硬脂酸/异氰酸酯摩尔比对聚丙烯/木粉复合材料性能的影响

用甲苯-2,4-二异氰酸酯（TDI）和硬脂酸（SA）复合改性木粉,在双螺杆挤出机中制备了聚丙烯（PP）基的木塑复合材料（WPC）,研究了SA/TDI摩尔比对木粉表面性能、复合材料力学性能和加工性能的影响。 结果表明,随着SA/TDI摩尔比的增大,改性木粉的表面张力逐渐减小,与PP的界面张力先减小后增大;与未改性的WPC相比,SA/TDI复合改性剂对WPC的拉伸强度、弯曲强度、缺口冲击强度影响不明显,但对无缺口冲击强度提升较大;当SA/TDI摩尔比为1.07时,复合材料的无缺口冲击强度和熔体质量流动速率分别达到9.74 kJ/m2和13.12 g/10 min,分别比未改性WPC提高了77%和22%。     

第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会紧急通知

考虑诸多因素 ,第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 ,两会合并、联合召开 ,统一组织、统一领导。会期 :2 0 0 0年 1 0月　　地址 :重庆市西南师范大学收稿截止日期 :2 0 0 0年 3月 3 1日 (以邮戳为准 )论文处理 :会议筹备组将组织专家对应征论文进行评审 ,决定取舍。录用的论文将安排在会上口头报告或报展 ,并在会前出论文集。请自留底稿 ,恕不退还。收稿地址 :两个收稿地址等效。1　重庆市西南师范大学化学化工学院周光明、黄玉明同志收 ,邮编 :4 0 0 71 52　北京海淀区学院南路 76号光谱与分析期刊社孟广政同…     

扩展的Jacobi椭圆函数展开法和Zakharov方程组的新的精确周期解

对Jacobi椭圆函数展开法进行了扩展，且利用这一方法求出了Zakharov方程组的一系列新的精确周期解，在极限情况下可得到相应的孤波解，补充了前面研究的结果. 关键词： Jacobi椭圆函数展开法 非线性发展方程 精确解 周期解     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生...     

一种测试小分子迁移的新方法

针对高聚物材料中小分子的迁移现象,结合数字图像处理技术,提出了一种基于钠光和斐索等厚原理的光学干涉法.介绍了系统测试原理,针对光学系统的设计作了详细的分析与计算;通过实验测试,设计的光学系统能够采集到清晰的干涉条纹,且满足测试精度要求,由条纹间距随时间的变化测出了丙酮和乙醇小分子迁移时高聚物折射率的变化规律为:丙酮小分...     

基于光纤布拉格光栅的智能服装人体测温模型研究

根据热量传递机理建立了智能服装中光纤布拉格光栅人体测温的热传递物理模型,对人体、空气层和服装之间的热传递进行了有限元建模和稳态热分析,确定了智能服装中光纤布拉格光栅温度场的数学模型,利用该数学模型对光纤布拉格光栅测量温度值进行了修正.在多点加权皮肤平均温度的基础上,提出了由左右胸、左右腋和后背五处皮肤温度构成的智能服装...