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41.
用等值宽度法测量fs脉冲宽度 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出利用等值宽度测量fs光脉冲持续时间的方法.给出了脉冲形状为sech~2 (t/T)、exp(-2t~2/T~2)和exp(-2|t|/T)的干涉相关曲线上包络与相应二阶强度相关曲线半宽度等值的位置,它们分别是3.984、4.875和4.928.定义了两种相关测量的临界延迟速度.理论分析与实验结果符合得很好.所得结果表明,该测量方法可将常规超短脉冲相关测量的时间分辨率提高几倍至几十倍. 相似文献
42.
43.
云南地处亚热带,盛产甘蔗,糖厂榨机的主要部件榨辊是易损件;制糖工业又是季节性、时间性很强的工业,榨糖季节停机一分钟直接间接损失达152元,因此提高榨辊的耐磨性、抗拉强度、耐腐蚀性、持蔗力,这在讲究经济效益的今天具有重大经济意义。生产榨辊时,为提高以上各项指标,要加入多种合金.根据工作的条件,又只能在冲天炉中进行试验,由于熔炼一炉铁水时间较长,数吨铁水的成本也是可观的,因此要求试验次数尽可能少,代表性要强,我们决定采用正交试验法设计试验配方。经过对原榨辊的配方、工艺进行了分析,我们考虑突破传统材料的基础,采用多元微合金化的方法,改变硬质相,以新的硬质相代替现有的磷共晶,提出了新材质的配方的初步设想,根 相似文献
44.
SOME REMARKS ON HOLOMORPHIC FUNCTIONS AND TAYLOR SERIES IN Cn 总被引:1,自引:1,他引:0
余家荣 《数学物理学报(B辑英文版)》2008,28(4)
Some previous results on convergence of Taylor series in Cn [3] are improved by indicating outside the domain of convergence the points where the series diverges and simplifying some proofs. These results contain the Cauchy-Hadamard theorem in C. Some Cauchy integral formulas of a holomorphic function on a closed ball in Cn are constructed and the Taylor series expansion is deduced. 相似文献
45.
本文用给出_Λ~5He的Λ结合能实验值的Λ-α有效相互作用,统一地用超球谐函数方法的绝热近似,研究了超核_(ΛΛ)~6He的双Λ结合能与_Λ~9Be的Λ结合能.得到的结果比较满意的. 相似文献
46.
A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage. 相似文献
48.
余家荣 《数学物理学报(B辑英文版)》2011,31(1)
Simplify the proof on the domain of convergence of multiple power series and consider the case where some of z1, · · · , zn are contained only in a finite number of terms of the series. Obtain some results on holomorphic functions in Cn. 相似文献
49.
R-T(Rayleigh-Taylor)不稳定性实验研究对于天体物理和ICF都有重要的意义。特别是侧向照明的诊断方案,物理上很直观实验上也相对容易实现因此受到各国的重视。2003年在“神光”Ⅱ开展了一轮打靶实验。 相似文献
50.