LB技术制备FePt纳米粒子单层膜

FePt纳米粒子由于具有高的矫顽力而成为高密度垂直磁记录材料的研究热点之一,均匀有序排布的FePt纳米粒子薄膜将有利于提高磁记录介质的记录密度,因此,如何使FePt纳米颗粒均匀有序地排布是当前需要解决的关键问题之一,很多研究小组利用磁控溅射、自组装和电沉积等方法对FePt纳米颗粒的均匀分布进行了详细的研究,     

氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

通过反应溅射的方法，制备了N掺杂的Ge₂Sb₂Te₅(N-GST)薄膜，用作相变存储器的存储介质.研究表明，掺杂的N以GeN的形式存在，不仅束缚了Ge₂Sb₂Te₅ (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异，能够在同一存储单元中存储三个状态，实现相变存储器的多态存储功能. 关键词： 相变存储器 多态存储 N掺杂 2Sb₂Te₅')" href="#">Ge₂Sb₂Te₅     

Novel MEMS variable optical attenuator

A novel MEMS variable optical attenuator (VOA), which has completely different attenuation mechanism from those in literatures, is proposed and demonstrated in this paper. The basic operation principle is that the optical power coupled between two initially aligned single-mode fibers will be continuously attenuated while the end of one of the fibers is deflected from the initial position. A micromachined solenoid type inductor with a U-shaped permalloy magnetic core is used to attract the deflectable fiber that has a permalloy coat on its end. To fabricate the multi-layer three-dimensional inductive component, a new UV-LIGA process for thick photoresists is developed, combining advantages of both SU-8 and AZ-4000 series photoresists. The inductive component is approximately 1.7 mm×1.3 mm×50μm in size and has a low resistance value (- 2.1Ω). The whole size of the VOA before packaging is 30 mmx2 mmx0.6 mm. The first prototype shows less then 3-dB insertion loss at 0-dB attenuation and nearly 40-dB att     

银包金纳米棒的形成及维生素C的局域等离子体共振吸收位移测定法

本文以金纳米棒作为信号感应载体,在pH9.4弱碱性条件下通过维生素C还原AgNO3从而在金纳米棒表面形成包裹层,进而改变金纳米棒的等离子体共振吸收位移,据此建立了一种快速、简单、灵敏的维生素C的等离子体共振吸收位移测定法.方法的线性范围为0.25～10.0μmol/L,检出限(3σ)为0.12mol/L.该方法成功用于维生素C片剂分析,加标回收率95.4%～106.0%.与药典方法进行对比,有满意的精密度和准确度.     

烯烃催化聚合反应中的区位选择性和Mulliken位置电荷

根据茂金属和水杨酸亚胺基后过渡金属催化聚合烯烃反应机理的密度泛函计算化学研究结果,从反应物和过渡态的角度论述了烯烃催化聚合体系中Mulliken位置电荷与区位选择性的相关性.反应物和过渡态对反应的区位选择性有不同影响.反应物通过位置电荷影响前线分子轨道,进而决定反应的区位选择性;过渡态通过位置电荷的离域程度决定反应的区...     

碘诱导Ag@AgI复合纳米颗粒的形成及碘离子的可视化分析

在CuCl2和KI同时存在下,银纳米颗粒表面被氧化,生成Ag@AgI复合纳米颗粒,使得银纳米颗粒在410 nm处的等离子体共振光散射信号降低.该光散射信号变化很容易在普通白色发光二极管(LED)光照射下观察到,据此建立了一种简单的I-可视化分析方法.在pH 7.4 Tris-HCl缓冲溶液中,在1.0×10-4 mol/LCuCl2溶液存在下,I-检测的线性范围为2.0× 10-7～2.0× 10-5mol/L,相关系数为0.9959.常见阴离子对测定无干扰.将本方法用于环境水样和尿液中I-检测,加标回收率分别为95.0％～97.0％和98.7％～103.1％.     

金溶胶用于胶体性质研究实验改进的探索

Fe（OH）3溶胶的制备及溶胶性质研究是大学化学实验课程。教学中发现Fe（OH）3溶胶的光散射性能并不突出,且电解质引起聚沉时的颜色变化不明显,这些不足使得实验效果并不理想。针对上述问题,以金溶胶为研究对象改进实验并进行溶胶动力学性质、光学性质、电泳实验及电解质聚沉作用的研究。结果表明,金溶胶易制备且具有优越的光学性质,性质研究实验操作简单,效果理想,可以代替Fe（OH）3溶胶作为学生实验课中的研究对象用于开展本科生实验教学。     

树脂吸附法处理对氨基苯酚生产废水的研究

本文选用ＣＨＡ－１１１吸附树脂对对氨基苯酚生产过程中的含酚废水进行了处理和回收，研究了树脂种类、吸附流速和脱附剂的类型、浓度、流速、温度等对ＣＨＡ－１１１树脂的吸附、脱附性能的影响，并回收对氨基苯酚取得了满意的效果。     

DME构象的ADF研究

用ＡＤＦ方法对游离状态下的１,２－二甲氧基乙烷（ＤＭＥ）的构象进行了研究。结果表明,能量最低的３种构象ｔｇｇ,’ｔｇｔ,ｔｔｔ的能量相近,其中ｔｔｔ不是能量最低的构象,而且说明ＤＭＥ在气态、液态、固态和游离状态下分别采用哪种构象为最优构象,除了与构象的能量有关外,还受分子间相互作用及分子的对称性是否适合于紧密堆积的影响。     

Improvement of Electrical Properties of the Ge2Sb2Te5 Film by Doping Si for Phase-Change Random Access Memory

Si-doped Ge2Sb2Te5 films have been prepared by dc magnetron co-sputtering with Ge2Sb2Te5 and Si targets. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phasetransition temperature from face-centred-cubic （fcc） phase to hexagonal （hex） phase. The resistivity of the Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with the Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460℃ annealing increases from 1 to 11 mΩ.cm and dynamic resistance increase from 64 to 99Ω compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. This is very helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.