二阶和四阶椭圆型偏微分方程的镜像基本解方法及应用

将基本解方法推广到二阶和四阶椭圆型偏微分方程的对称问题,在边界上不需要处理奇异积分.通过坐标变换,将一般二阶和四阶椭圆型偏微分方程化为目前研究较为成熟的调和或双调和方程.再根据镜像法构造出适合对称条件的基本解函数,简化了计算,且不影响计算的精度.通过数值计算结果可以看出,利用镜像技术构造出的基本解,前期准备数据少,可保持精度,是一种有效的数值方法.     

双调和方程奇异边界法的改进及在Kirchhoff板弯曲中的应用

奇异边界法(SBM)是一种基于边界离散的无网格数值方法,在很多科学计算和工程领域中得到广泛的应用．该方法在处理复杂几何区域或者多连通区域时比基本解方法(MFS)数值计算更为稳定,具有易于实施、精度高等优点．SBM数值计算的关键之处在于源强度因子的计算,特别是相对于Laplace方程更为复杂的双调和方程的边界条件下源强度因子的计算．在高阶导数边界条件下,采用反插或者“加减项”原理计算源强度因子相对繁琐．本文对双调和方程的SBM进行了改进,将其中一个插值基函数改进为非奇异基函数形式,避免计算该基函数的源强度因子,极大简化了SBM的数值计算．本文改进对MFS同样有效,可以作为对传统MFS数值算法的补充．数值算例结果表明,本文提出的改进均能得到误差很小的数值解,且算法稳定,计算效率较高．     

显示用上转换绿色发光材料NaYF4：Er，Yb及其特性

采用喷射微波燃烧合成法制备了上转换发光显示器中发绿光的上转换发光材料NaYF4:Er,Yb.测试了该材料的XRD衍射图谱和发光效率.给出了该材料在1 064 nm三种激光功率激发下的发光光谱.分析了该材料的上转换发光机理,得到545 nm和662 nm峰值发光分别是Er3+的4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁产生的.NaYF4:Er,Yb具有较强的上转换绿光,同时存在的较弱的红光易于用滤色膜滤除,满足显示对三基色中绿色的要求;并且喷射微波燃烧合成法制备的该材料达到了高分辨率显示应用超细粉体的要求.     

高亮度掺杂红色有机电致发光器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用主体材料与掺杂材料在一个真空腔体同时共同蒸发,制备了一种高亮度多层结构的红色有机电致发光(OLED)器件:ITO-CuPc(20 nm)--αNPD(60 nm)-Alq3(40 nm)∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)-Alq3(20 nm)-LiF(10 nm)-Al(100 nm)。研究发现:驱动在电压为5~52 V变化时,其亮度基本满足线性增加关系,随之饱和;随着驱动电压的变化,其电致发光光谱有蓝移的现象,发射峰从638 nm变到632 nm,同时色坐标CIEx,y值也发生相应的变化;器件的流明效率在驱动电压较低时(V=5 V),达到最大值ηLmax=0.497 lm.W-1,随着驱动电压的增加,流明效率有降低的趋势。     

比色法测定Annexin Ⅴ变体冻干品中的氯化亚锡含量

测定自制的Annexin Ⅴ变体冻干品中的氯化亚锡含量.在酸性条件下,用钼酸钠-硫氰酸钾比色法测定,λ=460nm.亚锡在5-50μg内线性关系良好,低、中、高三浓度平均回收率分别为102.9％,99.9％,101.0％;RSD分别为6.4％,8.1％,5.1％（n=6）.用比色法测定Annexin Ⅴ变体冻干品中亚锡含量,方法简便、迅捷、试剂易得,可用于冻干品中氯化亚锡的质量控制.     

ARM7全彩OLED驱动控制电路设计

介绍了一款全彩无源OLED模块的驱动接口电路及驱动程序的设计。系统采用ARM7系列的LPC2138为控制核心,分别设计了电源电路、下载电路、复位电路和接口电路,并向全彩无源OLED模块提供数据信号和控制信号,从而实现了分辨力为128128,65103色的动态全彩图片显示。设计了基于ARM7内核的OLED驱动电路实验系统,可显示红、绿、蓝单色以及全彩图片,为中小尺寸OLED提供了一种低成本、低功耗的单芯片解决方案。     

Nondoped Electrophosphorescent Organic Light-Emitting Diodes Based on Platinum Complexes

An undoped electrophosphorescent organic light-emitting diode is fabricated using a pure platinum（Ⅱ） （2-phenylpyridinato-N, Ca） （3-benzoyl-camphor） [（ppy）pt（bcam）] phosphorescent layer acting as the emitting layer. A maximum power efficiency Tlp of 6.621m/W and current efficiency of 14.78 cd/A at 745 cd/m2 are obtained from the device. The roll-off percentage of ηp of the pure phosphorescent phosphor layer device is reduced to 5% at a current density of 20mA/cm2, which is about 11% for conventional phosphorescent devices. The low roll-off efficiency is attributed to the phosphorescent material, which has the molecular structure of a strong steric hindrance effect.     

p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响

对OLED器件施加扫描电压时,器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同,器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq₃/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试,并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在,以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象,获得了比较满意的结果,为器件性能的进一步优化找到了方向。