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Influence of relaxation effects on probabilities of the 2s2p35S2-2s22p2 3P1,2 intercombination transitions in NII
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Transition probabilities of the 2s2p^3 {}^5S_2-2s^22p^2 {}^3P_{1,2} intercombination transitions in NII have been calculated by using a large-scale multiconfiguration Dirac-Fock method. In the calculation the most important effects of relativity, correlation, and relaxation are considered. From the calculated transition probabilities, the lifetime of the 2s2p^3 {}^5S_2 metastable state is derived. The result is in excellent agreement with the latest experimental result. In the meantime the influence of anomalously strong relaxation effects on probabilities of the 2s2p^3 {}^5S_2-2s^22p^2 {}^3P_{1,2} lines in NII have been found. 相似文献
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为了求解各向异性接合材料界面端部奇异性应力场,建立了一种新型杂交元模型.该模型的独特之处在于:基于有限元特征法得到的奇异性场数值特征解建立了一种新型界面端奇异单元.通过算例证明,新型杂交元模型能够利用较少的单元数获得较为精确的数值结果.当前模型应用范围广泛,能够用于复杂结构的界面端部场求解. 相似文献
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The geometries,heats of formation and electronic structures of 15 azido-derivatives of 1,2,3-TNB (Ⅰ),1,2,4-TNB (Ⅱ) and 1,3,5-TNB (Ⅲ) have been studied using quantum chemical AMI method at HF level.The effect of azido substitution on the structures and properties of TNBs has been discussed and the relative stability of the title compounds has been established.The processes of the decomposition of the title compounds by breaking C-NO2,C-N3 and CN-N2 bonds are investigated at UHF-AM1 level.It is shown that the decomposition of the title compounds may be initiated by the cleavage of both C-NO2 and N-N2 bonds. 相似文献
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对称性匹配微扰理论(symmetry-adapted perturbation theory, SAPT)能把总作用能分解成有物理意义的各作用能项, 是了解分子间力的基本手段. 本工作的开展是因为目前标准SAPT方法无法计算含能大体系的作用能项. 对于大体系而言, 基于Kohn-Sham轨道的SAPT(SAPT(DFT))具有高的计算效能, 但对作用能项的计算效果却不佳. SAPT(DFT)的缺陷产生于常用交换-关联势的错误渐近特性. 为了消除这些缺陷, 借助于van Leeuwen 和 Baerends(LB)模型势及Fermi-Amaldi (FA)类型势, 把两种渐近修正技术应用于三个供测试的二聚体小体系(He2, HF2和(N2)2)和一组处于不同分子间距的硝酰胺二聚体体系. 结果显示: 当使用新近发展的依频密度极化率(frequency-dependent density susceptibilities, FDDS)技术用于计算色散能时, FA渐近校正方案非常有效地克服了SAPT(DFT)中的缺陷, 并比LB校正具有更好的精度. 经FA校正的SAPT(DFT)方法能够正确地定量预测所有测试系统结合能的趋势, 并且与标准的SAPT相比, 大大减少了计算代价. 这个方法成功应用于硝酰胺二聚体表明: 此方法在精确计算更大的体系, 如含能体系的分子间力方面很有潜力. 相似文献
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氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。
关键词: 相似文献