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251.
252.
广义 Liénard 方程的整体渐近性态 总被引:5,自引:0,他引:5
我们研究如下的广义 Liénard 方程的整体渐近性态(?)+f(x)(?)+g(x)=e(t),或等价地,(?)其中,f(x),g(x)是实数轴上的连续函数,e(t)为正半轴上的连续函数. 相似文献
253.
254.
“紧凑环”是内部有环向场和极向场,而外部只有极向场的能量极小化的等离子体位形。本文分析了圆柱形“紧凑环”的无力平衡和稳定性,发现当等离子体柱长度与半径的比值L/R大于1.67时,轴对称的平衡态就会不稳定而发生倾倒。 相似文献
255.
256.
257.
258.
259.
提出了一类新型毫米波大功率微波器件——脊加载曲折波导行波管,推导出了引入电子注后的"热"色散方程.通过数值求解此方程,研究了加脊尺寸和电子注参数对小信号增益影响.计算结果表明:通过适当的尺寸设计和工作参数的选择,此结构在Kα波段具有18.51%的3 dB增益带宽和1.15 dB/周期的增益;相比于常规曲折波导结构,脊加载结构在保证一定带宽的情况下,具有更高的增益和电子效率;为了进一步提高增益,可以适当增加脊宽度和高度,也可在一定范围内增加电子注电流.
关键词:
毫米波
曲折波导
脊加载
小信号增益 相似文献
260.
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.
关键词:
AlGaN/GaN 结构
AlN/GaN超晶格
二维电子气
高电子迁移率晶体管 相似文献