金纳米粒子自球形向棒状的转变和生长的光化学法研究

在含有HAuCl₄和十六烷基三甲基氯化铵(CTMAC)的DMF-H₂O-丙酮介质中, 以CTMAC形成的胶束为模板, 丙酮为光敏剂, 光化学还原法制备了不同长径比的棒状金纳米粒子. 通过改变DMF∶H₂O (V/V)的比例来改变溶液的极性, 增加胶束聚集数, 实现了自球形胶束向棒状的转变, 从而得到以金纳米棒占优势的金胶体溶液. 研究了HAuCl₄和CTMAC的浓度以及照射时间对金纳米棒生长的影响, 在最佳实验条件下, 获得了直径在20～22 nm, 长为0.5～3 μm的金纳米棒, 讨论了光化学反应和金纳米粒子在形成的棒状胶束中的自组装生长机理.     

二阶常微初值问题的时间间断最小二乘有限元法

采用时间间断最小二乘线性有限元方法求解二阶常微分方程初值问题.利用回收技巧及离散Gronwall引理证明了方法的稳定性.通过引入有限元空间上的范数,给出了方法在该范数意义下丰满的误差估计.数值实验验证了理论分析结果.     

U_(1-x)Pu_xO_2热膨胀性质分子动力学模拟研究

基于部分离子势函数的分子动力学方法,研究了U_(1-x)Pu_xO_2(x=0.07,0.15,0.25和0.5)在300—3000 K温度范围和0—1.5 GPa下的热力学性质,研究发现,在等压和不同温度下,随着钚(Pu)比率的增加,U_(1-x)Pu_xO_2的晶格常数线性减小,线性膨胀系数有所增大,等温压缩系数减小,通过拟合得到了零压下U_(1-x)Pu_xO_2晶格常数和线膨胀系数随Pu比率变化的经验表达式。     

非晶光子晶体中的光子局域化

利用多重散射方法计算并研究了二维光子晶体随着无序度变化的光子局域化.通过控制方形单元随机旋转角度以控制光子晶体的无序度.研究发现，随着无序度的增加光子通带的透过率逐渐降低，而光子禁带中的透过率逐渐上升，即无序导致的局域化逐渐由光子带边向光子禁带中心和光子通带的中心扩展.而且光子通带中的平均透过率随无序度的增加呈e指数下降. 关键词： 非晶 光子晶体 无序 光子局域     

航天发射超导磁浮平台设计的初步实验研究

鉴于未来航天发射安全、可靠、低成本的要求,国外先后提出了不同磁悬浮系统助推发射运载器的概念及方案.我们基于初步拟定的高温超导磁悬浮发射系统方案,展开了相应的研究和探索.本文从磁浮系统悬浮力和稳定性综合考虑出发,建立配套高温超导实验测试系统,研究和比较了NdFeB永磁轨道构型和高温超导块材组合对磁浮系统性能的影响,并进行了定性的分析,其结果对小型缩比磁悬浮发射试验平台的构造具有极其重要的现实意义.     

旋量法在机器人动力学分析中的应用

本文用旋量方法研究机器人的动力学模型，将速度和角速度，力和力矩的内在联系有机地融合为一体，使Ｎｅｗｔｏｎ－Ｅｕｌｅｒ方法更加简明有效率．文中相对于机器人各臂质心建立参考系，使惯性张量和质心加速度计算简化，进一步减少计算量，达到快速实时计算．     

双-(二烷基膦)乙烷合铂配合物的~(13)C NMR研究

本文报道Cis-Pt(disphos)X_2系列化合物的~(13)C NMR研究。发现配体X、取代基R对桥环碳(C_1)化学位移有明显的影响;并证实了某些化合物象异构体的存在,还对构象特性进行了讨论。     

使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.     

Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor

We simulate the current-voltage （I-V） characteristics of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors （HFETs） with different gate lengths using the quasi-two-dimensional （quasi-2D） model. The calculation results obtained using the modified mobility model are found to accord well with the experimental data. By analyzing the variation of the electron mobility for the two-dimensional electron gas （213EG） with the electric field in the linear region of the AlGaN/AlN/GaN HFET I-V output characteristics, it is found that the polarization Coulomb field scattering still plays an important role in the electron mobility of AlGaN/AlN/GaN HFETs at the higher drain voltage and channel electric field. As drain voltage and channel electric field increase, the 2DEG density reduces and the polarization Coulomb field scattering increases, as a result, the 2DEG electron mobility decreases.     

利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的α面GaN中两步AlN缓冲层的优化

采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究.两步AIN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到...