全文获取类型
收费全文 | 175篇 |
免费 | 67篇 |
国内免费 | 30篇 |
专业分类
化学 | 82篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 17篇 |
综合类 | 3篇 |
数学 | 34篇 |
物理学 | 134篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 17篇 |
2014年 | 24篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 19篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 8篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
1984年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1960年 | 1篇 |
排序方式: 共有272条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
应用原子荧光光谱法测定砷的含量。以深层生土、地表熟土为样品,采用顺序注射氢化物发生-原子荧光光谱法进行测定。在最佳实验条件下,方法的线性范围在2—60μg/L以内,相关系数r=0.9993,检出限为0.16μg/L,测定标准溶液的RSD为1.6%(n=11),样品加标回收率为96.5%—103.5%,方法简单、快速,可测定土壤中的砷。 相似文献
32.
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V. 相似文献
33.
M.Randic首先引入了Wiener.Hosoya指标,该指标可用于对分子的结构,性质和活跃性等方面进行研究.有且仅有一个顶点的度大于或等于3的树称为spider.本文对直径为d,且具有最大Wiener-Hosoya指标的spider进行了刻划. 相似文献
34.
35.
36.
37.
由(S)-脯氨醇衍生的N-Boc-2-氨甲基吡咯烷与与邻苯二甲酸酐经缩合、脱Boc反应,合成了手性酰亚胺化合物4,研究了该类有机小分子催化剂在辅助添加剂2,4-二氯苯甲酸存在下,催化丙酮或环己酮与邻硝基苯甲醛的不对称Aldol反应,产物的产率分别为75%,82%,e.e.值分别为34%,29%。 相似文献
38.
用元素分析、红外光谱、紫外光谱、荧光光谱和核磁等分析手段对合成出的1.0G树枝状大分子-水杨醛席夫碱钯配合物(PAMAMSAPd)进行了表征。用其作为催化剂,研究了碘代苯与丙烯酸在有机溶剂中的偶联反应。对于碘代苯与丙烯酸的偶联反应,最佳反应条件为:惰性气氛,10mmol PhI,nPhI∶nAA∶nEt3N=1∶1.5∶2.5,3.0×10-3g PAMAMSAPd, 4mL DMF和100°C的反应温度。在该条件下,产物肉桂酸的产率可达96.5%。该树枝状大分子配合物是一种无磷、高效和稳定的Heck反应催化剂。且该催化剂经简单的过滤、溶剂洗涤进行回收,重复使用3次,产率仍能达到90.2%。 相似文献
39.
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右. 相似文献
40.