3－苯氧甲基－6－（2，4－二氟苯基）－7H-1,2,4-三唑并[3,4-b][1,3,4]噻二嗪的合成与晶体结构研究

由苯氧乙酸出发，经多步反应，制得3-苯氧甲基－4－氨基－5－巯基－1，2， 4－三唑，它与2-氯－2'，4'－二氟苯乙酮进行环化反应，生成3-苯氧甲基－6－（ 2,4-二氟苯基）－7H-1,2,4-三唑并[3,4-b][1,3,4]噻二嗪，通过元素分析、红外 光谱、核磁共振氢谱与碳谱、质谱进行表征，并利用单晶X射线衍射法测定其结构 。晶体属单斜晶系、P2_(1/c)空间群，a = 1.339(3) nm, b = 1.4683(4) nm, c = 0.8606(2) nm, β = 108.49(2)°, Z = 4, F(000) = 736, R_1 = 0.0509。还 对均三唑并噻二唑两类稠杂环的晶体结构作了比较。     

3-苄基-4-氨基-5-芳胺基-1,2,4-三唑的合成与表征

酰氨基硫脲是一类重要的有机合成中间体[1-3]。其最终产物大都有消炎、镇痛、抗菌、杀虫、除草、调节植物生长等生理活性。本文以苯乙酸乙酯与芳胺为基本原料,经多步反应,制得1 苯乙酰基 4 芳基氨基硫脲,研究了它们在水合肼存在下的关环反应,合成了3 苄基 4 氨基 5 芳胺基 1,2,4 三唑,其结构经元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、碳谱表征。1　实验部分1 1　仪器与试剂ＸＴ4Ａ型显微熔点仪(温度计未校正);ＣＥ公司(意大利)Ｆｌａｓｈ1112型自动元素分析仪;Ｂｒｕｋｅｒ公司(德国)Ｅｑｕｉｎｏｘ55型红外分光光度计,ＫＢｒ压片;Ｂｒｕｋ…     

基于排队的库存服务系统最优控制策略

研究一个连续盘点的(s,Q)补货的库存服务系统。基于排队理论建立库存水平状态平衡方程,并推导出库存水平稳态概率分布以及作为库存控制的系统稳态性能指标。以库存成本最小化为目标,构建服务水平约束的库存控制模型。针对模型的非线性约束与整数型变量的特征,采用一种改进的遗传算法(IGA)用于决策变量的寻优。数值实验表明,当目标服务水平大于库存系统内生的服务水平时,实施服务水平约束能够降低库存控制成本。     

电子束辐照处理模拟甲苯废气的实验

目前治理低浓度甲苯废气的传统方法还存在很多问题，还需研发新的治理技术，为此，进行了电子束辐照处理甲苯的动态实验。     

一种测试小分子迁移的新方法

针对高聚物材料中小分子的迁移现象,结合数字图像处理技术,提出了一种基于钠光和斐索等厚原理的光学干涉法.介绍了系统测试原理,针对光学系统的设计作了详细的分析与计算;通过实验测试,设计的光学系统能够采集到清晰的干涉条纹,且满足测试精度要求,由条纹间距随时间的变化测出了丙酮和乙醇小分子迁移时高聚物折射率的变化规律为:丙酮小分...     

3-(D-葡萄糖-1-基)-6-芳基-7H-1，2，4-三唑并[3，4-b][1，3，4]噻二嗪类化合物的合成及波谱研究

ω-溴代芳香基乙酮与3-(D-葡萄糖-1-基)-4-氨基-5-巯基-1，2，4-三唑反应 合成了一系列新颖的3-(D-葡萄糖-1-基)-6-芳基-7H-1，2，4三唑并[3，4-b[1，3 ，4]噻二嗪．用元素分析，IR，NMR，MS对其结构进行了表征，研究了其NMR波谱特 征，并以^1H-^1H COSY，^13C-^1H COSY，COLOC二维NMR技术对其^1H NMR，^13C NMR的谱峰进行了全归属     

基于五氧化二钽集成非线性光波导的高重复频率 宽带平坦相干光频率梳的产生

通过波导结构设计以及色散调控,基于孤子脉冲压缩、自相位调制和光波分裂效应,用0.22 m反常色散五氧化二钽波导级联0.9 m正常色散五氧化二钽波导产生在1 520～1 580 nm波段具有4 dB平坦度、60 nm带宽的平坦光频率梳.利用X-Frog技术分析了脉冲在传输过程中的时谱演化,并且研究了产生光频率梳的相干性.时谱演化指出自相位调制和光波分裂的共同作用使得光频率梳的光谱包络变宽,并且具有良好的平坦度.一阶复互相干度计算指出光频率梳具有较好的相干性.仿真结果表明,五氧化二钽集成非线性光波导在产生高重复频率平坦相干宽带光频率梳方面具有较好的前景.     

纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性

采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63 ℃,高于光学相变温度,60 ℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO₂薄膜的半导体-金属相变特性。     

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生...     

Ge基二维正方晶格光子晶体带隙优化设计

采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方晶格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响。结果表明：在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.19~0.47范围内,最大完全帯隙禁带宽度可以达到0.064（归一化频率）;在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46~0.49范围内,最大完全帯隙禁带宽度可以达到0.051（归一化频率）。同时,不论在介质柱型还是空气孔型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势。