沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_0.7Ca_0.3MnO₃(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.     

锌掺杂LaSrCuO铜氧化物的微结构效应

利用Rietveld方法用X射线衍射数据计算了掺Zn的La1.85Sr0.15Cu1-yZnyO4的原子结构参数。随着Zn含量的增加,晶格常数a,b增大,c下降;在Zn含量约0．15处存在一个从四方到正交的结构相变,该相变为二级相变,讨论了Zn掺杂所引起LSCO晶体结构中CuO6八面体对称性的改变,从精修得到的衍射峰形参数计算了各掺杂样品的晶格微应变。     

Zn,Ni,Mg高掺杂La1.85Sr0.15CuO4的晶体结构比较

对Zn,Ni,Mg高掺杂的La_1.85Sr_0.15CuO₄(LSCO)超导体的X射线衍射谱进行了仔细的分析,从而获得了各掺杂样品的晶格常量、原子结构参量及衍射的峰形参量,比较了不同掺杂所引起的晶体结构的差异,计算了由于掺杂所产生的晶格内部的微应变,结果表明非磁性金属Zn,Mg掺杂比磁性金属Ni掺杂更强烈地抑制了LSCO的超导电性可能与材料中晶格的微应变有关. 关键词： 1.85Sr_0.15CuO₄')" href="#">La_1.85Sr_0.15CuO₄ 磁、非磁掺杂 原子结构参量 晶格微应变     

LiNbO_3晶体中包裹物和位错的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0_3晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。     

KTa1-xNbxO3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论． 关键词：     

LiNbO3晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法观察了直拉法生长LiNbO₃晶体中各种类型点阵缺陷,诸如铁电畴壁、生长层、位错、亚晶界和胞状组织等;用不同衍射矢量对[001]和[210]方向生长的晶体的形貌消象规律,结合X射线铁电异常散射效应和光学显微观察,讨论了晶体中180°铁电畴和生长层的衬度及其分布,并研究了LiNbO₃晶体中180°畴壁形成及其相互关系。 关键词：