核实数据下响应变量缺失的线性EV模型经验似然推断

考虑响应变量随机缺失而协变量带有误差的线性模型,借助于核实数据和借补方法,构造了回归系数的两种经验似然比,证明了所提出的估计的经验对数似然比渐近于一个自由度为1的独立χ2变量的加权和;而经调整后所得的调整经验对数似然比渐近于自由度为p的χ2分布,该结果可以用来构造未知参数的置信域.此外,我们也构造了响应均值的调整经验对数似然比统计量,并证明了所提出的统计量渐近于x2分布,可用此结果构造响应均值的置信域.通过模拟研究比较了置信域的精度及其平均区间长度.     

高聚物与光场相互作用的微观机制

分析光场与高聚物相互作用的微观机制，介绍高分子与小分子在光场作用下的极化过程。对在窄束光场作用下，高分子链极化后链上各处极化程度的分布情况进行研究，指出对于高度拉伸的聚合物薄膜，电偶极子模型不适合准确解释高分子与光场相互作用的微观机制。为此，采用符合实际的天线模型分析高分子天线与窄束光场的相互作用，从理论上推导出天线模型高分子链上一小段的极化公式，并用离散变分方法——DVM（discrete variational method）计算一个高分子链的极化分布，验证了文中推导出的分式的合理性。最后，将极化分布看作是电流在天线上的分布，计算了天线的次级辐射在空间中的角分布，得到天线模型对电偶极子模型的修正因子。     

三维荧光与紫外光谱联合表征样品中猝灭剂赋存状态:以胡敏酸与Fe(Ⅲ)相互作用为例

利用三维荧光-紫外光谱表征了荧光猝灭剂的赋存状态,当样品体系中存在Fe(Ⅲ)的情况下,胡敏酸会发生荧光猝灭现象,而其紫外光谱基本不受影响。考察了胡敏酸荧光强度I值(Ex/Em=300 nm/510nm)和紫外吸光度A值(UV300)的变化,I/A比值越小,说明水样中猝灭剂Fe(Ⅲ)浓度越高。当胡敏酸为10,15和20 mg·L~(-1)时,根据Stern-Volmer公式I/I_0=1-f_c×K_c×[c]/(1+K_c×[c])以及拟合函数I/A=f×[k/(CFe~(3+)+c)+b],拟合得到荧光猝灭常数K_c=1.08~1.15,比例系数f_c=1.10~1.14之间,胡敏酸荧光强度值与吸光度比值(I/A)及铁离子浓度(C_(Fe~(3+))相关曲线系数f=0.83~1.19,k=587.19~612.19,c=0.87~0.92,b=-87.09~-46.36,拟合曲线相关性R~2均为0.99。Stern-Volmer公式描述了Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的猝灭作用,但实际样品测定时难以获得无猝灭剂时的荧光强度I_0。基于荧光强度I_0与紫外吸光度A之间的内在联系,两者比值I/A与Fe(Ⅲ)浓度c的拟合函数亦可以反映Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的影响。利用拟合公式预测城市污水厂及纳污河流样品的树脂分离富集液中铁离子浓度,与电感耦合等离子体发射光谱仪实际测量值相比,铁离子浓度较高的情况下(铁离子浓度大于0.4 mg·L~(-1)时)预测结果较好,可以判断猝灭剂的存在及相应浓度。     

GdBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)超导体系结构相变及拉曼谱特征

采用固态反应法制备了GdBa2Cu3-xFexO7-δ(x=0.00-0.30)系列样品,利用X射线衍射、拉曼光谱以及电测量技术对体系的晶体结构、拉曼散射谱特征以及电输运特性进行了系统研究。结果表明,当Fe掺杂量在x=0.05-0.10区间时,体系的晶体结构发生了从正交相到四方相的转变。通过对拉曼光谱中典型振动模的指认及振动模随Fe掺杂量的变化规律,得到了拉曼谱随体系正交-四方结构相变的变化特征:对于具有正交相的x=0.00-0.05样品,拉曼谱具有五个与正交相结构相对应的特征峰;而对于具有四方相的x=0.10-0.30样品,随Fe掺杂量增加,振动模强度变弱,且典型振动模发生了不同程度的展宽或频移。电输运测量表明,随Fe掺杂量的增加,超导临界温度Tc降低,正常态电阻率增加且发生了金属-半导体相变。     

