一种结构新颖的高温超导群时延均衡器

本文提出一种平面微带型高温超导微波群时延均衡器,它是由一个3dB混合耦合器和两个单端口反射滤波器构成的全通网络.该群时延均衡器能与不同类型超导微带滤波器级联,实现相位均衡,减小相位失真,改善接收机前端信号群时延特性,提高通信质量.     

南天竹花挥发油化学成分的GC-MS分析及体外抗氧化活性

采用水蒸气蒸馏法提取南天竹花挥发油,利用气相色谱-质谱联用技术分析挥发油化学成分;以ABTS自由基清除作用、金属离子螯合作用为指标评价20%挥发油的体外抗氧化活性。从南天竹花挥发油中共鉴定出60种化合物,占挥发油总量的76.98%,主要成分为棕榈酸、棕榈醛、十八烷醛、3,7-二甲基-1,5,7-辛三烯-3-醇、1-十六烯等;挥发油对ABTS自由基和金属离子具有较好地清除作用和螯合作用,且样品量与活性呈量效关系。     

溶剂对三(苯并咪唑-2-甲基)胺和间苯二胺四乙酸的铜配合物晶体结构的影响

本文利用三(苯并咪唑-2-甲基)胺和间苯二胺四乙酸为配体与硝酸铜在CH3COCH3/CH3OH/H2O混合溶液中反应得到配合物[Cu(ntb)(H2mpda)].0.5CH3COCH3.2H2O(1),在DMF/CH3OH/H2O混合溶液中反应得到配合物[Cu(ntb)(H2mpda)].DMF.CH3OH.2H2O(2)(ntb=三(苯并咪唑-2-甲基)胺,H4mpda=间苯二胺四乙酸)。2个配合物的中心的铜离子分别与1个ntb配体的4个氮原子和1个H2mpda的氧原子配位形成三角双锥的配位构型。受溶剂的影响,配合物中配体的相对位置和构象有较大的区别,配合物2的配位构型更加扭曲。两个配合物均通过氢键连接形成不同的复杂三维网络。     

在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.     

约束非线性l_1问题的光滑近似算法

针对约束非线性l_1问题不可微的特点,提出了一种光滑近似算法.该方法利用" "函数的光滑近似函数和罚函数技术将非线性l_1问题转化为无约束可微问题,并在适当的假设下,该算法是全局收敛的.初步的数值试验表明算法的有效性.     

磁场零值点的一个判据

从一个简单问题出发，引出关于磁场零值点的一个判据，该判据与载流系统的几何对称性有关。     

刚体绕任意轴转动惯量的简便计算

利用微元求和的方法给出几种刚体对于过质心任意轴的转动惯量公式，并由此引出转动惯量与刚体几何对称性的联系，以及与转动惯量有关的几何形体等价性的一些结果．     

THE SCREENING EFFECT OF PHONON MODES IN HIGH-Tc OXIDE SUPERCONDUCTOR

This paper presents three different kinds of infrared (IR) spectra of oxide materials. The first one is the IR reflection spectra of Ti₂Ba₂Ca₂Cu₃O₁₀ superconducting film at the incident angles 7°, 12° and 30°. The second one is the IR spectra of nonsuperconducting ceramic materials YBa₂Cu₃O₆ and PrBa₂Cu₃O₇. The third one is the IR spectra of superconductor YBa₂Cu₃O_7-δ and of its film with the c-axis perpendicular to the film plane, as well as the changes in the spectra of these materials after annealing at different temperatures. It is found that in the spectra of high-T_c oxide superconductor, only the phonon modes along c-axis can be observed while the modes in a-b plane are absent. But in the spectra of nonsuperconductors the modes in a-b plane can be observed, particularly in the absorption spectra of the semiconductor YBa₂Cu₃O₆, all eleven allowed IR active modes have been detected. We suggest that the above experimental phenomena may result from the fact that the phonon modes vibrating in the a-b plane of the high-T_c oxide superconducting materials are almost screened by the free carriers which can move only in a-b plane.     

Energy gap suppression and excess current in Tl_2Ba_2CaCu_2O_8 intrinsic Josephson junctions

Intrinsic Josephson junctions in misaligned Tl2Ba2CaCu2O8 thin film were fabricated on LaAlO3 substrate. The temperature dependence of the critical current is investigated around liquid nitrogen temperature. In the current voltage characteristic, large voltage jump and lack of resistive branch are observed, which shows good consistency with the intrinsic Josephson junctions. By analyzing the large gap voltage in the curve, great suppression of the energy gap is found. Through discussing the temperature dependence of the gap voltage in liquid nitrogen temperature, it is shown that this phenomenon can be caused by the non-equilibrium quasiparticle injection. The temperature influence on the excess current also confirms the non-equilibrium effect.     

基于异质双栅电极结构提高碳纳米管场效应晶体管电子输运效率

为改善碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)器件性能, 提高电子输运效率, 提出了一种异质双金属栅(HDMG)电极结构CNTFET器件. 通过对单金属栅(SMG)-CNTFET器件输运模型的适当修改, 实现了对HDMG-CNTFET器件电子输运特性的研究.研究结果表明, 对于所提出的HDMG结构器件, 如果固定源端金属栅S-gate的功函数W_GS使其等于本征CNT 的功函数, 而选取漏端金属栅D-gate的功函数W_Gd, 使其在一定范围内小于W_GS, 可优化器件沟道中的电场分布, 提高器件沟道电子平均输运速率; 同时由于HDMG-CNTFET的D-gate对沟道电势具有调制作用, 使该器件阈值电压降低, 导致在相同的工作电压下, HDMG-CNTFET器件具有更大的通态电流; 而D-gate对漏电压的屏蔽作用又使HDMG-CNTFET与SMG-CNTFET相比具有更好的栅控能力 及减小 漏极感应势垒降低效应、热电子效应和双极导电性等优点. 本研究通过合理选取HDMG-CNTFET双栅电极的功函数, 有效克服了现有研究中存在的改善CNTFET性能需要以减小通态电流为代价的不足, 重要的是提高了器件的电子输运效率, 进而可提高特征频率、减小延迟时间, 有利于将CNTFET器件应用于高速/高频电路. 关键词： CNTFET 异质双栅 电子输运效率 双极导电性