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161.
在对类Ne、类Na、类Mg和类Al碘离子的3d-2p跃迁波长和跃迁几率详细计算的基础上,考虑了各个谱线的加宽和谱线间的重迭效应。在局部热动平衡近似和高温条件下,模拟了各离化态离子共同存在时产生的光谱结构,给出了具有带状分布特征的伴线峰的中心波长和半最大全宽度。讨论了这种光谱在等离子体状态诊断方面的应用。  相似文献   
162.
利用基于多组态Dirac-Fock(MCDF)理论方法的原子结构和性质计算程序GRASP92和全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氖离子(Z=50—57)激发组态2s22p53l和2s2p63l(l=s,p,d)的能级结构和碰撞激发截面,总结了碰撞激发截面随入射电子能量的变化规律,讨论了实验中感兴趣的(2p1/23d3/2)1→2s22p61S0(标记为3C线)与(2p3/23d5/2)1→2s22p61S0(标记为3D线)跃迁线强度比值的沿等电子系列特性和强组态相互作用对高离化态类氖离子截面的影响.  相似文献   
163.
合成了对-二甲氨基苯甲醛苯甲酰腙(配体)及其锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)配合物,通过元素分析、IR、MS对结构进行表征,研究了配体及锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)配合物的紫外光谱和荧光光谱。这些物质都有较强的荧光,适合掺入涂料中做成荧光涂料。  相似文献   
164.
The differential and integral cross sections for electron impact excitation of lithium from the ground state 1s22s to excited states 1s22p, 1s23l (l=s, p, d) and 1s24l (l=s, p, d, f)at incident energies ranging from 5 eV to 25 eV are calculated by using a full relativistic distorted wave method. The target state wavefunctions are calculated by using the Grasp92 code. The continuum orbitals are computed in the distorted-wave approximation, in which the direct and exchange potentials among all the electrons are included. A part of the cross sections are compared with the available experimental data and with the previous theoretical values. It is found that, for the integral cross sections, the present calculations are in good agreement with the time-independent distorted wave method calculation, for differential cross sections, our results agree with the experimental data very well.  相似文献   
165.
Spherical organic-bonded ZnS nanocrystals with 4.0 4-0.2 nm in diameter are synthesized by a liquid-solid-solution method. The photoluminescence spectrum of sample ([S^2-]/[Zn^2+] = 1.0) shows a strong white emission with a peak at 490nm and - 170 nm full widths at half maximum. By Gauss fitting, the white emission is attributed to the overlap of a blue emission and a green-yellow emission, originating from electronic transitions from internal S^2- vacancies level to valence band and to the internal Zn^2+ vacancy level, respectively. After sealingZnS nanocrystals onto InGaN chips, the device shows CIE coordinates of (0.29,0.30), which indicates their potential applications for white light emitting diodes.  相似文献   
166.
Giant resonance enhancement is demonstrated to be due to the Fano interference in a grating waveguide composed of gain-assisted silicon slabs. The Fano mode is characterized by its ultra-narrow asymmetric spectrum, different from that of a pure electric or magnetic dipole. The simulation indicates that a sharp Fano-interfered lineshape is responsible for the giant resonance enhancement featuring the small-gain requirements.  相似文献   
167.
Electromagnetically induced transparency (EIT) is obtained in a symmetric U-shaped metamaterial, which is at- tributed to the simultaneously excited dual modes in a single resonator under lateral incidence. A large group index accom- panied with a sharp EIT-like transparency window offers potential applications for slowing down light and sensing.  相似文献   
168.
Pressure-induced phase transitions of multiferroic BiFeO3 have been investigated using synchrotron radiation X-ray diffraction with diamond anvil cell technique at room temperature. Present experimental data clearly show that rhombohedral (R3c) phase of BiFeO3 first transforms to monoclinic (C2/m) phase at 7 GPa, then to orthorhombic (Pnma) phase at 11 GPa, which is consistent with recent theoretical ab initio calculation. However, we observe another peak at 2θ=7° in the pressure range of 5-7 GPa that has not been reported previously. Further analysis reveals that this reflection peak is attributed to the orthorhombic (Pbam) phase, indicating the coexistance of monoclinic phase with orthorhombic phase in low pressure range.  相似文献   
169.
采用高温固相烧结法成功制备了Ba5-3x/2B4O11xEu3+(x=0.02~0.22)荧光粉,利用XRD和SEM等对荧光粉进行了结构和形貌表征。 在激发波长为393 nm的条件下,发射峰(596、621、657和706 nm)与Eu3+5D0-7FJ(J=1,2,3,4)电子跃迁相对应,其中621 nm最强发射峰由Eu3+离子5D07F2电偶极跃迁造成。 文章还研究了Eu3+掺杂浓度对Ba5-3x/2B4O11xEu3+发光性能的影响,结果表明,荧光粉的发光强度随着Eu3+掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,Eu3+最佳掺杂量为0.16。  相似文献   
170.
Based on the multi-configuration Dirac-Fock method, theoretical calculations are carried out for the dielectronic recombination (DR) rate coefficients and the collision excitation rate coefficients of Sn^10+ ions. It is found that the total DR rate coefficient has its maximum value between 10eV and 100eV and is greater than either the radiative recombination or three-body recombination rate coefficients (the number of free electrons per unit is 10^21 cm^3) for the ease of Te 〉 1 eV. Therefore, DR can strongly influence the ionization balance of laser produced multi-charged tin ions. The related dieleetronie satellite cannot be ignored at low temperature Te 〈 5 eV.  相似文献   
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