正常金属-f波超导结中的隧道谱与散粒噪声

很多实验证实 Sr2 Ru O4 超导体具有自旋三重态 ,其序参数存有结点的 f波对称结构。我们考虑到粗糙的界面势垒散射 ,利用 f波超导模型 ,研究正常金属 - Sr2 Ru O4 超导结中的隧道谱与散粒噪声。所得结果既不同于传统的 s波超导 ,亦不同于具有 d波对称结构的高 Tc铜氧化物超导体。     

多铁材料HoMnO3中光学吸收和畸变驱动的第一性原理研究

六角钙钛矿结构锰氧化物HoMnO₃磁电效应的研究近年来已成为多铁性材料研究中极其重要的一个方面. 本文基于广义梯度近似下的密度泛函理论, 考虑电子自旋的非共线磁性结构, 计算研究了 d电子在位库仑作用和自旋-轨道耦合作用对HoMnO₃的电子结构、 轨道杂化和能态密度分布的影响. 结果显示, 当考虑在位库仑排斥势U作用时, 强烈的Ho 5d与O(3, 4) 2p以及Mn 3d与O(1, 2) 2p间的轨道杂化是驱动HoMnO₃发生铁电畸变的根源, 此时能隙和能带的分布为解释实验中发现的强烈的光学吸收峰提供了理论依据, 而自旋-轨道耦合使得Mn 3d-O(3, 4) 2p在 ab平面内的轨道交迭略有增强, 平面内部分能带简并消除, HoMnO₃材料呈现典型的间接性能隙绝缘体特征. 关键词： 磁电效应 铁电畸变 态密度 光学吸收     

正常金属—d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和Ｂｏｌｏｎｄｅｒ－Ｔｉｎｋｈａｍ－Ｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型,计算正常金属－ｄ波超导隧道结的微分电导。计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰。这些     

磁多层金属系统的界面反射效应

考虑到磁多层金属系统中的粗糙界面散射效应,运用量子统计的格林函数方法和久保理论,计算磁多层金属系统的单粒子传播格林函数和电导率.所得结果依赖于电子在界面处的反射波幅和空间尺寸,并能展示巨磁电阻的主要实验特征. 关键词：     

磁性形状记忆合金Mn2NiGa band Jahn-Teller效应的第一性原理研究

运用第一性原理的方法,研究了磁性形状记忆合金Mn₂NiGa在马氏体相变中晶格结构、磁结构、Mn原子d电子结构的变化.研究表明,伴随Mn₂NiGa马氏体相变的发生,形成了一个由两根长键及四根短键组成的拉长八面体结构,即产生了沿z轴拉长的Jahn-Teller畸变;在相变时,位于八面体中心的Mn原子的磁矩发生显著的变化,而作为配体的Ni、Ga原子的磁矩变化很微小;Jahn-Teller畸变的发生,是由于晶体的畸变使配住场产生变化,导致Mn原子d电子态密度重新分布,从而使e_g和t_2g能级分裂所致.     

三角晶格反铁磁CuFeO_2的磁性和电子结构

基于广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论(DPT),,通过构造铁磁(FM),阻挫的三角非共线反铁磁(FAFM)、上上下下型共线反铁磁(↑↑↓↓AFM)三种不同磁性构型,从非共线磁性结构计算出发.优化了低温铜铁矿CuFeO_2晶体材料的几何结构,研究了磁性结构对电子结构、能隙和磁矩等的作用.计算发现上上下下型反铁磁自旋排列能促进能隙形成,总能降低,磁矩增大.由于上上下下型反铁磁与阻挫三角非共线反铁磁相能量接近,外场的作用容易导致磁性结构相变到阻挫的三角反铁磁态,其电子态密度分布与X光发射光谱测得的结果一致,即具有高自旋的Fe离子3d电子自旋向上的子带中心位于Cu3d能态之下,O2p能态以上,而且配位场理论分析表明Fe离子3d态自旋向下的空轨道为铁电极化提供了有利的化学环境.     

三角晶格反铁磁CuFeO2的磁性和电子结构

基于广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论(DFT), 通过构造铁磁(FM), 阻挫的三角非共线反铁磁(FAFM)、上上下下型共线反铁磁(↑↑↓↓AFM)三种不同磁性构型, 从非共线磁性结构计算出发, 优化了低温铜铁矿CuFeO2晶体材料的几何结构, 研究了磁性结构对电子结构、能隙和磁矩等的作用. 计算发现上上下下型反铁磁自旋排列能促进能隙形成, 总能降低, 磁矩增大. 由于上上下下型反铁磁与阻挫三角非共线反铁磁相能量接近, 外场的作用容易导致磁性结构相变到阻挫的三角反铁磁态, 其电子态密度分布与X光发射光谱测得的结果一致, 即具有高自旋的Fe离子3d电子自旋向上的子带中心位于Cu 3d能态之下, O 2p能态以上, 而且配位场理论分析表明Fe离子3d态自旋向下的空轨道为铁电极化提供了有利的化学环境.     

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

在正常金属／绝缘层／s波超导隧道结（NIS结）中，以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响，运用Bogoliubov_de Gennes（BdG）方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论，计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势，其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ ₀/e的偏压值，电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关，显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱. 关键词： NIS结 方势垒 微分电导     

正常金属-铁磁绝缘层-d波超导结中的磁散射对量子输运的影响

在正常金属-铁磁绝缘层-d波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的粗糙界面散射和磁散射效应,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-klapwijk(BTk)理论模型,计算隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.计算表明：1)粗糙界面散射和磁散射都能压低零偏压电导峰,其中磁散射能使零偏压峰滑移,而粗糙界面却能阻止零偏压峰的滑移,且随着两种散射强度的逐渐增大,又能使零偏压电导峰渐渐变为凹陷;(2)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰. 关键词：     

正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导.计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰.这些结果都将很好地解释高T_c超导隧道谱的实验现象. 关键词：