Fe2+-H2O2-RhB体系荧光猝灭法测定CAT活度

基于Fe²⁺-H₂O₂-RhB荧光猝灭体系实现过氧化氢酶(CAT)活度测定。荧光物质罗丹明B(RhB)于585 nm处有特征荧光峰,H₂O₂、Fe²⁺协同作用致其荧光猝灭,CAT是H₂O₂分解专属酶,CAT对H₂O₂的前期分解在一定程度上保留了RhB荧光。结果表明,加酶前后荧光强度变化(ΔF)与酶活度之间线性相关,线性范围为5.6×10^-5～5.6×10^-2 U/mL,其线性方程为ΔF=-3.466+1 472E(U/mL),相关系数r=0.9962,检测限为2.6×10^-5U/mL。该方法具有良好的重现性和准确性,可应用于人体血清CAT活度的快速检测。     

Growth of β-Ga2O3 nanorods by ammoniating Ga2O3/V thin films on Si substrate

This paper reports that/3-Ga2O3 nanorods have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films on a V middle layer deposited on Si（111） substrates. The synthesized nanorods were confirmed as monoclinic Ga2O3 by x-ray diffraction,Fourier transform infrared spectra. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy reveal that the grown β-Ga2O3 nanorods have a smooth and clean surface with diameters ranging from 100 nm to 200 nm and lengths typically up to 2μm. High resolution TEM and selected-area electron diffraction shows that the nanorods are pure monoclinic Ga2O3 single crystal. The photoluminescence spectrum indicates that the Ga2O3 nanorods have a good emission property. The growth mechanism is discussed briefly.     

LD泵浦Nd:YAG 946 nm/1 064 nm双波长运转及腔内和频

用国产半导体激光二极管(LD)端面泵浦NdYAG晶体, 通过优化激光谐振腔反射膜系,调节1 064 nm谱线的线性损耗以达到与弱谱线946 nm的增益匹配,在室温下实现1 064 nm和946 nm双波长连续运转,并通过I类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4W时和频青色激光最大输出达20 mW,光-光转换效率为1.4%,功率稳定性24 h内优于±3%.     

On generalized hamiltonian systems

1. PreliminaryIt is well known that{1] a 8ymPlectic form is invariant along the trajectory of a Hamilto-nian system. Based on this fundamental property, certain techniques have been developed.The purpose of this paper is to extend such an approach to a wider class of dynamic systeIns,namely, genera1ized Hamiltonian systems. Our purpose is to investigate a class of dynaInicsystems, which possess a certain "geometric structure".Deflnition 1.1[1'2]. Let M be a tIlallifo1d. w E fl'(M) is call…     

共振光子晶体中Laue孤子传播的动力学行为

从理论上研究了Laue孤子传播的动力学行为，并通过数值模拟验证了这些行为.结果表明，由于非线性衍射，入射脉冲会分裂产生四种模式，其中产生的Laue孤子的传播行为与一般共振介质中孤子的传播行为相似.     

在WBEPM理论下EuⅠ原子里德堡能级计算(英文)

依据最弱受约束电子势模型理论,计算了铕原子4f76snd6D9/2(n≥13)、4f76snd8D9/2(n≥17)、4f76snd8D5/2(n≥15)和4f76snd8D3/2(n≥21)里德堡系列能级.计算结果与实验值的最大相对误差为4×10-5,最大绝对误差是1.91cm-1,达到了较高精度,这表明文中的外推数据是可信的.