ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响

在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。     

含NiMo和稀土储氢合金的电催化析氢电极

采用合金电沉积和复合镀技术，将ＮｉＭｏ合金和稀土储氢合金的微粒修饰到镍基表面作析氢反应的催化层．介绍了电极的表面形貌及电极性能的测试结果．结果表明，电极的催化活性和催化层抗氧化能力高于ＮｉＭｏ电极，说明吸附氢起到了保持电极催化活性的作用．所以，在催化层中引入稀土储氢组分，不仅提高了电极对析氢反应的催化活性，更重要的是显著增强了催化层的抗氧能力，延长了电极的使用寿命．     

The optimum scheme of a static Fourier-transform spectrometer based on birefringent crystal

An optimum design of static Fourier-transform spectrometer based on Savert prisms is presented in this paper. A new method of increasing path difference and resolution of spectrometer is given. When the angle between the crystal optical axis of the first Savert prism and the incident interface is 58° and the angle between the crystal optical axis of the second Savert prism and the incident interface is 28°, the maximum path difference will be 0.63 mm, the maximum resolution will be 15.8 cm-1, and the whole field-of-view will reach 6°.     

Vacancy in 6H—Silicon Carbide Studied by Slow Positron Beam

The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam.It was found that after annealing,the defect concentration in n-type 6H-SiC decreased due to recombination with interstitials.When the sample was annealed at 1400℃ for 30 min in vacuum,a 20-nm thickness Si layer was found on the top of the SiC substrate,this is a direct proof of the Si atoms diffusing to surface when annealed at high temperature stages.After 10MeV electron irradiation,for n-type 6H-SiC,the S parameter increased from 0.4739 to 0.4822,and the relative positron-trapping rate was about 27.878 times of the origin sample,this shows that there are some defects created in n-type 6H-SiC.For p-type 6H-SiC,it is very unclear,this may be because of the opposite charge of vacancy defects.     

秦始皇陵兵马俑原料来源的中子活化分析

选取秦陵兵马俑样品83个, 秦陵附近的黏土样品20个, 耀州瓷胎样品2个. 将样品进行仪器中子活化分析(INAA), 测定每个样品的32种元素含量. 将所有样品的元素进行模糊聚类分析, 得到以下结果: (1) 所有样品大致可以分为5类: 1和2号坑样品类; 3号坑样品类; 垆土层类; 垆土和黄土混合类; 耀州瓷胎; (2) 1~3号坑的兵马俑样品各有相对的独立性, 它们所用黏土不完全相同. 3号坑兵马俑样品的关系极为密切, 黏土产地比较集中. 与3号坑相比, 1和2号坑兵马俑样品的关系不甚密切, 黏土产地比较分散; (3) 烧制兵马俑的黏土与秦陵附近的垆土层关系密切, 而与该处的黄土层关系较远, 与耀州瓷胎的关系甚远. 合理的推断是兵马俑的原料可能取自栆园、高邢一带垆土层, 或者取自秦陵附近的、与枣园、高邢垆土性状相同的其他地方的垆土层, 而不是这些地方的黄土层. 兵马俑的原料取自秦陵附近的某些垆土层, 由此推断烧制兵马俑的窑址可能也在秦陵附近.     

量子态统计测量电路探讨

本文讨论了超导隧道结(SIS)从零电压态跃迁到正常态过程的量子特征.对SIS结的临界电流的统计分布测量的可行性作了探讨.由于SIS结的临界电流是温度敏感的量,并且,其量子跃迁的电流变化很小, 因此,对温度的稳定性和测量的精度均要求很高.我们提出了一种改进的以测量时间间隔的方法取代直接测量临界电流的方法的测量方案,去测量SIS结从零电压态跃迁到正常态过程临界电流变化的统计分布.电路的计算机模拟表明,这种方法较直接法有更好的精度. 实验上的测量在准备中.     

红外目标仿真光学机构

论述了目标仿真机构的用途、仿真的光学原理以及实现原理的光学系统。对其中的两个光学问题的研究作了详细地论述 ,即干扰光路 2倍于目标光路的视场角以及如何由摆镜的摆动实现。由于析光镜与光轴成 45°角 ,使像点在子午方向被拉长约为弧矢方向的 10倍。为了减少子午像差 ,将两块析光镜作成略带楔角的楔形镜。结果表明 ,由于该机构的尾焰、尾喷管用的是同一条光路 ,所以使结构大为简化 ,这对降低转动惯量非常有利 ;由于有干扰弹仿真 ,使机构的功能得到了扩大     

微分析标准物质最小取样量的SRXRF研究

微分析技术在诸多科学领域发挥了重要作用,样品的分析区域越来越细化,分析的样品量越来越低,我国有证标准物质的最小取样量为100mg,在微分析实验中难以实现定量分析和实施分析质量控制,已成为微分析中需要解决的问题.将经过高温处理的土壤进行反复研磨和处理,达到99%的粉末通过500目筛子,用同步辐射X荧光(SRXRF)进行了元素分布均匀性和最少取样量分析,SRXRF分析结果表明8个元素(K,Ca,Ti,Mn,Fe,Zn,Rb,Sr)的最少取样量可以降到1mg,在5%的相对标准偏差范围内能够获得稳定的数据.     

制备三量子位和四量子位核磁共振等效纯态

基于时间平均法,给出了在同核系统中制备三量子位和四量子位核磁共振等效纯态的方案.利用Λn(not)门,本文的方案大大减少了制备等效纯态所需的操作次数:在三同核系统中制备三量子位核磁共振等效纯态只需三次操作,在四同核系统中制备四量子位核磁共振等效纯态只需五次操作.然后在一个链状耦合的同核系统中实验制备三量子位核磁共振等效纯态,验证了本文的方案 并且给出了四量子位方案的模拟结果谱图     

新型含硅聚芳醚酮的合成与表征

聚醚醚酮（PEEK）因其具有优异的机械性能、耐热性和耐化学腐蚀性等而被广泛应用于航空航天、电子器件和机械仪表等领域，由于聚醚醚酮的结构特点决定其具有极好的耐溶剂性，只在浓硫酸等极少数溶剂中可以溶解，但随着应用目的和应用环境的不同，需要有可以溶解在一定溶剂中的聚醚醚酮材料。