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设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用了分子束外延方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单个发光单元宽度为100 μm,发光单元周期为500 μm,单线阵器件包括19个发光单元,单线阵器件的连续输出功率为50 W,每只单线阵器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成,采用平凸柱透镜实现了合束光束与400 μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合,整体耦合效率达到65%,最大耦合输出功率达到195 W,光纤端面功率密度达到1.55×105 W/cm2. 相似文献
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关于算子─(△—ia) ̄2+Ⅴ的性质(Ⅰ)余开奇,马吉薄(南京航空航天大学数理力学系,210016)(南京大学数学系,210008)关键词自伴算子,本质自扩张,Schrodiuger算子.分类号AMs(1991)47F05,47B80/CCLO177.... 相似文献
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在普通化学课教学中,我们采取学生上台演示试验的做法,效果较好。具体做法是课前选择两位同学,在任课教师指导下把演示试验做成功,再到课堂上做给大家看。例如,为了讲磷的氢化物,我们在课前让学生自己动手制备好Ca_3P_2,盛在试管里置于干燥器中备用。在课堂上讲到PH_3时,他们便将盛有Ca_3P_2的试管投入装有水的缸中,于是一个个气泡升到水面,接着火光一闪一闪,一个个烟圈冉冉上升, 相似文献
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报道了一种制备六氰亚铁酸镍玻碳修饰电极的电化学方法,产用循环伏安和现场红外光谱电化学方法对该修饰电极进行了研究。结果表明该电极上的NiHCF修饰有两种结构:Ni2Fe(Ⅱ)(CN)6和M2NiFe(Ⅱ)(CN)6,M为碱金属离子。M2NiFe(CN)6结构具有阳离子选择性,而阳离子对Ni2Fe(Ⅱ)(CN)6电化学反庆的影响是间接的。 相似文献
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报道了808nm无铝InGaAsP/GaAs高功率连续阵列半导体激光器,在频率100Hz,脉冲宽度200μs,占空比达20%时,单阵列条的输出光功率室温下达到37W。 相似文献
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通过机械共混和溶液共混制备了多壁碳纳米管(MWNTs)/溴/聚苯乙炔(PPA)三元复合材料,复合材料表现出良好的导电性能,电导率为10S/m,达到掺溴MWNTs的导电水平.通过固体紫外光谱、XPS和SEM分析了复合材料中MWNTs、溴与PPA三者之间的相互作用,研究了独立导电单元的形成,以及导电单元对电导率提高所起的作用.结果表明,当MWNTs含量较低时,MWNTs和PPA之间的溴转移导致复合材料电导率降低;MWNTs含量较高时,独立导电单元的数目增多,复合材料的电导率随之大幅提高. 相似文献