of large pendant water drops by a copper substrate that vibrates ultrasonically with a frequency of 22 kHz. The mass of the largest pendant drop suspended by the vibrating substrate reaches 1.1 g, which is 9 times that by the same stationary substrate. The pendant drop deforms drasticaJly and quickly at both the beginning and the end of the vibration procedure. As the vibration power increases, the contact area between the drop and substrate expands and the drop height shrinks accordingly. Theoretical analysis indicates that the Bernoulli pressure induced by ultrasonic vibration may contribute strongly to enhancing the suspensibility of pendant drops.     

具有存储功能的衍射图像光刻系统的研制

研制了一种在衍射光变图像器件上进行信息存储的新型数字化激光光刻系统。采用空间光调制器作图形自动输入,双远心投影成像系统在光刻记录面上缩微图形。通过光栅干涉光学头对记录面上的微图形进行干涉调制,使微图形上产生干涉条纹,条纹空间频率范围为500-1200lp／mm。在光刻胶干版上的存储实验表明,在衍射光变图像上的单角度存储信息密度大于3．7Mbit／cm^2。改变干涉条纹取向、条纹间隔和需要存储的图形,光刻系统可实现信息的旋转复用存储。上述光刻系统将会在防伪和衍射光变图像器件制造领域有良好应用。     

面向航天型号软件缺陷预测的属性选择方法

针对当前航天型号软件模块故障预测中度量属性过多而影响分类模型效率、准确率和数据收集困难的问题,以NASA公布的MDP数据集为基础,设计了基于Logistic回归模型的属性选择算法;通过该算法在6个数据集上的应用选择了对航天型号软件质量影响较大的4个属性,并将其在12个软件中进行验证,说明了该算法的有效性,选择的4个度量属性可为当前航天型号软件的度量提供参考和依据。     

爆轰法合成纳米CeO粉末*2

爆轰合成过程中采用Ce(NO₃)₃·6H₂O制备的可爆药剂,并利用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对合成的纳米CeO₂粉末进行了检测,研究了起爆方式对于合成产物结晶化度、粒径和形貌的影响。结果表明,采用Ce(NO₃)₃·6H₂O制备的可爆药剂,可以合成立方晶系的球形纳米CeO₂; 提高可爆药剂的爆速,可有效降低纳米CeO₂的粒径,得到球形化更好的纳米粒子。     

F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析

为了缓解AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors（HEMT）器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件新结构．首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe,Mg等离子的原因．利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时,氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况,得出当氟离子注入源区时,形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流,击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流,提高器件击穿电压,设计具有一定输出功率新型A1GaN／GaNHEMT提供了科学依据．     

基于CPV技术的LED路灯聚光器的研究

以120W大功率LED路灯太阳能电池板为研究对象,通过聚光光伏技术,利用光学透镜(聚光器)提高太阳能电池的光电转换效率。利用聚焦作用增大光照密度,有效地降低了太阳能光照面积,极大地减少了光电材料的使用量,大幅度降低了太阳能电池的成本。通过光学仿真软件TracePro进行仿真,验证了其可行性。     

Breakdown voltage analysis of Al_0.25Ga_0.75N/GaN high electron mobility transistors with partial silicon doping in the AlGaN layer

In this paper,two-dimensional electron gas(2DEG) regions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) are realized by doping partial silicon into the AlGaN layer for the first time.A new electric field peak is introduced along the interface between the AlGaN and GaN buffer by the electric field modulation effect due to partial silicon positive charge.The high electric field near the gate for the complete silicon doping structure is effectively decreased,which makes the surface electric field uniform.The high electric field peak near the drain results from the potential difference between the surface and the depletion regions.Simulated breakdown curves that are the same as the test results are obtained for the first time by introducing an acceptor-like trap into the N-type GaN buffer.The proposed structure with partial silicon doping is better than the structure with complete silicon doping and conventional structures with the electric field plate near the drain.The breakdown voltage is improved from 296 V for the conventional structure to 400 V for the proposed one resulting from the uniform surface electric field.     

教材中一幅不正确的题图

现行高中物理课本第三册(选修)第65页,有一幅跳台滑雪运动员腾空飞跃的题图(题略),如图1所示.运动员的飞行是平抛运动,但题图中的轨迹反映出来的却是平行于斜面方向上最大距离中点处时运动员离开斜面最远,这显然是平行于斜面的"类斜抛运动"轨迹,在一些资料中也常出现类似的题图.由此看来,具有指导作用的教材再版时,应该把不科学的题图修正过来,否则会对学生分析问题产生误导.