柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究

利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜,通过SEM(扫描电子显微镜)、XRD(X射线衍射仪)、四探针测试仪、分光光度计,分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示:在纯氩气环境下,溅射功率为200W,工作气压为1.5Pa,在衬底温度为185℃~225℃时,薄膜的光电特性最好,ITO薄膜的电阻率为3.64×10-4Ω·cm,透过率为97%。     

金属/介质透明电极优化设计

结合光子晶体和光学多层膜理论对金属/介质一维光子晶体(MD-PBG)透明电极进行优化设计,得到了在可见区有很高的透过率,而在红外波段有非常高的反射率的设计结果,并用真空热蒸镀的方法制造了与理论设计相符合的具有良好光学和电学性能的透明电极。     

折反射周视系统研究进展与展望

折反射周视系统作为近十几年发展起来的一种新型周视视觉实现形式,相比相机旋转扫描、多相机图像拼接和鱼眼镜头大视场成像等常规方法,在小型化、结构灵活性、成本和实时性方面具有优势。本文综述了折反射周视系统的成像模型、系统标定、畸变校正和全视场清晰成像等基本问题研究状况,讨论了折反射周视系统在红外成像和立体视觉领域的扩展应用研究现状,最后总结了目前存在的问题,并提出未来折反射周视成像系统将围绕非单视点成像模型、提高空间分辨力的方法和处理算法实时实现开展研究。     

光子晶体的制备方法及其应用

光子晶体是一种介电常数不同的、其空间呈周期分布的新型光学材料。由于光子晶体具有光子带隙、光子局域和控制光子态密度等特性,所以它具有广阔的应用前景。简述了光子晶体的主要特征,重点介绍了其制备方法、进展以及实际的和潜在的应用。     

ITO的表面处理对有机电致发光器件性能的影响

作为有机电致发光器件(OLEDs)的一个主要部分,ITO的表面形貌以及表面性能对整个器件的性能起着决定性的作用。介绍了对ITO的各种处理方法,包括O2Plasma和UV ozone等。这些方法可以改变ITO的表面化学成分以及结构,可以大幅度地提高器件的亮度、寿命以及稳定性,使OLEDs的实用化成为可能。     

用投影法实现符号代换

本文提出了一种实现符号代换的方法.将无透镜投影系统与一个顺序逻辑门阵列和记录装置结合,构成了一个实现符号代换的装置.采用发光二极管(LED)做光源,同时做运算的控制元件,使符号代换的过程实现完全的光电操作.给出了实验的原理、过程及结果.     

Optimized design and experiment of one-dimensional omnidirectional reflector using P-wave angle domain compensated overlapping method

The optimized method of extending the omni-photonic band gap (omni-PBG) was discussed based on analyzing the P-wave reflectivity characteristics in one-dimensional (1D) periodic multilayer film.A visible omnidirectional reflector with hybrid structure was designed using P-wave compensated overlapping in angle domain.The experimental result was in good agreement with the theoretical simulation.     

溶剂预处理结合热退火提升聚噻吩结晶度及其光伏性能

活性层的微观形貌在很大程度上决定了聚合物光伏器件的性能表现并依赖于制备工艺条件。为了改善薄膜内部分子排布结构并追求较高的器件光电转化效率,采用溶液法制备了基于P3HT∶PCBM的聚合物太阳能电池(器件结构:ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al),通过改变器件制备流程中活性层退火处理工艺,研究了热退火、溶剂退火以及溶剂预处理结合热处理的双重退火对聚合物太阳电池性能的影响。研究发现:双重退火的光伏器件的各项性能参数均优于单一退火处理器件,获得了3.25%的光电转化效率。原子力显微镜及X射线衍射仪的表征结果进一步证明:双重退火处理能够在促进聚合物给体良好有序结晶的同时保证共混组分适度地相分离,从而有利于光生激子的解离以及载流子的传输。     

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm~2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.