Y-Ba-Cu-O化合物的晶体结构畸变对超导性能的影响

本文研究了不同处理条件(烧结后不同冷却速度和在不同气氛中时效)产生的晶格畸变对Y-Ba-Cu-O化合物超导性能的影响。结果发现,随烧结后的冷速增加,正交层状钙铁矿相的三对X射线主衍射峰的强度逐渐发生反转现象,伴随超导性能的改变。同时,该化合物超导体与水蒸汽、CO等极性分子间存在着强烈的交互作用,使得正交相的衍射峰的强度发生相似变化,并可导致样品在液氮温区失超。这说明正交相的畸变与Y-Ba-Cu-O化合物的超导性能有着密切的关系。并由实验结果的分析和计算揭示了二者的定量关系。同时,用极化理论和晶体场模型就畸变对超导性能的影响作了定性的解释。     

欧氏空间中加细采样的小波标架不变性

设A、B分别为Z~(δ×δ)允许矩阵和加细允许矩阵,Ψ(?)L~2(R~8)为有限个函数的集合。如果Ψ可以生成L~2(R~8)的小波标架则也为L~2(R~8)的小波标架,且标架界分别为原来的|detB|倍,在实际计算中具有更小的误差。     

低磁场过模慢波结构型高功率毫米波发生器的改进

 利用粒子模拟的方法设计了一个高功率毫米波发生器,并对其进行了实验研究及改进。采用过模慢波结构以增大束波作用空间,从而提高功率容量;为实现过模慢波器件的单模、单频工作,选择TM01模的π模作为工作模式。采用过模慢波结构,结合合理的器件结构设计,可降低器件工作所需的导引磁场。实验在TORCH-01加速器平台进行,产生的微波频率由色散线法测量,其功率由远场积分法得到。最初的器件采用矩形波纹慢波结构,得到频率为33.56 GHz、功率约110 MW的微波输出,但功率难以进一步提高,脉宽仅为7~8 ns,且在慢波结构边沿发现击穿痕迹。对矩形慢波结构进行倒圆角处理后,借助数值模拟,发现其TM01模的π模频率变化不大。改进后的器件在0.8 T导引磁场下,当电压和电流分别为590 kV与5.2 kA时,实验得到频率33.56 GHz、功率320 MW的毫米波输出,微波模式为准TM01模,效率约10%,脉宽延长至约13 ns,器件内表面无明显击穿痕迹。     

电子束收集极对大间隙速调管输出腔效率的影响

 利用高频电磁软件对带电子束收集极的S波段大间隙输出腔进行了高频特性分析,采用3维PIC程序模拟了电子束收集极对大间隙速调管输出效率的影响。研究结果表明：收集极的存在会改变输出腔的本征谐振频率和电子束路径上的特性阻抗等高频特性,但收集极可以短路间隙附近的径向电场,减小电子束的空间电荷压力,同时对群聚电子进行再加速,从而提高大间隙速调管的输出效率;在束电压700 kV,直流电流6 kA时,优化后的带收集极的大间隙输出腔可稳定提取大于1.68 GW的微波功率,提取效率约40.1%,比无收集极时提高约5%。     

高负载量LaMnOx/SBA-15的制备及其催化甲苯燃烧性能

采用逐层负载-孔道内氨/水蒸气原位羟化法制备了高负载量的LaMnOx/SBA-15催化剂,并采用X射线衍射、N2吸附-脱附和程序升温还原等技术对催化剂进行了表征,考察了其催化甲苯燃烧的性能.结果表明,孔道内氨/水蒸气原位羟化提高了LaMnOx活性物种在SBA-15孔道内的分散度和还原性,显著改善了高负载量的LaMnOx...     

拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应

拓扑绝缘体是近年来发现的一类新的量子材料,已成为凝聚态物理的研究热点领域.厚度仅几纳米的拓扑绝缘体薄膜不但具有奇特的物理性质,而且还是拓扑绝缘体应用于平面器件的基础.文章以Bi2Se3为例,介绍了Bi2Se3家族拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长以及其能带、自旋结构和拓扑性质随层厚的演化.这些结果为人工调控拓扑绝缘体的电子结构和物理性质提供了指导.     

Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator: Sn/Si(111)-(√30×√30)R30°

Unusual quantum phenomena usually emerge upon doping Mott insulators. Using a molecular beam epitaxy system integrated with cryogenic scanning tunneling microscope, we investigate the electronic structure of a modulation-doped Mott insulator Sn/Si(111)-($\sqrt{3}\times \sqrt{3})R$30$^\circ$. In underdoped regions, we observe a universal pseudogap opening around the Fermi level, which changes little with the applied magnetic field and the occurrence of Sn vacancies. The pseudogap gets smeared out at elevated temperatures and alters in size with the spatial confinement of the Mott insulating phase. Our findings, along with the previously observed superconductivity at a higher doping level, are highly reminiscent of the electronic phase diagram in the doped copper oxide compounds.     

界面超导新进展:外延于SrTiO_3衬底上的单层FeSe薄膜的超导转变温度超过40K

<正>界面超导概念的起源可追溯至50多年前物理学家对二维超导的研究。1968年,首次在实验上观测到界面增强超导现象,即当Al与Cu或者Sn混杂形成超晶格时,其超导转变温度提高接近1 K[1]。在1986年和2008年发现的铜基[2]和铁基[3]两大类高温超导体系都具有层状三明治结构,形成库珀对的载流子来源于氧化物电荷库层的掺杂。不仅铜基和铁基两大类高温超导体系,     

原子力显微镜中化学成键对力的贡献

迄今非接触原子力显微镜已经成为一个非常强大的工具. 它不仅能够得到表面的原子周期结构,还能给出分子内部的化学键信息. 针尖和样品之间的相互作用是原子力显微镜的有效信号,主要包括三种,即范德瓦尔斯相互作用、静电相互作用和化学键相互作用. 本文在生长于Si(111)-7×7 的铅薄膜上测量了针尖和样品之间的化学键相互作用. 通过获取该相互作用随偏压的变化,并且利用抛物线拟合有效局域接触势的位置,我们发现它是随着针尖和样品之间距离的增大而减小的. 这种趋势来自于针尖和样品之间波函数的交叠. 从而可以得到电子的衰减长度. 我们还测量到了该衰减长度随着铅薄膜厚度的变化会发生振荡,这种振荡归因于平顶楔形铅岛内电子的量子尺寸效应.     

Lu(La)2O3微米晶中提高Bi3+离子下转换蓝光发光性能的研究

采用尿素沉淀法制备一系列Bi³⁺/La³⁺共掺Lu₂O₃和Bi³⁺/Lu³⁺共掺La₂O₃微米晶。在掺杂Bi³⁺离子的Lu₂O₃微米晶中,C₂位点的Bi³⁺离子可以将吸收的能量转移给S₆位点的Bi³⁺离子。同时,在Lu₂O₃:1%Bi³⁺,0～5%(摩尔分数,下同)La³⁺微米晶中,372和337 nm(C₂和S₆位点的Bi³⁺离子)紫外光的激发下,Bi³⁺离子的发射峰强度随着La³⁺离子掺杂浓度的增加而增加,掺杂5%La³⁺时与不掺杂La