单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构     

含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型

本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGe HBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGe HBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小. 关键词： SiGe HBT 集电结耗尽层 延迟时间     

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si_1－βGe_β中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词： 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型     

分布式微能源网系统集成设计优化研究

分布式冷热电联供是一种多能源综合互补、高效利用的有效方式.本文以广州某2000 m2公寓楼为例构建集"源、储、荷"三位一体的分布式微能源网系统,建立了固体氧化物燃料电池、太阳能集热器等系统关键设备数学模型,基于理想点法优化了系统的集热场面积、热水罐体积、基岩储热容量等关键设计参数,使系统具有最佳的综合性能.结果表明,在...     

广义Weyl代数的导子

讨论并确定了一类Weyl型结合及Lie代数A [D]= A Ä F [D]的导子代数, 其中A是特征0的域F上的具有单位元的交换结合代数, D是由A的局部有限的可交换的导子所成的有限维空间, 并且A 是D -单的, 而F[D]是D 的多项式代数.     

浅谈科学探究“欧姆定律”

欧姆定律是重要的电学定律,现以人教版新课标<物理>教科书为例,浅谈四点管见.     

C_l~(1)的某些水平1的弦函数

本文部分解决了 Kac[1]提出的问题,即计算了 C_2~((1)),C_4~((1)),C_6~((1)),C_7~((1))的所有水平1的弦函数.     

On the Helly Number for Line Transversals to Parallel Triangles

We prove two results about the problem of finding the Helly number for line transversals to a family of parallel triangles in the plane: (1) If each three triangles of a family of parallel right triangles are intersected by an ascending (or a descending) line, then there is an ascending (or a descending) line that intersects all     

实现目标函数几何化的几种形式

线性规划问题是高中数学的重要内容,是"沟通"代数与几何的重要桥梁,以其直观性地解决问题而"一枝独秀".在有关的线性规划问题中,由于目标函数的形式的多样化与隐蔽性,所以我们要充分研究与挖掘目标函数的几何意义,将其由"数"向"形"转化,使目标函数具体化、明朗化,是我们解决这类问题的关键所在.本文通过几个例题罗列了实现目标函数几何化的几种常见形式.……