全文获取类型
收费全文 | 1072篇 |
免费 | 289篇 |
国内免费 | 220篇 |
专业分类
化学 | 391篇 |
晶体学 | 11篇 |
力学 | 178篇 |
综合类 | 36篇 |
数学 | 211篇 |
物理学 | 754篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 19篇 |
2022年 | 33篇 |
2021年 | 32篇 |
2020年 | 31篇 |
2019年 | 41篇 |
2018年 | 30篇 |
2017年 | 30篇 |
2016年 | 53篇 |
2015年 | 37篇 |
2014年 | 54篇 |
2013年 | 45篇 |
2012年 | 74篇 |
2011年 | 67篇 |
2010年 | 88篇 |
2009年 | 73篇 |
2008年 | 67篇 |
2007年 | 84篇 |
2006年 | 90篇 |
2005年 | 52篇 |
2004年 | 62篇 |
2003年 | 49篇 |
2002年 | 44篇 |
2001年 | 35篇 |
2000年 | 50篇 |
1999年 | 27篇 |
1998年 | 11篇 |
1997年 | 23篇 |
1996年 | 17篇 |
1995年 | 16篇 |
1994年 | 29篇 |
1993年 | 34篇 |
1992年 | 30篇 |
1991年 | 16篇 |
1990年 | 24篇 |
1989年 | 14篇 |
1988年 | 18篇 |
1987年 | 18篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 20篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 4篇 |
1979年 | 3篇 |
1964年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有1581条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
93.
Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials 下载免费PDF全文
Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition (SOD). In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 (decamethylcyclopentasiloxane) as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field. 相似文献
94.
熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R>10.0时调制较弱且相互接近, R<5.0时调制显著增强. 当R取1---3时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.0---3.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的"趋肤效应": 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强. 相似文献
95.
利用单分散的SiO2微球自组装制备了含一种尺寸微球的SiO2胶体晶体和含多种尺寸微球的多层异质结构。对含一种尺寸微球的SiO2胶体晶体进行煅烧和刻蚀处理后,胶体晶体中空隙所占比例大于立方密堆结构的26%,形成了非密堆结构,而且刻蚀时间越长,空隙比例越大。在同样的热处理和刻蚀条件下,微球尺寸越小的胶体晶体被刻蚀的程度越高,结构中空气空隙所占的比例越大。对SiO2多层异质结构经过煅烧和刻蚀处理后,得到了空隙梯度变化的多层结构,以此为模板制备了密度梯度变化的聚苯乙烯多孔薄膜。薄膜各层之间形成了平滑的过渡,没有显示出明显的层间缺陷,且孔与孔之间没有出现3维有序多孔结构中常见的大的连通孔道。 相似文献
96.
Mode decoupling in solid state ring laser based on stimulated Raman effect in polar crystals 下载免费PDF全文
In this paper we study the gain saturation induced mode-coupling control in solid state ring laser devices based on the stimulated Raman effect of the polar crystals in order to realize solid state ring laser gyroscopes.We theoretically investigate the mode coupling induced by gain saturation between clockwise (CW) and counterclockwise (CCW) propagating laser modes.Because the CW and CCW running waves are pumped with counter-propagating lasers respectively,the independent coexistence can be ensured. 相似文献
97.
98.
首先简单介绍超冷原子注入的微脉塞(MAZER)的基本理论和研究进展,然后具体介绍我们目前关于超冷V型三能级原子注入的双模微脉塞(双模MAZER)的研究工作.我们研究了原子相干性对这种双模MAZER系统中原子的发射几率和原子通过腔的透射几率的影响.结果表明,原子的发射几率随腔长变化的曲线中存在共振峰和非共振平台;当两个模的耦合强度之比一定时,不同注入原子相干性对应的发射几率共振峰呈现出相当大的区别.在原子透射几率随原子动量的变化曲线中也存在共振峰和非共振平台.腔长对原子的速度具有选择性,当腔长给定时,通过适当选择原子的相干参量,可调节原子通过腔的透射几率,从而可对原子的速度进行选择. 相似文献
99.
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了宽度N=8的边缘氢化和非氢化条带的结构和电子性质. 研究表明,扶手形无氢化石墨纳米条带的边缘碳原子是以三重键相互结合,它在边缘的成键强度比氢化时要高,具有更强的化学活性,可作为纳米化学传感器的基础材料. 能带结构计算表明,无论是扶手形条带还是锯齿形条带,它们都是具有带隙的半导体,且无氢化条带的带隙要比氢化的条带带隙宽度大,氢化对于条带的电子性质具有显著修饰作用. 通过锯齿形石墨纳米条带顺磁性、铁磁性和反铁磁性的计算,发现反铁磁的状态最稳定,并且边缘磁性最强,这有利于条带在自旋电子器件中的应用.
关键词:
石墨纳米条带
成键机理
电子结构
自旋分布 相似文献
100.
The effect of defect density on the modulation of incident laser waves is investigated. First, based on the actual defect distribution in the subsurface of fused silica, a three-dimensional (3D) grid model of defect sites is constructed. The 3D finite-difference time-domain method is developed to solve the Maxwell equations. Then the electrical field intensity in the vicinity of the defect sites in the subsurface of fused silica is numerically calculated. The relationships between the maximal electrical field intensity in fused silica and the geometry of the defect sites are given. The simulated results reveal that the modulation becomes more remarkable with an increase of the defect density. In addition, the effect of the distribution mode of defects on modulation is discussed. Meanwhile, the underlying physical mechanism is analyzed in detail. 相似文献