助催化剂对Fe1-xO基氨合成催化剂还原性能的影响

当助催化剂存在是地，Ｆｅ１－ｘＯ基催化剂的还原性能明显优于Ｆｅ３Ｏ４基催化剂，其原因是铝、钾、钙的氧化物对催化剂母体相Ｆｅ１－ｘＯ和Ｆｅ３Ｏ４还原性能的影响不同。由于Ａｌ＾３＋大量地进入Ｆｅ３Ｏ４的晶格而强烈地阻止Ｆｅ３Ｏ４的还原，只有少量的Ａｌ＾３＋能进入Ｆｅ１－ｘＯ晶格，因此对Ｆｅ１－ｘＯ的还原影响很小；     

以1-(2,4,7-三硝基)芴基-2,6-二甲基苯胺为电子传输材料的单层结构有机光导体的研究

系统地研究了在由1-(2,4,-三硝基)芴基-2,6-二甲基苯胺(DMTNF),4-(二乙氨基)-苯甲醛-1,1-二苯基腙(DEH)和Y晶型氧钛酞菁(Y-TiOPc)或非金属酞菁(H₂Pc)构成的单层结构有机光导体的性能,考查了电荷产生材料(CGM)浓度、电场强度和CGM的种类对光导体静电照相性能的影响.研究结果表明,光导体的量子收率和感光度与CGM浓度有很大关系,正充电时随CGM的浓度的增加而增加,负充电时随CGM的浓度增加而降低.两种光导体在近红外光谱区表现出良好的光敏性,适合LD扫描成像.Y-TiOPc光导体的最高峰在80 nm处,半衰曝光量为0.588 μJ/cm²(正充电),0.828 μJ/cm²(负充电);H₂Pc光导体正充电最高峰在800 nm处,半衰曝光量为1.50 μJ/cm²,负充电最高峰在820 nm处,半衰曝光量为1.9 μJ/cm².     

2008年度物理科学二处科学基金项目评审工作综述

物理科学二处主要资助基础物理、粒子物理、核物理、核技术与应用、加速器物理与探测器技术、等离子体物理、同步辐射方法与技术等领域的研究工作.现将2008年物理科学二处基金项目受理、评审情况作一简要综述,使广大科研人员及科研管理部门对资助领域和项目管理的总体状况有所了解,并希望能为2009年度申报科学基金项目的专家提供参考.     

短时高温热处理工艺对YBCO超导薄膜结构和性能的影响

通过无氟高分子辅助金属有机物沉积法(PA-MOD)制备了YBCO超导薄膜,研究了785～845℃的不同短时高温热处理对YBCO薄膜双轴织构、表面形貌及超导性能的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的结果表明,经800℃短时高温处理的YBCO薄膜具有良好的双轴织构和平整致密的表面形貌.物性测量(Quantum-DesignSQUID)的结果表明,该薄膜超导转变温度达到90K,77K自场下的临界电流密度(Jc)为2MA/cm2.     

多目标大博弈中弱Pareto-Berge均衡的存在性

研究了具有任意多个局中人的非合作多目标博弈(多目标大博弈).基于一般非合作博弈中的Berge均衡概念,定义多目标大博弈中的弱Pareto-Berge均衡.进一步推广了截口定理,得到新的截口定理,并且利用这个新的截口定理证明多目标大博弈中弱Pareto-Berge均衡的存在性.多目标大博弈中弱Pareto-Nash均衡的存在性结论可作为弱Pareto-Berge均衡存在性的特例给出.     

SmBa2Cu3O7-x超导块材纳米粉合成工艺研究

本文采用不同相成分纳米前驱粉,制备了一系列SmBa2Cu3O7-x块材,并对其制备工艺进行了研究.纳米前驱粉制备采用本中心自行研发的一种简便高效的"凝胶快速分解法".研究结果表明,采用"凝胶快速分解法",经650℃～950℃的适当热处理可以得到不同相成分的纳米前驱粉;在一定的温度和时间范围内,前驱粉的粒度基本不受热处理温度的影响.磁测量的结果表明,化学成分相同时,前驱粉的相组成对最终的SmBa2Cu3O7-x块材的临界超导转变温度(Tc)并无明显影响.     

辐射法——一种独特多效的复习方法

复习课的目的不仅是温故知新 ,而且应该培养各项能力 ,尤其是整理知识的能力 .我们对复习课教学进行了不懈的探究 ,通过观察和分析 ,我们把突破口定位在如何使学生学会寻找整理知识的线索上 ,构建了一种新的复习方法———辐射法 .1　辐射法概要辐射法是指以主干知识为中心作为     

高温超导体相对定量的磁通钉扎力分析

为了更准确地分析高温超导体在高温如液氮温区的磁通钉扎机制，基于Dew—Hughes模型，对传统的钉扎力标度方法进行了改进，发展了钉扎力密度的多源分析方法．在高温超导体中芯钉扎机制处于主导地位，由正常相和Ginzburg参量(△k)变化引起的点、面和体缺陷在改进分析方法中均将考虑．论中通过几个Bi-2223／Ag带材的钉扎力分析实例对传统的单函数方法和改进多源分析方法进行了比较．结果表明，采用多源分析方法可以更准确地给出样品中起作用的钉扎机制的信息，例如，样品中对磁通钉扎有贡献钉扎中心类型及其相对强度等．     

单主多从博弈中中级社会Nash均衡的存在性与应用

对单主多从博弈进行分析,给出跟随者反应函数的相关性质.进一步,针对跟随者反应函数是集值映射的情形,定义出中级社会Nash均衡,讨论该均衡的存在性,并把该均衡应用到非线性反需求函数的单主多从寡头竞争,得出该模型的中级社会Nash均衡解.     

Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation

Silicon-on-insulator(SOI) devices are sensitive to the total ionizing dose effect due to the existence of buried oxide.In this paper,an extra single-step Si ion implantation into buried oxide layer prior to the normal complementary metal–oxide–semiconductor transistor(CMOS) process is used to harden the SOI wafer.The top-Si quality of the hardened SOI wafer is confirmed to be good enough for device manufacturing through various characterization methods.The radiation experiments show that the total ionizing dose tolerance of the Si implanted SOI device is improved significantly.The metastable electron traps introduced by Si implantation is also investigated by electrical stress.The results show that these traps are very instable,and electrons will tunnel into or out of the metastable electron traps quickly after hot-electroninjection or hot-hole-injection.