超临界流体色谱流程设计及其应用

本文设计了多功能超临界流体色谱流程,流程中包括毛细管/微填充柱SFC,GC,计算机控制温度、压力、密度及信号采集、处理,配置有超临界流体萃取池,解决了超临界流体色谱分流口易堵问题。利用该流程,将石腊、DC-200气相色谱固定相、黄油、蜂蜡、救心油、红花油等样品进行超临界流体色谱分离。     

用于白光LED的高亮度蓝白色荧光粉Ca2SiO3Cl2：Eu2+的发光性质

采用固相法在较低温度下合成了Eu²⁺激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca₂SiO₃Cl₂晶体中占据两种不同Ca²⁺格位的Eu²⁺离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu²⁺浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu²⁺浓度为0.005mol^-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca₂SiO₃Cl₂:Eu²⁺可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。     

人类可能面临的十种灾难

人类在高速发展现代文明的同时，不可忽略许多灾难在逐步逼近我们，本文总结了人类可能面临的十种灾难，并对其发生的概率和应对的措施有较详细的论述。     

锥形光纤间耦合特性的分析与检测

将通信光纤的末端拉制成锥形，利用光信号在光纤锥形区特有的传输和耦合特性，实现了光纤的耦合、连接和分束。用耦合模理论分析了锥形光纤间的传输和耦合性质，给出了光信号两锥形光纤间的耦合与两锥形光纤的距离和锥形区重叠长度等实验结果。     

高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

Kirchhoff方程的相对常值特解及其Lyapunov稳定性

对于超细长弹性杆静力学的Kirchhoff方程，用动力学的概念和方法研究其常值特解 和稳定性问题.计算了Kirchhoff方程相对固定坐标系、截面主轴坐标系以及中心线Frenet 坐标系的常值特解，进行了Kirchhoff动力学比拟，用一次近似理论分别讨论了它们的Lyapu nov稳定性，导出了若干稳定性判据，并在参数平面上绘出了稳定域. 关键词： 超细长弹性杆 Kirchhoff方程 常值特解 Lyapunov稳定性     

高压增氧T′相铜氧化合物Eu_2CuO_(4+δ)低温反常磁性的研究

本文系统地研究了高氧压下合成的Ｔ′相铜氧化合物Ｅｕ２ＣｕＯ４＋δ样品的结构及磁性，发现了一个由氧掺杂引起位于２８Ｋ具有弱铁磁性特征的磁化率反常．我们的结果表明氧掺杂导致的弱铁磁性不能按稀土离子的尺度效应来解释，而可能是氧掺杂在ＣｕＯ２面形成的空穴非均匀聚集导致的局域畸变产生．本文还对Ｔ′相超导体的一些超导特性作了解释．     

Sobolev空间H~s(R~n)上矩阵伸缩的多尺度分析特征刻画

本文对高维Sobolev空间Hs(Rn)上具有矩阵伸缩的多尺度分析特征进行了 刻划,特别给出了稠密性特征的一个充分必要条件,从而解决了文献[4]中提出的一个 问题.所得结果覆盖了这方面的已知结论.     

分离流动的脉冲热线测量方法研究与应用

1引言分离流动经常出现在许多实际流动中，对流体机械和飞行器产生重大影响。但由于这种流动具有方向性，变化快，给测量带来了困难。到目前为止，主要有以下三种测量方法：山激光多普勒测速治（＊D川；（2）飞行热线（F坊In含＊。卜w让e）；O）脉冲热线技术（PulsedAVire。‘脉冲热线”比“激光多普勒测速仪”价格低一个数量级，操作简单，是一种比较理想的测量技术。其原理最初由Baner山提出，随后经过BradburyP］，Eaton问，Castro＊和Fernholz问等人不断发展与完善，目前国外正推广应用在分离流动的研究中。但在国内，尚不多见其…     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.