2,2’—二硫代双(4,6—二叔丁基苯酚)的晶体和分子结构

一种塑解剂经高压液体色谱分离制备出主要成份2,2′—二硫代双(4,6二叔丁基苯酚)。由质谱分析得到分子量为474化学式为C_(28)H_(2)O_2S_2、晶体呈现孪生。基体单晶属三斜晶系,空间群为(?)PI(NO.2),晶体结构用直接法解出,=0.07。研究结果表明该分子是二硫代酚类化合物。在EI场中,S—S键断裂是主要断裂过程。晶体中,分子的一个环上的羟基是无序分布的。羟基与最邻近的硫原子形成氢键。     

介绍《力学小问题及全国大学生力学竞赛试题》

第五届全国周培源大学生力学竞赛即将举办之际，我们应广大读者的要求，受《力学与实践》编委会委托，整理了《力学小问题与全国大学生力学竞赛试题》，现已由清华大学出版社出版。     

巧用等价转化解含参数的恒成立不等式问题

求解合参数的恒成立不等式问题是近几年来各类考试的热点题，这类问题由于既有参数又有变量，学生往往感到很棘手，常因解法不当花费过多时间或半途而废．如何处理好这类问题呢？等价转化是解决问题、减少运算量的重要途径，即运用等价转化思想将其转化为大家熟悉的函数问题，运用函数的性质求解．1转化为一农函数问题、经过恰当的变形，将其转化为一次函数，运用一次函数的性质求解．一次函数人X）一kx十b（kwt0）有下面性质：‘（1）人x）＞0在b，n」上恒成立ed人m）＞O且人n）＞0；（2）若k＞0，N4人x）＞0在【m，n」上恒成立ed八m）＞…     

~(58,60,62,64)Ni25.1MeV质子非弹性散射研究及其低激发态能谱和B(E2)比率的IBA分析

使用上海原子核研究所1.4m等时性迥旋加速器提供的25.1MeV质子束,测量了偶镍同位索弹性散射和第一激发态2_~+的非弹性散射微分截面。用零程扭曲波玻恩近似(DWBA)作理论分析,得到~(58,60,62,64)Ni 2_1~+态的四极形变参数β_2分别为0.23、0.28,0.25,0.21。采用相互作用玻色子近似(IBA)计算了这些核低激发态能谱及其约化电跃迁几率B(E2)。并对IBA唯象参数作了初步的准粒子无规位相近似(QPRPA)微观计算。     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.     

自由电子激光放大器频谱振荡现象的研究

本文从单粒子模型出发,导出了考虑相对论能量因子一级扰动量影响的色散方程。结果表明:当入射电子能量足够大时,自由电子激光放大器出现频谱振荡现象,产生这种现象的原因是由于相对论能量因子的扰动作用。文中对此进行了比较详细的讨论。 关键词：     

顺磁物质CeF3磁光Faraday效应及其温度特性的量子理论

本文计算了顺磁物质CeF₃因Ce³⁺离子从基态能级4f至5d的电偶极跃迁产生的Fara-day旋转。讨论晶场对Ce⁺³离子4f和5d能级的影响,通过唯象地引入一个与磁化强度M成正比的“附加磁场”H_m=λM,由此获得4f离子在外加磁场和“附加磁场”的共同作用下的一级Zeeman分裂。经劈裂后的两个子能级上各自产生左、右圆偏振光激发的电偶极跃迁,导致磁光Faraday效应。对于波长为0.6328μm的入射光,在60—300 关键词：     

14N遥测核四极共振中的偏离共振效应

本文对遥测NQR谱中的偏离共振效应作了较详细地研究,发现¹⁴N谱线的强度随偏离共振效应而变化。当偏离共振强度与射频场强度接近时,测得的谱线强度最大。该效应可用来增强¹⁴N遥测NQR谱仪的灵敏度。上述实验现象在理论上采用脉冲的激发带宽方法作了解释和讨论。     

微小扰流元件对阵列冲击冷却流动换热的影响

通过实验方法,开展了Re数,冲击高度Z/D,微小扰流元件高度对阵列冲击冷却流动换热特性影响的研究。微小扰流元件的形状为长方体,尺寸为0.4 mm×0.4 mm(长×宽)。冲击孔直径D=4mm,孔间距X/D=Y/D=4,冲击距离Z/D的范围为0.75和3,微小扰流元件高度的范围为0.05D、0.2D、0.4D.对于冲击距离Z/D=0.75,Re数(基于冲击孔直径)的范围为2500～10000;对于冲击距离Z/D=3,Re数范围为5000～20000.结果显示,在微小扰流元件存在的情况下,换热系数显著增强,在本文实验工况下,换热增强达到30%～120%,同时,出流系数基本不变.